KR970052509A - 반도체 소자의 금속 배선 방법 - Google Patents

반도체 소자의 금속 배선 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 금속 배선 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 다층 금속 배선 공정시, 층간 평탄화막으로 이용되는 SOG 결함을 방지하여 소자의 특성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 금속 배선 방법에 관한 것으로, 본 발명에 의하면 반도체 소자의 다층 배선 공정시, 금속 배선 방법에 있어서, 제1금속 배선 상부의 제1층간 절연막을 질화막으로 형성하고, 층간 평탄화막인 SOG막 상에 수분을 포획하기 위하여 불소이온을 이온 주입하므로써, 비아홀 형성공정시 SOG막의 식각으로 인한 수분 흡착을 방지하여 소자의 금속 배선 특성을 향상시킬 수 있다.

Description

반도체 소자의 금속 배선 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 (e)는 본 발명에 따른 반도체 소자의 금속 배선 방법을 설명하기 위한 도면.

Claims (2)

  1. 반도체 소자의 기본 전극, 층간 절연막 및 콘택홀이 구비된 반도체 기판 상부에 제1금속 배선을 형성하는 단계; 상기 제1금속 배선 상부에 질화막을 형성하는 단계; 상기 질화막 상부에 SOG막을 도포 및 경화하여 형성하는 단계; 상기 SOG막 표면에 불소 원자를 이온 주입하는 단계; 상기 SOG막 상부에 산화막을 형성하는 단계; 상기 산화막, SOG막, 질화막을 제거하여 비아홀을 형성하는 단계; 및 상기 소자 전면에 제2금속 배선을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 SOG 형성단계는 상기 질화막 상부에 3500 내지 4,500Å 두께의 액상 SOG막을 도포하고, 250 내지 350℃의 온도 범위에서 약 30분간 경화하여 고상의 SOG막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950069558A 1995-12-30 1995-12-30 반도체 소자의 금속배선방법 KR100197126B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100290469B1 (ko) * 1997-12-31 2001-07-12 박종섭 반도체소자의 보호막 형성방법

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