KR970030475A - 화학증착에 의해 비스(2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디오나토)아연으로부터 산화아연막을 형성하는 방법 - Google Patents
화학증착에 의해 비스(2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디오나토)아연으로부터 산화아연막을 형성하는 방법 Download PDFInfo
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Abstract
비스(2,2,6,6,-테트라메틸-3,5-헵탄디오나토) 아연을 화학증착하여 기질 위에 산화아연 막을 형성하는 것이 개시되어 있으며, 이 산화아연 막 위에 질화갈륨, 탄화규소 및 질화붕소의 막을 성장시킬 수도 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (5)
- 비스(2,2,6,6,-테트라메틸-3,5-헵탄디오나토) 아연을 화학증착하여 기질위에 산화아연 막을 형성하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 기질이 규소 웨이퍼(111)면인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 기질이 C-사파이어인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 화학증착에서 상기 비스(2,2,6,6,-테트라메틸-3,5-헵탄디오나토) 아연의 운반 기체가 산소인 것을 특징으로하는 방법.
- 비스(2,2,6,6,-테트라메틸-3,5-헵탄디오나토) 아연을 화학증착하여 기질 위에 산화아연을 막을 형성하고, 상기 산화아연 막 위에 질화갈륨, 탄화규소 또는 질학붕소 막을 추가로 형성하는 방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950041205A KR970030475A (ko) | 1995-11-14 | 1995-11-14 | 화학증착에 의해 비스(2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디오나토)아연으로부터 산화아연막을 형성하는 방법 |
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Publications (1)
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KR970030475A true KR970030475A (ko) | 1997-06-26 |
Family
ID=66587241
Family Applications (1)
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KR1019950041205A KR970030475A (ko) | 1995-11-14 | 1995-11-14 | 화학증착에 의해 비스(2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디오나토)아연으로부터 산화아연막을 형성하는 방법 |
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KR (1) | KR970030475A (ko) |
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1995
- 1995-11-14 KR KR1019950041205A patent/KR970030475A/ko not_active Application Discontinuation
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