KR970013166A - 금속의 표면상태 평가방법 및 반도체장치의 제조방법 - Google Patents
금속의 표면상태 평가방법 및 반도체장치의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
반도체 웨이퍼 상에 형성된 금속을 이 금속을 부식하는 이온을 함유하는 용액에 접촉시켜서 갈바노스테트에 의해 정전류전해하고, 금속의 전극저위를 측정한다. 얻어진 전류값과 피팅시간의 관계 및 임계전류값에 의거하여 금속의 표면평활성, 표면의 피막강도, 내피팅성, 금속에 함유되어 있는 미량금속의 편석량이나 농도 및 금속의 결정입도나 결정입계길이를 평가한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 관한 금속의 표면상태 평가방법에 이용하는 측정장치의 개략구성도
Claims (13)
- 금속을, 이 금속을 부식하는 이온을 함유하는 용액에 접촉시키는 용액접촉공정과, 상기 용액에 전류값이 다른 복수의 정전류를 인가하여 상기 금속을 상기 용액에 의하여 부식시키는 금속부식공정과, 상기 용액에 의하여 부식되어 있는 상기 금속의 전류값마다 전극전위를 측정하는 전극전위 측정공정과, 전류값마다 상기 전극전위에 의거하여 전류값의 변화에 대한 피팅시간의 변화율을 산출하는 변화율 산출공정과, 상기 변화율에 의거하여 상기 금속의 표면에 형성되어 있는 산화막의 용해속도를 측정하는 용해속도 측정공정을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 금속 표면상태 평가방법
- 제1항에 있어서, 상기 용해속도 측정공정에서 측정한 상기 용해속도에 의거하여 상기 금속의 표면평활성을 평가하는 평활성 평가공정을 더 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 금속 표면상태 평가방법
- 제1항에 있어서, 상기 용해속도 측정공정에서 측정한 상기 용해속도에 의거하여 상기 산화막의 피막강도를 평가하는 피막강도 평가공정을 더 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 금속 표면상태 평가방법
- 금속을, 이 금속을 부식하는 이온을 함유하는 용액에 접촉시키는 용액접촉공정과, 상기 용액에 전류값이 다른 복수의 정전류를 인가하여 상기 금속을 상기 용액에 의하여 부식시키는 금속부식공정과, 상기 용액에 의하여 부식되어 있는 상기 금속의 전류값마다 전극전위를 측정하는 전극전위 측정공정과, 전류값마다의 상기 전극전위에 의거하여 전류값과 피팅시간의 관계를 산출하는 피팅시간 산출공정과, 상기 전류값과 상기 피팅시간의 관계에 의거하여 피팅이 일어나기 시작하는 최소의 전류값인 임계전류값을 산출하는 인계전류값 산출공정과, 상기 임계전류값에 의거하여 상기 금속의 피팅성을 평가하는 피팅성 평가 공정을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 금속 표면상태 평가방법
- 제4항에 있어서, 상기 임계전류값 산출공정에서 산출한 상기 임계전류값에 의거하여 상기 금속의 결정입도 또는 결정입계길이를 평가하는 결정입도 또는 결정입계길이 평가공정을 더 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 금속 표면상태 평가방법
- 미량의 금속이 첨가된 합금을 이 합금을 부식하는 이온을 함유하는 용액에 접촉시키는 용액접촉공정과, 상기 용액에 전류값이 다른 복수의 정전류를 인가하여 상기 합금을 상기 용액에 의하여 부식시키는 합금부식 공정과, 상기 용액에 의하여 부식되어 있는 상기 합금의 전류값마다 전극전위를 측정하는 전극전위 측정공정과, 전류값 마다의 상기 전극전위에 의거하여 전류값과 피팅시간의 관계를 산출하는 피팅시간 산출공정과, 상기 전류값과 상기 피팅시간의 관계에 의거하여 피팅이 일어나기 시작하는 최소의 전류값인 임계전류값을 산출하는 임계전류값 산출공정과, 상기 임계전류값에 의거하여 상기 합금중의 금속의 편석량 또는 농도를 평가하는 편석량 또는 농도평가공정을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 금속 표면상태 평가방법
- 금속박막을, 이 금속박막을 부식하는 이온을 함유하는 용액에 접촉시키는 용액접촉공정과, 상기 용액에 전류값이 다른 복수의 정전류를 인가하여 상기 금속박막을 상기 용액에 의하여 부식시키는 금속박막 부식공정과, 상기 용액에 의하여 부식되어 있는 상기 금속박막의 전류값마다 전극전위를 측정하는 전극전위 측정공정과, 전류값마다 상기 전극전위에 의거하여 전류값과 피팅시간의 관계를 산출하는 피팅시간 산출공정과, 전류값마다 상기 전극전위에 의거하여 전류값의 변화에 대한 피팅시간의 변화율을 산출하는 변화율 산출공정과, 상기 전류값과 상기 피팅시간의 관계에 의거하여 피팅이 일어나기 시작하는 최소의 전류값인 임계전류값을 산출하는 임계전류값 산출공정과, 상기 변화율 및 임계전류값에 의거하여 상기 금속 박막의 내부식성을 평가하는 내부식성 평가공정을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 금속 표면상태 평가방법
- 금속을, 이금속을 부식하는 이온을 함유하는 용액에 접촉시키는 용액접촉공정과, 상기 용액에 정전위를 인가하여 상기 금속을 상기 용액에 의하여 부식시키는 금속부식공정과, 상기 용액에 의하여 부식되어 있는 상기 금속의 부식전류의 시간경과변화를 측정하는 부식전류 측정공정과, 상기 부식전류의 시간경과변화에 의거하여 피팅이 발생하고 있지 않은 시간인 무피팅시간을 측정하는 무피팅시간 측정공정과, 상기 무피팅시간에 의거하여 상기 금속의 표면에 형성되어 있는 산화막의 피막강도를 평가하는 피막강도 평가공정을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 금속 표면상태 평가방법
- 제8항에 있어서, 상기 금속부식공정에서 인가하는 정전위는 상기 금속의 자연전극전위의 근방인 것을 특징으로 하는 금속 표면상태 평가방법
- 금속을, 이 금속을 부식하는 이온을 함유하는 용액에 접촉시키는 용액접촉공정과, 상기 용액에 정전위를 인가하여 상기 금속을 상기 용액에 의하여 부식시키는 금속부식공정과, 상기 용액에 의하여 부식되어 있는 상기 금속의 부식전류의 최대값인 최대부식전류를 측정하는 최대부식전류 측정공정과, 상기 최대부식전류에 의거하여 상기 금속의 내부식성을 평가하는 공정을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 금속 표면상태 평가방법
- 제10항에 있어서, 상기 금속부식공정에서 인가하는 정전위는 상기 금속의 자연전극전위의 근방인 것을 특징으로 하는 금속 표면상태 평가방법
- 반도체 기판상에 금속박막을 소정의 퇴적조건으로 형성하는 금속박막 형성공정과, 상기 금속박막을, 이 금속박막을 부식하는 이온을 함유하는 용액에 접촉시키는 용액접촉공정과, 상기 용액에 전류값이 다른 복수의 정전류를 인가하여 상기 금속박막을 상기 용액에 의하여 부식시키는 금속박막 부식공정과, 상기 용액에 의하여 부식되어 있는 상기 금속박막의 전류값마다 전극전위를 측정하는 전극전위 측정공정과, 전류값마다 상기 전극전위에 의거하여 전류값과 피팅시간의 관계를 산출하는 피팅시간 산출공정과, 전류값마다 상기 전극전위에 의거하여 전류값의 변화에 대한 피팅시간의 변화율을 산출하는 변화율 산출공정과, 상기 전류값과 상기 피팅시간의 관계에 의거하여 피팅이 일어나기 시작하는 최소의 전류값인 임계전류값을 산출하는 임계전류값 산출공정과, 상기 변화율 및 임계전류값에 의거하여 상기 금속박막의 표면상태를 평가하고, 이 평가에 의거하여 상기 금속박막 형성공정에서의 상기 소정의 퇴적조건의 적합, 부적합을 판단하는 퇴적조건 판단공정을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
- 반도체 기판상에 금속배선을 형성하는 공정과, 상기 금속배선 상에 산화피막을 형성하는 공정과, 상기 산화피막이 형성된 금속배선을, 이 금속배선을 부식하는 이온을 함유하는 용액에 접촉시키는 용액접촉공정과, 상기 용액에 전류값이 다른 복수의 정전류를 인가하여 상기 금속배선을 상기 용액에 의하여 부식시키는 금속배선 부식공정과, 상기 용액에 의하여 부식되어 있는 상기 금속배선의 전류값마다 전극전위를 측정하는 전극전위 측정공정과, 전류값마다 상기 전극전위에 의거하여 전류값의 변화에 대한 피팅시간의 변화율을 산출하는 변화율 산출공정과, 상기 변화율에 의거하여 상기 산화피막의 내부식성을 평가하는 내부식성 평가공정과, 상기 산화피막의 내부식성을 소정의 기준과 비교하고, 상기 산화피막의 내부식성이 상기 소정의 기준을 만족하지 않을 때는 이 산화피막을 제거하여 새로운 산화피막을 형성하는 한편, 상기 산화피막의 내부식성이 상기 소정의 기준을 만족할 때에는 이 산화피막이 형성되어 있는 상기 반도체 기판에 대하여 다음 공정의 처리를 실행하는 산화피막 양, 불량 판정공정을 구비하고 있는 것을 박막 형성공정과, 상기 금속박막을, 이 금속박막을 부식하는 이온을 함유하는 용액에 접촉시키는 용액접촉공정과, 상기 용액에 전류값이 다른 복수의 정전류를 인가하여 상기 금속박막을 상기 용액에 의하여 부식시키는 금속박막 부식공정과, 상기 용액에 의하여 부식되어 있는 상기 금속박막의 전류값마다 전극전위를 측정하는 전극전위 측정공정과, 전류값마다 상기 전극전위에 의거하여 전류값과 피팅시간의 관계를 산출하는 피팅시간 산출공정과, 전류값마다 상기 전극전위에 의거하여 전류값의 변화에 대한 피팅시간의 변화율을 산출하는 변화율 산출공정과, 상기 전류값과 상기 피팅시간의 관계에 의거하여 피팅이 일어나기 시작하는 최소의 전류값인 임계전류값을 산출하는 임계전류값 산출공정과, 상기 변화율 및 임계전류값에 의거하여 상기 금속박막의 표면상태를 평가하고, 이 평가에 의거하여 상기 금속박막 형성공정에서의 상기 소정의 퇴적조건의 적합 부적합을 판단하는 퇴적조건 판단공정을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법
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