KR970017858A - 필드에미션 디바이스의 팁 구조 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 필드 에미션 디바이스(field emission device)에 사용되는 필드 에미터 팁의 구조 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 마스킹기법 및 실리콘(Si)등의 무거운 이온들을 이용하는 이온주입법등을 이용하여 기판자체에 실리콘등의 이온을 주입함으로써 전자를 방출하는 필드 에미터 팁을 형성한 필드 에미션 디바이스의 에미터 팁의 구조 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이를 위해, 본 발명에서는 상기 필드 에미터 팁이 상기 기판의 소정부분에 마스킹을 통해 이온이 주입되어 상기 기판자체내에 뽀쭉한 산형태로 형성된다. 본 발명의 필드 에미터 팁의 제조방법은, 기판에 이온을 주입하여 기판자체내에 필드 에미터 팁을 제조하는 제조방법에 있어서, 기판을 준비하는 단계와 상기 기판자체에 이온이 주입되는 부분을 제외하고는 포토레지스트를 입히는 마스킹단계와, 상기 포토레지스트가 입혀지지 않은 기판의 부분에 골형태로 이온을 주입하는 단계와, 상기 포토레지스트 부분의 상방에 광차단층을 입히는 단계, 및 상기 포토레지스트를 제거하기 위하여 상기 광차단층을 통해 광을 조사하여 포토레지스트부분을 현상하여 상기 기판자체내에 뽀쭉한 산형태의 필드에미터 팁을 형성하는 단계를 포함한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의하여 이온 주입에 의해 기판 자체에 형성된 필드에미션 팁을 이용한 필드에미션 디바이스의 구성도,
제3도는 본 발명의 필드에미터 팁의 제조방법을 설명하기 위한 단면도.
Claims (4)
- 기판과, 필드 에미터 팁 및 상기 필드 에미터 팁에서 전류가 방출되도록 그 주변에 전기장이 형성되도록 소정의 전압이 인가되는 다수의 게이트 전극을 구비한 필드 에미션 디바이스에 있어서, 상기 필드 에미터 팁은 상기 기판의 소정부분에 마스킹을 통해 이온이 주입되어 기판차체내에서 뽀쭉한 산형태로 형성된 것을 특징으로 하는 필드 에미션 디바이스.
- 제1항에 있어서, 상기 기판상에의 이온주입은 골형태로 주입되는 것을 특징으로 하는 필드 에미션 디바이스.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 필드 에미터 팁은 코운타입인 것을 특징으로 하는 필드 에미션 디바이스.
- 기판에 이온을 주입하여 기판자체에 필드 에미터 팁을 제조하는 제조방법에 있어서, 기판을 준비하는 단계와, 상기 기판자체에 이온이 주입되는 부분을 제외하고는 포토레지스트를 입히는 마스킹단계와, 상기 포토레지스트가 입혀지지 않는 기판의 부분에 골형태로 이온을 주입하는 단계와, 상기 포토레지스트 부분의 상방에 광차단층을 입히는 단계, 및 상기 포토레지스터를 제거하기 위하여 상기 광차단층을 통해 광을 조사하여 포토레지스트부분을 현상하여 상기 기판자체내에 뽀쭉한 산형태의 필드 에미터 팁을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 필드 에미터 팁의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
KR1019950033934A KR970017858A (ko) | 1995-09-30 | 1995-09-30 | 필드에미션 디바이스의 팁 구조 및 그 제조방법 |
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Publications (1)
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KR970017858A true KR970017858A (ko) | 1997-04-30 |
Family
ID=66582269
Family Applications (1)
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KR1019950033934A KR970017858A (ko) | 1995-09-30 | 1995-09-30 | 필드에미션 디바이스의 팁 구조 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR970017858A (ko) |
-
1995
- 1995-09-30 KR KR1019950033934A patent/KR970017858A/ko active IP Right Grant
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