KR970029063A - 다양한 메모리 폭 및 길이를 갖는 시스템의 피지컬 어드레스 제어방법 - Google Patents

다양한 메모리 폭 및 길이를 갖는 시스템의 피지컬 어드레스 제어방법 Download PDF

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Abstract

1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술 분야
다양한 사이즈의 뱅크들을 가지는 시스템의 피지컬 어드레스 발생방법에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
어드레스 핀을 최하위 비트에서부터 어떤 사이즈라도 연결만하면 어떠한 메모리라도 확장하여 쓸 수 있게 할 수 있는 시스템의 피지컬 어드레스 제어방법을 제공함에 있다.
3. 발명의 해결방법의 요지
다양한 메모리 길이, 어드레스 범위, 메모리 폭, 데이타 사이즈를 가지는 여러 종류의 메모리들 즉 뱅크들을 사이즈에 따라 공통 연결한 시스템의 피지컬 어드레스 제어방법에 있어서; 상기 각 뱅크별로 수치 레지스터에 대한 정보를 기억하는 래지스터부로부터 상기 각 뱅크별로 비교한 뒤 선택하기 위한 비교선택신호를 발생하는 과정과, 상기 비교선택신호와 어드레스 변동신호의 카운트신호 및 상기 메모리 폭신호에 따라 피지컬 어드레스를 발생하는 과정과, 상기 메모리 길이에 의해 피지컬 어드레스인 로우 어드레스와 컬럼 어드레스 및 하위 어드레스를 발생하는 과정을 가지고, 상기 피지컬 어드레스의 응답하여 상기 뱅크들 중 원하는 뱅크를 선택하여 구동시킬 수 있음을 특징으로 한다.
4. 발명이 중요한 용도
롬, 스태틱램, 디램을 혼재하여 사용하는 시스템에 적합하게 사용된다.

Description

다양한 메모리 폭 및 길이를 갖는 시스템의 피지컬 어드레스 제어방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따라 시스템을 제어하는 피지컬 어드레스를 발생하기 위한 블럭도,
제4도는 제3도에 대한 회로 블럭도,
제5도는 제4도에 도시된 비교 및 감지회로에 대한 개념도.

Claims (4)

  1. 다양한 메모리 길이, 어드레스 범위, 메모리 폭, 데이타 사이즈를 가지는 여러 종류의 메모리들 즉 뱅크들을 사이즈에 따라 공통 연결한 시스템의 피지컬 어드레스 제어방법에 있어서; 상기 각 뱅크별로 수치 레지스터에 대한 정보를 기억하는 래지스터부로부터 상기 각 뱅크별로 비교한 뒤 선택하기 위한 비교선택신호를 발생하는 과정과, 상기 비교선택신호와 어드레스 변동신호의 카운트신호 및 상기 메모리 폭신호에 따라 피지컬 어드레스를 발생하는 과정과, 상기 메모리 길이에 의해 피지컬 어드레스인 로우 어드레스와 컬럼 어드레스 및 하위 어드레스를 발생하는 과정을 가지고, 상기 피지컬 어드레스의 응답하여 상기 뱅크들 중 원하는 뱅크를 선택하여 구동시킬 수 있음을 특징으로 하는 시스템의 피지컬 어드레스 제어방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 뱅크들은 디램과 스태틱램과 마스트 롬 및 싱글 인라인 메모리 모듈로 구성됨을 특징으로 하는 시스템의 피지컬 어드레스 제어방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 피지컬 어드레스는 바이트단위임을 특징으로 하는 시스템의 피지컬 어드레스 제어방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 카운트신호는 상기 어드레스의 변동을 감지하는 상태감지회로로부터 상기 어드레스의 변동이 있을때마다 자동발생됨을 특징으로 하는 시스템의 피지컬 어드레스 제어방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950044238A 1995-11-28 1995-11-28 다양한 메모리 폭 및 길이를 갖는 시스템의 피지컬 어드레스 제어방법 KR0154748B1 (ko)

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KR100852590B1 (ko) * 2005-12-22 2008-08-14 산요덴키가부시키가이샤 메모리 제어 회로 및 메모리 제어 방법

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