Claims (11)
반도체 기판상에 금속성의 제1전극을 형성하는 제1단계; 상기 제1전극을 미량의 산소를 함유하는 불휘발성 가스 분위기에서 열처리함으로써 제1금속 산화질화막을 형성하는 제2단계; 상기 열처리된 제1전극 표면에 유전체막을 형성하는 제3단계; 및 상기 유전체막 상에 금속성의 제2전극을 형성하는 제4단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리소자의 커패시터 제조방법.A first step of forming a metallic first electrode on the semiconductor substrate; A second step of forming a first metal oxynitride film by heat-treating the first electrode in a nonvolatile gas atmosphere containing a small amount of oxygen; A third step of forming a dielectric film on the heat treated first electrode surface; And forming a second metallic electrode on the dielectric layer.
제1항에 있어서, 상기 제4단계 후, 제2전극이 형성되어 있는 반도체 기판을 열처리함으로써 상기 유전체막과 제2전극 사이에 제2금속 산화질화막을 형성하는 공정을 추가하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리소자의 커패시터 제조방법.The semiconductor according to claim 1, further comprising a step of forming a second metal oxynitride film between the dielectric film and the second electrode by heat-treating the semiconductor substrate on which the second electrode is formed after the fourth step. A capacitor manufacturing method of a memory device.
제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2전극은 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 니오브(Nb), 텅스텐(W), 하프늄(Hf), 이트륨(Y) 및 바나듐(V)등의 천이금속 중 어느 하나, 이들 천이금속의 질화막 및 이들 천이금속의 실리사이드 중 어느 하나를 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리소자의 커패시터 제조방법.The method of claim 1, wherein the first and second electrodes are made of titanium (Ti), tantalum (Ta), niobium (Nb), tungsten (W), hafnium (Hf), yttrium (Y), vanadium (V), and the like. A method for manufacturing a capacitor of a semiconductor memory device, characterized in that it is formed using any one of transition metals, nitride films of these transition metals, and silicides of these transition metals.
제3항에 있어서, 상기 유전체막은 탄탈륨 산화막(Ta2O5), 이트륨 산화막(Y2O3), 바나듐 산화막(vanadium oxide) 및 하프늄 산화막(HfO2),니오브 산화막(Nb2O5) 및 티타늄 산화막(TiO2) 중 어느 하나로 구성된 단일막, 이들 단일막 중 하나 이상의 산화막으로 구성된 다중막 및 이들 산화막들 중 하나 이상의 산화막으로 구성된 복합조성막 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리소자의 커패시터 제조방법.The dielectric film of claim 3, wherein the dielectric film is a tantalum oxide film (Ta 2 O 5 ), an yttrium oxide (Y 2 O 3 ), a vanadium oxide (vanadium oxide) and a hafnium oxide (HfO 2 ), a niobium oxide (N b 2 O 5 ), and 1. A semiconductor memory device comprising: a single film composed of any one of titanium oxide films (TiO 2 ), a multiple film composed of one or more oxide films of these single films, and a composite film composed of one or more oxide films of these oxide films. Capacitor manufacturing method.
제1항에 있어서, 상기 제3단계 후, 오존(O3) 분위기에서 상기 유전체막을 열처리하는 공정을 추가하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리소자의 커패시터 제조방법.The method of claim 1, further comprising, after the third step, adding a heat treatment to the dielectric film in an ozone (O 3 ) atmosphere.
제1항에 있어서, 상기 제2단계는 200℃~800℃의 온도범위에서 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리소자의 커패시터 제조방법.The method of claim 1, wherein the second step is performed at a temperature in a range of 200 ° C. to 800 ° C. 6.
반도체 기판 상에 금속성의 제1전극을 형성하는 제1단계; 상기 제1전극을 불휘발성 가스 분위기에서 열처리하는 제2단계; 상기 열처리된 제1전극 표면에 유전체막을 형성하는 제3단계; 및 상기 유전체막 상에 금속성의 제2전극을 형성하는 제4단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리소자의 커패시터 제조방법.Forming a first metallic electrode on the semiconductor substrate; A second step of heat-treating the first electrode in a nonvolatile gas atmosphere; A third step of forming a dielectric film on the heat treated first electrode surface; And forming a second metallic electrode on the dielectric layer.
제7항에 있어서, 상기 제1 및 제2전극은 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 니오브(Nb), 텅스텐(W), 하프늄(Hf), 이트륨(Y) 및 바나듐(V) 등의 천이금속 중 어느 하나, 이들 천이금속의 질화막 및 이들 천이금속의 실리사이드 중 어느 하나를 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리소자의 커패시터 제조방법.The method of claim 7, wherein the first and second electrodes are made of titanium (Ti), tantalum (Ta), niobium (Nb), tungsten (W), hafnium (Hf), yttrium (Y), and vanadium (V). A method for manufacturing a capacitor of a semiconductor memory device, characterized in that it is formed using any one of transition metals, nitride films of these transition metals, and silicides of these transition metals.
제8항에 있어서, 상기 유전체막은 탄탈륨 산화막(Ta2O5), 이트륨 산화막(Y2O3), 바나듐 산화막(vanadium oxide), 하프듐 산화막(HfO2), 니오브 산화막(Nb2O5) 및 티타늄 산화막(TiO2)중 어느 하나로 구성된 단일막, 이들 산화막들 중 하나 이상의 산화막으로 구성된 다중막 및 이들 산화막들 중 하나 이상의 산화막으로 구성된 복합조성막 중 어느 하나 이상의 산화막으로 구성된 다중막 및 이들 산화막들 중 하나 이상의 산화막으로 구성된 복합조성막 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리소자의 커패시터 제조방법.The dielectric film of claim 8, wherein the dielectric film is a tantalum oxide film (Ta 2 O 5 ), an yttrium oxide (Y 2 O 3 ), a vanadium oxide (vanadium oxide), a hafdium oxide (HfO 2 ), or a niobium oxide (Nb 2 O 5 ). And a multi-layer composed of one or more oxide films of a single layer composed of any one of titanium oxide films (TiO 2 ), a multi-layer composed of one or more oxide films of these oxide films, and a composite film composed of one or more oxide films of these oxide films, and these oxide films Method for manufacturing a capacitor of a semiconductor memory device, characterized in that formed of any one of a composite composition film composed of one or more oxide films.
제8항에 있어서, 상기, 제2단계는, 헬륨(He), 질소(N2), 아르곤(Ar), 크세논(Xe) 및 암모늄(NH3) 등의 산소를 함유하지 않은 가스 분위기에서 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리소자의 커패시터 제조방법.The method of claim 8, wherein the second step is performed in a gas atmosphere containing no oxygen such as helium (He), nitrogen (N 2 ), argon (Ar), xenon (Xe), and ammonium (NH 3 ). Capacitor manufacturing method of a semiconductor memory device, characterized in that.
제10항에 있어서, 상기 가스 분위기에 1ppb-10%의 산소를 추가하여 열처리하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리소자의 커패시터 제조방법.The method of claim 10, wherein 1ppb-10% of oxygen is added to the gas atmosphere to perform heat treatment.