KR970030475A - 화학증착에 의해 비스(2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디오나토)아연으로부터 산화아연막을 형성하는 방법 - Google Patents

화학증착에 의해 비스(2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디오나토)아연으로부터 산화아연막을 형성하는 방법 Download PDF

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tetramethyl
oxide film
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김윤수
이원식
김창균
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강박광
재단법인 한국화학연구소
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Abstract

비스(2,2,6,6,-테트라메틸-3,5-헵탄디오나토) 아연을 화학증착하여 기질 위에 산화아연 막을 형성하는 것이 개시되어 있으며, 이 산화아연 막 위에 질화갈륨, 탄화규소 및 질화붕소의 막을 성장시킬 수도 있다.

Description

화학증착에 의해 비스(2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디오나토)아연으로부터 산화아연막을 형성하는 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (5)

  1. 비스(2,2,6,6,-테트라메틸-3,5-헵탄디오나토) 아연을 화학증착하여 기질위에 산화아연 막을 형성하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기질이 규소 웨이퍼(111)면인 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 기질이 C-사파이어인 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 화학증착에서 상기 비스(2,2,6,6,-테트라메틸-3,5-헵탄디오나토) 아연의 운반 기체가 산소인 것을 특징으로하는 방법.
  5. 비스(2,2,6,6,-테트라메틸-3,5-헵탄디오나토) 아연을 화학증착하여 기질 위에 산화아연을 막을 형성하고, 상기 산화아연 막 위에 질화갈륨, 탄화규소 또는 질학붕소 막을 추가로 형성하는 방법.
KR1019950041205A 1995-11-14 1995-11-14 화학증착에 의해 비스(2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디오나토)아연으로부터 산화아연막을 형성하는 방법 KR970030475A (ko)

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