KR970024936A - 고체촬상장치 - Google Patents

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KR970024936A
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charge
gate
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에이지 고야마
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쯔지 하루오
샤프 가부시끼가이샤
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    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • H—ELECTRICITY
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Abstract

고체촬상장치는 입사광에 응하여 광전변환에 의해 신호전하를 발생하기 위한 복수의 포토다이오드를 포함한다. 이 포토다이오드둘은 1차원 배열 또는 2차원 배열로 기판상에 형성된다. 상기 포토다이오드로 부터 신호전하를 수신하고 이 신호전하를 출력부를 향해 전송하기 위해 기판상에 전하전송부가 형성된다. 또한 상기 전하전송부의 출력부로 부터 상기 신호전하를 수신하고 이 신호전하를 축적하기 위해 기판상에 전하축적영역이 형성된다. 리세트 신호에 응답하여 상기 전하축적영역의 상태를 리세팅하기 위한 리세트 회로는, 기판상에 형성되는 제 1 MOS트랜지스터를 포함하며, 이 제 1 MOS트랜지스터는 상기 전하축적영역에 접속된 소스, 상기 신호전하를 제거하기 위해 드레인 전압이 공급되는 드레인, 상기 리세트 신호에 응답하여 상기 소스를 상기 드레인에 접속하기 위한 게이트를 구비한다. 끝으로, 전압발생회로는, 동일 기판상에 형성된 적어도 제 2 MOS트랜지스터를 포함하며, 이 제 2 MOS트랜지스터는 상기 제 1 MOS트랜지스터의 게이트와 드레인간에 제1 다이오드로서 기능한다. 상기 전압발생회로는 상기 리세트 신호에 응답하여 상기 제l 다이오드의 제1 순방향전압을 발생하며, 이 제l 순방향전압을 상기 제 1 MOS트랜지스터의 게이트와 드레인간에 인가한다.

Description

고체촬상장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제l도는 본 발명에 의한 제1 실시예에 있어서의 고체촬상장치의 회로도이다,
제4도는 본 발명에 의한 제2 실시예에 있어서의 고체촬상장치의 회로도이다,
제7도는 본 발명에 의한 제3 실시예에 있어서의 고체촬상장치의 회로도이다.

Claims (9)

  1. 입사광에 응답하여 광전변환에 의해 신호전하를 발생하기 위한, 1차원 배열 또는 2차원 배열로 기판상에 형성된 복수의 포트다이오드; 상기 포토다이오드로 부티 신호전하를 수신하고 이 신호전하를 출력부를 향해 전송하기 위해 기판상에 형성된 전하전송부; 상기 전하전송부의 출력부로 부터 상기 신호전하를 수신하고 이 신호전하를 축적하기 위해 기판상에 형성된 전하축적영역; 리세트 신호에 응답하여 상기 전하축적영역의 상태를 리세팅하기 위한 리세트 회로로서, 기판상에 형성되는 제 1 MOS트랜지스터를 포함하고, 이 제 1 MOS트랜지스터는 상기 전하축적영역에 접속된 소스, 상기 신호전하를 제거하기 위한 드레인 전압이 공급되는 드레인, 상기 리세트 신호에 응답하여 상기 소스를 상기 드레인에 접속하기 위한 게이트를 구비하는, 리세트 회로; 및 동일 기판상에 형성된 적어도 제 2 MOS트랜지스터를 포함하고, 이 제 2 MOS트랜지스터는 상기 제 1 MOS트랜지스터의 게이트와 드레인간에 제1 다이오드로서 기능하는, 전압 발생회로를 포함하며, 상기 전압발생회로는 상기 리세트 신호에 응답하여 상기 제l 다이오드의 제1 순방향 전압을 발생하고, 이 제1 순방향전압을 상기 제 1 MOS트랜지스터의 게이트와 드레인간에 인가하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전압발생회로는, 제2 순방향전압을 형성하기 위해 제2 다이오드로서 기능하는 제 3 MOS트랜지스터를 더 포함하고, 상기 제1 및 제2 다이오드의 제l 및 제2 순방향전압을 이용하여 상기 제 1 MOS트랜지스터의 드레인에 인가될 전압을 발생하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제 2 MOS트랜지스터는 상기 제 1 MOS트랜지스터의 게이트에 접속된 소스, 상기 제 1 MOS트랜지스터의 드레인에 접속된 드레인 및 상기 제 2 MOS트랜지스터의 소스에 접속된 게이트를 갖고, 상기 제 2 MOS트랜지스터의 게이트와 소스에는 커패시터를 통해 리세트 클럭이 외부적으로 공급되며, 상기 제 2 MOS트랜지스터의 드레인에는 리세트 드레인 전압이 외부적으로 공급되는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 전압발생회로는, 상기 제 2 MOS트랜지스터의 소스와 상기 제 2 MOS트랜지스터의 드레인을 접속하는 저항기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  5. 제2항에 있어서, 상기 제 3 MOS트랜지스터의 게이트와 소스에는 상기 전하를 배출하기 위한 전압이 외부적으로 공급되고, 상기 제 3 MOS트랜지스터의 드레인은 상기 제 2 MOS트랜지스터의 게이트와 소스 및 상기 제 l MOS트랜지스터의 게이트에 접속되며, 상기 제 3 MOS트랜지스터의 드레인에는 커패시터를 통해 리세트 클럭이 외부적으로 공급되는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  6. 제2항에 있어서, 상기 전압발생회로는 제3 순방향전압을 형성하기 위해 제3 다이오드로서 기능하는 제 4 MOS트랜지스터를 더 포함하고, 상기 제1, 제2 및 제3 다이오드의 순방향전압들을 이용하여 상기 제 1 MOS트랜지스터의 드레인에 인가될 전압을 발생하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제 2 MOS트랜지스터는 상기 제 1 MOS트랜지스터와 동일한 임계레벨을 갖는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 제 2 MOS트랜지스터는 상기 제 1 MOS트랜지스터와 동일한 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제 2 MOS트랜지스터는 공통 제조공정 단계들에 의해 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
KR1019960039592A 1995-10-31 1996-09-13 고체촬상장치 KR100231935B1 (ko)

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JP95-284156 1995-10-31

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KR100231935B1 KR100231935B1 (ko) 1999-12-01

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