KR970063420A - 사진 공정의 웨이퍼 전처리 방법 - Google Patents
사진 공정의 웨이퍼 전처리 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 사진 공정의 웨이퍼 전처리 방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 전처리 방법에서는 전처리부의 제1영역에서 제1소정 시간 동안 웨이퍼상의 수분 제거 및 웨이퍼 표면의 HMDS(hexamethyldisilan) 처리를 동시에 행하는 단계와, 상기 전처리부의 제2영역에서 제2소정 시간 동안 웨이퍼 표면의 HMDS 처리 및 웨이퍼 냉각 처리를 동시에 행하는 단계와, 상기 제1영역 및 제2영역에서의 처리에 소요되는 시간 동안 웨이퍼 표면에 감광제를 도포하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면 사진 공정에서 웨이퍼 전처리 공정을 효율적으로 진행함으로써 반도체 장치의 생산성을 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 웨이퍼 전처리 방법을 나타내는 플로차트.
Claims (2)
- 전처리부의 제1영역에서 제1소정 시간 동안 웨이퍼상의 수분제거 및 웨이퍼 표면의 HMDS(hexamethyldisilan) 처리를 동시에 행하는 단계와, 상기 전처리부의 제2영역에서 제2소정 시간 동안 웨이퍼 표면의 HMDS 처리 및 웨이퍼 냉각 처리를 동시에 행하는 단계와, 상기 제1영역 및 제2영역에서의 처리에 소요되는 시간 동안 웨이퍼 표면에 감광제를 도포하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 사진 공정의 웨이퍼 전처리 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1소정 시간과 제2소정 시간은 동일하게 설정되는 것을 특징으로 하는 사진 공정의 웨이퍼 전처리 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960005303A KR970063420A (ko) | 1996-02-29 | 1996-02-29 | 사진 공정의 웨이퍼 전처리 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960005303A KR970063420A (ko) | 1996-02-29 | 1996-02-29 | 사진 공정의 웨이퍼 전처리 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970063420A true KR970063420A (ko) | 1997-09-12 |
Family
ID=66222465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960005303A KR970063420A (ko) | 1996-02-29 | 1996-02-29 | 사진 공정의 웨이퍼 전처리 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970063420A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100489359B1 (ko) * | 1997-12-23 | 2005-09-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트의소비를감소시키기위한반도체장치제조방법 |
| KR100733464B1 (ko) * | 2004-10-30 | 2007-06-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조 방법 |
-
1996
- 1996-02-29 KR KR1019960005303A patent/KR970063420A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100489359B1 (ko) * | 1997-12-23 | 2005-09-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트의소비를감소시키기위한반도체장치제조방법 |
| KR100733464B1 (ko) * | 2004-10-30 | 2007-06-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조 방법 |
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