KR970042521A - 2-(2,4-디히드록시페닐)-4,6-비스(2,4-디메틸페닐)-s-트리아진의 제조방법 - Google Patents

2-(2,4-디히드록시페닐)-4,6-비스(2,4-디메틸페닐)-s-트리아진의 제조방법 Download PDF

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마틴 홀러
안드레 카우프만
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에른스트 알테르, 한스 페터 비틀린
시바 에스씨 아게
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    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D251/00—Heterocyclic compounds containing 1,3,5-triazine rings
    • C07D251/02—Heterocyclic compounds containing 1,3,5-triazine rings not condensed with other rings
    • C07D251/12—Heterocyclic compounds containing 1,3,5-triazine rings not condensed with other rings having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
    • C07D251/14—Heterocyclic compounds containing 1,3,5-triazine rings not condensed with other rings having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members with hydrogen or carbon atoms directly attached to at least one ring carbon atom
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Abstract

a) 하나 이상의 불활성 염소화 방향족 용매 존재하에서 염화 시아누르 몰당 2.3 내지 3.0몰 비율의 루이스산 존재하에서 하기 일반식(Ⅱ)의 염화 시아누르를 0 내지 110℃의 온도에서 염화시아누르 몰당 2.1 내지 2.5몰 비율로 하기 일반식(Ⅲ)의 1,3-크실렌과 5 내지 30시간 동안 부가에 의해 반응시켜 하기 일반식(Ⅳ)의 화합물을 생성한 다음
b) 수득한 일반식(Ⅳ)의 화합물을 단리하지 않고 이것을 0 내지 100℃의 온도에서, 염화 시아누르몰당 0.5 내지 1.0몰 비율로 레조르시놀과 반응시켜 하기 일반식(Ⅰ)의 화합물을 생성되는 것을 포함하는 하기 일반식(Ⅰ)의 2-(2,4-디히드록시페닐)-4,6-비스-(2,4-디메틸페닐)-s-트리아진의 제조방법이 기재되어 있다.

Description

2-(2,4-디히드로시페닐)-4,6-비스(2,4-디메틸페닐)-S-트리아진의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (15)

  1. a) 하나 이상의 불활성 염소화 방향족 용매 존재하에서 염화 시아누르 몰당 2.3 내지 3.0몰 비율의 루이스산 존재하에서 하기 일반식(Ⅱ)의 염화 시아누르를 0 내지 110℃의 온도에서 염화시아누르 몰당 2.1 내지 2.5몰 비율로 하기 일반식(Ⅲ)의 1,3-크실렌과 5 내지 30시간 동안 부가에 의해 반응시켜 하기 일반식(Ⅳ)의 화합물을 생성한 다음 b) 수득한 일반식(Ⅳ)의 화합물을 단리하지 않고 이것을 0 내지 100℃의 온도에서, 염화 시아누르몰당 0.5 내지 1.0몰 비율로 레조르시놀과 반응시켜 하기 일반식(Ⅰ)의 화합물을 생성되는 것을 포함하는 하기 일반식(Ⅰ)의 2-(2,4-디히드록시페닐)-4,6-비스-(2,4-디메틸페닐)-s-트리아진의 제조방법
  2. 제1항에 있어서, 공정단계 a)에서 일반식(Ⅲ)의 화합물이 2부분으로 부가되는 방법
  3. 제2항에 있어서, 먼저 0.5 내지 1.1몰 이어 2.0 내지 1.0몰의 일반식(Ⅲ)의 화합물을 부가하는 방법
  4. 제2항에 있어서, 첫 부분의 부가는 60 내지 110℃에서 실시하고 또 두 번째 부분은 20 내지 50℃에서 실시하는 방법
  5. 제1항에 있어서, 공정단계 a)에서, 0.5 내지 1.0몰의 일반식(Ⅲ)의 화합물을 60 내지 110℃에서 2내지 12시간 동안 부가한 다음 그 혼합물을 0 내지 3시간에 걸쳐 20 내지 25℃로 냉각시킨 후 2.0 내지 1.0몰의 일반식(Ⅲ)의 화합물을 20 내지 50℃ 온도 범위에서 5 내지 15시간 동안 부가하는 방법
  6. 제1항에 있어서, 공정단계 a)에서, 0.85 내지 1.0몰의 일반식(Ⅲ)의 화합물을 83 내지 87℃의 온도에서 3.5내지 4.5시간 동안 부가한 다음 그 혼합물을 1.4 내지 1.6시간에 걸쳐 33 내지 37℃로 냉각시킨 후 1.45 내지 1.3몰의 일반식(Ⅲ)의 화합물을 33 내지 37℃ 온도 범위에서 5.5 내지 6.5시간 동안 부가하는 방법
  7. 제1항에 있어서, 공정단계 a) 및 b)에서 동일한 염소화 방향족 용매를 사용하는 방법
  8. 제7항에 있어서, 공정단계 a) 및 b)에서 클로로벤젠 또는 디클로로벤젠을 사용하는 방법
  9. 제1항에 있어서, 공정단계 a)에서 루이스산을 염화 시아누르 몰당 2.4 내지 2.6몰 비율로 사용하는 방법
  10. 제9항에 있어서, 루이스산이 삼염화 알루미늄 또는 삼브롬화 알루미늄인 방법
  11. 제10항에 있어서, 루이스산이 삼염화 알루미늄인 방법
  12. 제1항에 있어서, 공정 단계 a) 및 b)에서 염화 시아누르당 0.7 내지 0.8몰의 레조르시놀을 사용하는 방법
  13. 제1항에 있어서, 공정 단계 b)에서 온도가 35 내지 80℃인 방법
  14. 제1항 내지 제13항중 어느 하나에 따라 제조된 화합물의 자외선 흡수제 또는 자외선 흡수제를 제조하기 위한 출발물질로서의 용도
  15. 하나 이상의 불활성 염소화 방향족 용매 존재하에서 염화 시아누르 몰당 2.3 내지 3.0몰 비율의 루이스산 존재하에서 하기 일반식(Ⅱ)의 염화시아누르를 0 내지 110℃의 온도에서, 염화 시아누르 몰당 2.1 내지 2.5몰 비율로 하기 일반식(Ⅲ)의 1,3-키실렌과 5 내지 30시간 동안 부가에 의해 반응시켜 하기 일반식(Ⅳ)의 화합물을 생성한 다음 수득한 일반식(Ⅳ)의 화합물을 단리하는 것을 포함하는, 하기 일반식(Ⅳ)의 화합물의 제조방법
KR1019960067059A 1995-12-14 1996-12-13 2-(2,4-디히드록시페닐)-4,6-비스(2,4-디메틸페닐)-s-트리아진의제조방법 KR100484265B1 (ko)

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