KR970030420A - 반도체장치의 제조과정에서 발생하는 오염입자의 제거방법 - Google Patents
반도체장치의 제조과정에서 발생하는 오염입자의 제거방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970030420A KR970030420A KR1019950042339A KR19950042339A KR970030420A KR 970030420 A KR970030420 A KR 970030420A KR 1019950042339 A KR1019950042339 A KR 1019950042339A KR 19950042339 A KR19950042339 A KR 19950042339A KR 970030420 A KR970030420 A KR 970030420A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- semiconductor device
- reaction chamber
- manufacturing process
- contaminant particles
- during
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32853—Hygiene
- H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32816—Pressure
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
본 받명은 반도체장치의 제조과정에서 발생하는 오염입자의 제거방법에 관한 것으로써, 특히 식각공정에서 반응챔버내에서 발생되는 활동성 오염입자를 제거하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 반도체장치의 제조과정에서 발생하는 오염입자의 제거방법은, 반도체장치의 제조공정중 식각공정에서 반응챔버내에서 발생되는 오염입자를 제거하기 위해 RF전력을 인가하는 반도체장치의 제조방법에 있어서, 상기 RF전력은 특정조건하에서는 0으로 인가하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 건식식각에 있어서 발생되는 활동성 오염입자를 제거하는데 있어서, RF를 인가하지 않고 일정량의 산소가스를 일정시간동안 플로우 시킨다. 이렇게 함으로써 종래 기술의 단점인 RF인가에 따른 반응챔버내벽에 부착된 폴리머가 부분적으로 박리되는 것을 극복하면서 반응챔버내의 활동성 오염입자를 제거할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (4)
- 반도체장치의 제조공정중 식각공정에서 반응챔버내에시 발생되는 오염입자를 제거하기 위해 RF전력을 인가하는 반도체장치의 제조방법에 있어서, 상기 RF전력은 특정조건하에서는 0으로 인가하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조과정에서 발생하는 오염입자의 제거방법.
- 제1항에 있어서, 상기 반응챔버내의 오염입자를 제거는 3단계에 걸쳐 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조과정에서 발생하는 오염입자의 제거방법.
- 제2항에 있어서, 상기 오염입자를 제거하는 상기 단계는 최초 실시단계와 동일하게 실사하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조과정에서 발생하는 오염입자의 제거방법.
- 제1항에 있어서, 상기 특정조건의 하나로써, 상기 반응챔버내의 압력은 30pa∼40pa로 하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조과정에서 발생하는 오염입자의 제거방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950042339A KR0161454B1 (ko) | 1995-11-20 | 1995-11-20 | 반도체장치의 제조과정에서 발생하는 오염입자의 제거방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950042339A KR0161454B1 (ko) | 1995-11-20 | 1995-11-20 | 반도체장치의 제조과정에서 발생하는 오염입자의 제거방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970030420A true KR970030420A (ko) | 1997-06-26 |
| KR0161454B1 KR0161454B1 (ko) | 1999-02-01 |
Family
ID=19434762
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950042339A KR0161454B1 (ko) | 1995-11-20 | 1995-11-20 | 반도체장치의 제조과정에서 발생하는 오염입자의 제거방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0161454B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100468700B1 (ko) * | 1997-12-30 | 2005-03-16 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치의미세패턴을형성하기위한건식식각방법 |
-
1995
- 1995-11-20 KR KR1019950042339A patent/KR0161454B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100468700B1 (ko) * | 1997-12-30 | 2005-03-16 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치의미세패턴을형성하기위한건식식각방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0161454B1 (ko) | 1999-02-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW356570B (en) | Semiconductor device fabrication method and its treating liquid for the same | |
| KR950021173A (ko) | 드라이에칭 장치의 에칭실을 클리닝하는 방법 | |
| KR950001406A (ko) | 반도체 제조용 포토레지스트 제거방법 | |
| KR970066727A (ko) | 감광막 제거 방법 | |
| KR970008377A (ko) | 반도체장치의 제조방법 및 반도체 제조장치 | |
| KR930021309A (ko) | 기판재료의 작은 지름구멍 가공방법 | |
| KR970030420A (ko) | 반도체장치의 제조과정에서 발생하는 오염입자의 제거방법 | |
| KR950024017A (ko) | 선택적 식각방법 | |
| TW324850B (en) | Manufacturing method of resin-sealed semiconductor apparatus and device thereof | |
| KR970023763A (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
| KR950027976A (ko) | 반도체 소자의 트렌치 세정 방법 | |
| KR940006206A (ko) | 플라즈마 프로세싱 챔버내의 입자제거방법 | |
| KR970063441A (ko) | 반도체 웨이퍼 재생방법 | |
| KR970008396A (ko) | 다중합체(polymer) 제거방법 | |
| KR950030233A (ko) | 포토레지스트 제거방법 | |
| KR970052639A (ko) | 반도체 소자 제조시의 수용성 물질 제거 방법 | |
| KR980005403A (ko) | 반도체 소자의 플라즈마 처리 장치 | |
| KR960012344A (ko) | 웨이퍼 습식 세정 방법 | |
| KR980011978A (ko) | 반도체 웨이퍼 습식세정방법 | |
| KR970077308A (ko) | 플라즈마 식각공정에서의 파티클(particle)제거방법 | |
| KR970063420A (ko) | 사진 공정의 웨이퍼 전처리 방법 | |
| KR950030250A (ko) | 반도체 백 그라인딩 공정시의 테이프 제거방법 | |
| KR970018160A (ko) | 반도체 웨이퍼의 폴리머 제거방법 | |
| KR980011791A (ko) | 다중 공정용 펌프 시스템 | |
| KR910008789A (ko) | 금속층위의 감광제 제거방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20060728 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |