KR970051761A - 마그네트론 - Google Patents

마그네트론 Download PDF

Info

Publication number
KR970051761A
KR970051761A KR1019950048727A KR19950048727A KR970051761A KR 970051761 A KR970051761 A KR 970051761A KR 1019950048727 A KR1019950048727 A KR 1019950048727A KR 19950048727 A KR19950048727 A KR 19950048727A KR 970051761 A KR970051761 A KR 970051761A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cathode
magnetron
electrons
shaped primary
cylindrical secondary
Prior art date
Application number
KR1019950048727A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0176876B1 (ko
Inventor
이종수
Original Assignee
구자홍
Lg 전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 구자홍, Lg 전자주식회사 filed Critical 구자홍
Priority to KR1019950048727A priority Critical patent/KR0176876B1/ko
Priority to IN2087CA1996 priority patent/IN192411B/en
Priority to US08/761,245 priority patent/US6005347A/en
Priority to JP8329589A priority patent/JP2905748B2/ja
Priority to DE19651233A priority patent/DE19651233C2/de
Priority to CN96114359A priority patent/CN1065648C/zh
Priority to GB9625822A priority patent/GB2308224B/en
Priority to GB9726403A priority patent/GB2317741B/en
Publication of KR970051761A publication Critical patent/KR970051761A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0176876B1 publication Critical patent/KR0176876B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J23/00—Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
    • H01J23/02—Electrodes; Magnetic control means; Screens
    • H01J23/04—Cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J23/00—Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
    • H01J23/02—Electrodes; Magnetic control means; Screens
    • H01J23/04—Cathodes
    • H01J23/05—Cathodes having a cylindrical emissive surface, e.g. cathodes for magnetrons

Landscapes

  • Microwave Tubes (AREA)

Abstract

본 발명의 마그네트론은, 음극을 필라멘트를 사용하지 않고 소정전압을 인가시키면 미량의 전자를 방사하는 1차음극과, 상기 1차음극에서 방사된 미량의 전자가 외부로 방사,회전하면서 그 외벽에 충돌하도록 구성되어 충돌시 충동에너지에 의해 다량의 전자를 방사하는 2차음극으로 이중하여 형성함으로써 종래의 필라멘트 사용에 의한 마그네트론의 수명단축과 제조가를 줄이고 품질을 개선할 수 있는 효과가 있다.

Description

마그네트론
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 마그네트론의 제1실시예의 수직단면도.
제3도는 본 발명에 의한 마그네트론의 제1실시예의 수평단면도.
제4도는 본 발명에 의한 마그네트론의 제2, 제3실시예의 수직단면도.
제5도는 본 발명에 의한 마그네트론의 제2, 제3실시예의 수평단면도.
제6도는 본 발명에 의한 마그네트론의 2차음극의 활성화 개념도.

Claims (21)

  1. 상기 음극과 일정거리를 두고 상기 음극을 둘러싸고 있는 양극 사이에 인가되는 정전계와 상기 음극의 중심축과 평행하게 인가되는 정자계에 의해 상기 음극의 전자가 상기 양극과 음극 사이의 공간에서 회전운동하여 마이크로 웨이브를 발생하는 마그네트론에 있어서, 상기 음극은 소정전압을 인가시키면 미량의 전자를 방사하는 판형 1차음극과, 상기 판형 1차음극을 둘러싸며 아울러 상기 판형 1차음극과 대응되도록 형성된 슬릿을 통해 상기 판형 1차음극에서 방사된 미량의 전자가 외부로 방사,회전하면서 그 외벽에 충돌하도록 구성되어 충돌시 충동에너지에 의해 다량의 전자를 방사하는 원통형 2차음극을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 마그네트론.
  2. 제1항에 있어서, 상기 판형 1차음극과 원통형 2차음극 사이에 마그네트론의 최초 사용시 상기 2차음극을 활성화시킨 후 소멸되는 2차음극 활성화 장치를 개재하여 구성된 것을 특징으로 하는 마그네트론.
  3. 제1항에 있어서, 상기 원통형 2차음극은 베이스층과 표피층으로 구성된 것을 특징으로 하는 마그네트론.
  4. 제1항에 있어서, 상기 판형 1차음극은 일부영역이 지지벽과 접촉하여 고정되도록 구성된 것을 특징으로 하는 마그네트론.
  5. 제1항에 있어서, 상기 판형 1차음극은 복수개이며, 상기 슬릿은 상기 판형 1차 음극수와 동일하도록 구성된 것을 특징으로 하는 마그네트론.
  6. 제1항에 있어서, 상기 판형 1차음극은 Ta, Nb, Si, Al 중 어느 하나로 구성된 것을 특징으로 하는 마그네트론.
  7. 제3항에 있어서, 상기 베이스층은 Ni, Zr 중 어느 하나로 구성된 것을 특징으로 하는 마그네트론.
  8. 제3항에 있어서, 상기 표피층은 Ba와 Al의 합금, Pd와 Ba의 합금, 및 Re와 La의 합금 중 어느 하나로 구성된 것을 특징으로 하는 마그네트론.
  9. 제4항에 있어서, 상기 지지벽은 Ni, Zr 중 어느 하나로 구성된 것을 특징으로 하는 마그네트론.
  10. 음극과 일정거리를 두고 상기 음극을 둘러싸고 있는 양극 사이에 인가되는 정전계와 상기 음극의 중심축과 평행하게 인가되는 정자계에 의해 상기 음극의 전자가 상기 양극과 음극 사이의 공간에서 회전운동하여 마이크로 웨이브를 발생하는 마그네트론에 있어서, 상기 음극은 음극을 고정시키고 열전자의 누설을 방지하기 위한 상부 엔드 쉴드와 일부 영역이 접촉하여 고정되며 소정전압을 인가시키면 미량의 전자를 방사하는 도우넛형 1차음극과, 상기 도우넛형 1차음극의 내측에 일정간격을 유지하며 상기 도우넛형 1차음극에서 방사돈 미량의 전자가 외부로 방사, 회전하면서 그 외벽에 충돌하도록 구성도어 충돌시 충돌에너지에 의해 다량의 전자를 방사하는 원통형 2차음극을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 마그네트론.
  11. 제10항에 있어서, 상기 원통형 2차음극과 상부 엔드 쉴드 사이에 마그네트론의 최초 사용시 상기 원통형 2차음극을 활성화시킨 후 소멸되는 2차음극 활성화 장치를 개재하여 구성된 것을 특징으로 하는 마그네트론.
  12. 제10항에 있어서, 상기 원통형 2차음극은 베이스층과 표피층으로 구성된 것을 특징으로 하는 마그네트론.
  13. 제10항에 있어서, 상기 도우넛형 1차음극은 Ta, Nb, Si, Al 중 어느 하나로 구성된 것을 특징으로 하는 마그네트론.
  14. 제12항에 있어서, 상기 베이스층은 Ni, Zr 중 어느 하나로 구성된 것을 특징으로 하는 마그네트론.
  15. 제12항에 있어서, 상기 표피층은 Ba와 Al의 합금, Pd와 Ba의 합금, 및 Re와 La의 합금 중 어느 하나로 구성된 것을 특징으로 하는 마그네트론.
  16. 음극과 일정거리를 두고 상기 음극을 둘러싸고 있는 양극 사이에 인가되는 정전계와 상기 음극의 중심축과 평행하게 인가되는 정자계에 의해 상기 음극의 전자가 상기 양극과 음극 사이의 공간에서 회전운동하여 마이크로 웨이브를 발생하는 마그네트론에 있어서, 상기 음극은 음극을 고정시키고 열전자의 누설을 방지하기 위한 상부 엔드 쉴드와 외측 가장자리가 접촉하여 고정되며, 각각이 원통형 2차음극과 동일한 간격을 가지도록 방사형으로 배열된 다수의 부채꼴형 1차음극과, 상기 다수의 부채꼴형 1차음극의 내측에 일정간격을 유지하며 상기 부채꼴형 1차음극에서 방사된 미량의 전자가 외부로 방사,회전하면서 그 외벽에 충돌하도록 구성되어 충돌시 충동에너지에 의해 다량의 전자를 방사하는 원통형 2차음극을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 마그네트론.
  17. 제16항에 있어서, 상기 원통형 2차음극과 상부 엔드 쉴드 사이에 마그네트론의 최초 사용시 상기 원통형 2차음극을 활성화시킨 후 소멸되는 2차음극 활성화 장치를 개재하여 구성된 것을 특징으로 하는 마그네트론.
  18. 제16항에 있어서, 상기 원통형 2차음극은 베이스층과 표피층으로 구성된 것을 특징으로 하는 마그네트론.
  19. 제16항에 있어서, 상기 다수의 부채꼴형 1차음극은 각각이 Ta, Nb, Si, Al 중 어느 하나로 구성된 것을 특징으로 하는 마그네트론.
  20. 제18항에 있어서, 상기 베이스층은 Ni, Zr 중 어느 하나로 구성된 것을 특징으로 하는 마그네트론.
  21. 제18항에 있어서, 상기 표피층은 Ba와 Al의 합금, Pd와 Ba의 합금, 및 Re와 La의 합금 중 어느 하나로 구성된 것을 특징으로 하는 마그네트론.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950048727A 1995-12-12 1995-12-12 마그네트론 KR0176876B1 (ko)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950048727A KR0176876B1 (ko) 1995-12-12 1995-12-12 마그네트론
IN2087CA1996 IN192411B (ko) 1995-12-12 1996-12-03
US08/761,245 US6005347A (en) 1995-12-12 1996-12-06 Cathode for a magnetron having primary and secondary electron emitters
JP8329589A JP2905748B2 (ja) 1995-12-12 1996-12-10 マグネトロン
DE19651233A DE19651233C2 (de) 1995-12-12 1996-12-10 Magnetron
CN96114359A CN1065648C (zh) 1995-12-12 1996-12-12 磁控管
GB9625822A GB2308224B (en) 1995-12-12 1996-12-12 Magnetron
GB9726403A GB2317741B (en) 1995-12-12 1996-12-12 Magnetron

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950048727A KR0176876B1 (ko) 1995-12-12 1995-12-12 마그네트론

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970051761A true KR970051761A (ko) 1997-07-29
KR0176876B1 KR0176876B1 (ko) 1999-03-20

Family

ID=19439268

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950048727A KR0176876B1 (ko) 1995-12-12 1995-12-12 마그네트론

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6005347A (ko)
JP (1) JP2905748B2 (ko)
KR (1) KR0176876B1 (ko)
CN (1) CN1065648C (ko)
DE (1) DE19651233C2 (ko)
GB (1) GB2308224B (ko)
IN (1) IN192411B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100304809B1 (ko) * 1998-02-13 2001-10-19 구자홍 마그네트론의음극

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2183363C2 (ru) * 1998-01-08 2002-06-10 Махов Владимир Ильич Свч-прибор м-типа
RU2136076C1 (ru) * 1998-01-08 1999-08-27 Махов Владимир Ильич Магнетрон
US6089868A (en) * 1998-05-14 2000-07-18 3M Innovative Properties Company Selection of orthodontic appliances
US6485346B1 (en) 2000-05-26 2002-11-26 Litton Systems, Inc. Field emitter for microwave devices and the method of its production
US6724146B2 (en) * 2001-11-27 2004-04-20 Raytheon Company Phased array source of electromagnetic radiation
US6373194B1 (en) 2000-06-01 2002-04-16 Raytheon Company Optical magnetron for high efficiency production of optical radiation
US6686696B2 (en) * 2001-03-08 2004-02-03 Genvac Aerospace Corporation Magnetron with diamond coated cathode
US6525477B2 (en) 2001-05-29 2003-02-25 Raytheon Company Optical magnetron generator
JP2003272537A (ja) * 2002-03-20 2003-09-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd マグネトロン
US6831416B1 (en) * 2003-11-06 2004-12-14 L-3 Communications Corporation Inductive compensator for magnetron
US7791290B2 (en) 2005-09-30 2010-09-07 Virgin Islands Microsystems, Inc. Ultra-small resonating charged particle beam modulator
US7626179B2 (en) 2005-09-30 2009-12-01 Virgin Island Microsystems, Inc. Electron beam induced resonance
US7586097B2 (en) 2006-01-05 2009-09-08 Virgin Islands Microsystems, Inc. Switching micro-resonant structures using at least one director
US7265360B2 (en) * 2004-11-05 2007-09-04 Raytheon Company Magnetron anode design for short wavelength operation
US7245082B1 (en) * 2005-06-06 2007-07-17 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Mode seeding cathode for a relativistic magnetron
US7696696B2 (en) * 2005-08-04 2010-04-13 Stc.Unm Magnetron having a transparent cathode and related methods of generating high power microwaves
US8324811B1 (en) * 2005-08-04 2012-12-04 Stc.Unm Magnetron having a transparent cathode and related methods of generating high power microwaves
US7443358B2 (en) 2006-02-28 2008-10-28 Virgin Island Microsystems, Inc. Integrated filter in antenna-based detector
US7876793B2 (en) 2006-04-26 2011-01-25 Virgin Islands Microsystems, Inc. Micro free electron laser (FEL)
US7646991B2 (en) * 2006-04-26 2010-01-12 Virgin Island Microsystems, Inc. Selectable frequency EMR emitter
US7723698B2 (en) 2006-05-05 2010-05-25 Virgin Islands Microsystems, Inc. Top metal layer shield for ultra-small resonant structures
US8188431B2 (en) 2006-05-05 2012-05-29 Jonathan Gorrell Integration of vacuum microelectronic device with integrated circuit
US7718977B2 (en) 2006-05-05 2010-05-18 Virgin Island Microsystems, Inc. Stray charged particle removal device
US7710040B2 (en) 2006-05-05 2010-05-04 Virgin Islands Microsystems, Inc. Single layer construction for ultra small devices
US7746532B2 (en) 2006-05-05 2010-06-29 Virgin Island Microsystems, Inc. Electro-optical switching system and method
US7728702B2 (en) 2006-05-05 2010-06-01 Virgin Islands Microsystems, Inc. Shielding of integrated circuit package with high-permeability magnetic material
US7986113B2 (en) 2006-05-05 2011-07-26 Virgin Islands Microsystems, Inc. Selectable frequency light emitter
US7732786B2 (en) 2006-05-05 2010-06-08 Virgin Islands Microsystems, Inc. Coupling energy in a plasmon wave to an electron beam
US7741934B2 (en) 2006-05-05 2010-06-22 Virgin Islands Microsystems, Inc. Coupling a signal through a window
US7656094B2 (en) 2006-05-05 2010-02-02 Virgin Islands Microsystems, Inc. Electron accelerator for ultra-small resonant structures
US7728397B2 (en) 2006-05-05 2010-06-01 Virgin Islands Microsystems, Inc. Coupled nano-resonating energy emitting structures
US7679067B2 (en) 2006-05-26 2010-03-16 Virgin Island Microsystems, Inc. Receiver array using shared electron beam
US7655934B2 (en) 2006-06-28 2010-02-02 Virgin Island Microsystems, Inc. Data on light bulb
US7659513B2 (en) 2006-12-20 2010-02-09 Virgin Islands Microsystems, Inc. Low terahertz source and detector
US7990336B2 (en) 2007-06-19 2011-08-02 Virgin Islands Microsystems, Inc. Microwave coupled excitation of solid state resonant arrays
US7791053B2 (en) 2007-10-10 2010-09-07 Virgin Islands Microsystems, Inc. Depressed anode with plasmon-enabled devices such as ultra-small resonant structures
CN105428191A (zh) * 2015-12-21 2016-03-23 电子科技大学 一种利用透明阴极实现跳频工作的相对论磁控管
CN105810536B (zh) * 2016-03-31 2018-01-12 电子科技大学 采用组合式冷阴极头的磁控管及冷阴极体的生产方法
CN107068517B (zh) * 2017-03-20 2019-05-10 电子科技大学 一种磁控管配套用冷阴极及冷阴极头的生产方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB588186A (en) * 1941-08-22 1947-05-16 John Turton Randall Improvements in vacuum or low-pressure electric discharge apparatus
US3503001A (en) * 1967-09-19 1970-03-24 Varian Associates Static turnoff method and apparatus for crossed-field secondary-emission cold-cathode reentrant-system r.f. pulsed amplifiers
US3596131A (en) * 1969-05-29 1971-07-27 Varian Associates Cathode secondary emitter for crossed-field tubes
GB1449614A (en) * 1972-12-20 1976-09-15 Emi Varian Ltd Magnetrons
JPS63187537A (ja) * 1987-01-28 1988-08-03 Toshiba Corp マグネトロン
GB2238903B (en) * 1989-12-08 1994-10-19 Eev Ltd Magnetrons
US5280218A (en) * 1991-09-24 1994-01-18 Raytheon Company Electrodes with primary and secondary emitters for use in cross-field tubes
US5327094A (en) * 1992-12-11 1994-07-05 Litton Systems, Inc. Jitter suppression in crossed-field amplifier by use of field emitter
RU2115193C1 (ru) * 1994-03-22 1998-07-10 Владимир Ильич Махов Магнетрон

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100304809B1 (ko) * 1998-02-13 2001-10-19 구자홍 마그네트론의음극

Also Published As

Publication number Publication date
GB2308224B (en) 1999-02-17
US6005347A (en) 1999-12-21
DE19651233A1 (de) 1997-08-28
KR0176876B1 (ko) 1999-03-20
IN192411B (ko) 2004-04-24
CN1157470A (zh) 1997-08-20
DE19651233C2 (de) 1999-05-20
JP2905748B2 (ja) 1999-06-14
GB2308224A (en) 1997-06-18
CN1065648C (zh) 2001-05-09
GB9625822D0 (en) 1997-01-29
JPH09185948A (ja) 1997-07-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970051761A (ko) 마그네트론
US4282436A (en) Intense ion beam generation with an inverse reflex tetrode (IRT)
US7346147B2 (en) X-ray tube with cylindrical anode
KR20070026026A (ko) Ｘ 선관
HU223365B1 (hu) Eljárás világítórendszer üzemeltetésére és az ehhez alkalmas világítórendszer
JP2710913B2 (ja) Ｘ線発生管
US3397337A (en) Flash X-ray dielectric wall structure
US20030002628A1 (en) Method and system for generating an electron beam in x-ray generating devices
JP2013182868A (ja) Ｘ線管
US4352196A (en) X-Ray tube for producing a flat wide-angle fan-shaped beam of X-rays
IL24630A (en) Annular hollow cathode discharge apparatus
RU2007777C1 (ru) Магнетрон
US2363070A (en) Electric discharge device
JP2710914B2 (ja) Ｘ線発生管
Queller et al. High-current carbon-epoxy capillary cathode
JPS60502127A (ja) 改良されたシヤドウ・グリツド配列を有するデユアル・モ−ド電子銃
JPS6057182B2 (ja) 電子管
US4839554A (en) Apparatus for forming an electron beam sheet
GB708216A (en) Improvements in and relating to magnetrons
US2819426A (en) Electron discharge device
US2568552A (en) High-voltage electronic rectifier tube of the incandescent filament type
US3383536A (en) Cathode ray tube generating circular beam by lineal filament critically spaced from circular aperture
RU2145748C1 (ru) Импульсная трубка
US2653261A (en) Gas discharge device
US4293793A (en) Fluorescent display tube

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20081028

Year of fee payment: 11

LAPS Lapse due to unpaid annual fee