JPH0954061A - Ａｌ−Ｃｕ系合金薄膜の膜質評価方法 - Google Patents
Ａｌ−Ｃｕ系合金薄膜の膜質評価方法Info
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- JPH0954061A JPH0954061A JP20561395A JP20561395A JPH0954061A JP H0954061 A JPH0954061 A JP H0954061A JP 20561395 A JP20561395 A JP 20561395A JP 20561395 A JP20561395 A JP 20561395A JP H0954061 A JPH0954061 A JP H0954061A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ａｌ−Ｃｕ系合金薄膜の耐腐食性を定量的に
評価する。 【解決手段】 Ａｌ−Ｃｕ系合金薄膜３のハロゲン酸水
溶液中における自然電位の経時変化を測定することによ
り、Ａｌ−Ｃｕ合金薄膜３表面の酸化皮膜耐圧強度およ
び銅の偏析量の差によるＡｌ−Ｃｕ系合金薄膜３の腐食
性を評価する。また、強制的に電流を流し、Ｃｕイオン
を添加して測定を行う。
評価する。 【解決手段】 Ａｌ−Ｃｕ系合金薄膜３のハロゲン酸水
溶液中における自然電位の経時変化を測定することによ
り、Ａｌ−Ｃｕ合金薄膜３表面の酸化皮膜耐圧強度およ
び銅の偏析量の差によるＡｌ−Ｃｕ系合金薄膜３の腐食
性を評価する。また、強制的に電流を流し、Ｃｕイオン
を添加して測定を行う。
Description
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体プロセス、
液晶プロセス、ならびに実装分野で用いられるＡｌ−Ｃ
ｕ系合金薄膜の膜質評価方法に関するものである。
液晶プロセス、ならびに実装分野で用いられるＡｌ−Ｃ
ｕ系合金薄膜の膜質評価方法に関するものである。
【従来の技術】金属配線の線幅の微細化が進むにつれ、
エレクトロマイグレーションによる断線不良を防止する
ために、近年Ａｌ−Ｃｕ系合金薄膜が半導体分野の金属
配線材料として多用されてきている。これは、ＣｕがＡ
ｌの粒界に析出し、Ａｌの原子の移動を防止することが
できることを利用するためである。しかしながら、上記
のＡｌ−Ｃｕ系合金は、Ｃｕがカソードとして機能しカ
ソード電流が流れてしまうため、従来のＡｌ−Ｓｉ系配
線材料に比べ酸やアルカリに対する腐食性が高い材料で
ある。一方、通常の配線形成工程で使用される薬剤、た
とえば、ドライエッチングには塩素系ガスが利用されて
おり、このドライエッチング工程において使用される塩
素系ガスの残留分は、その後の洗浄工程において水と反
応し塩酸に変化する。上記の塩酸と洗浄工程において用
いられる濃硝酸などにより上記のＡｌ−Ｃｕ系合金から
なる配線材料に不良が発生し、最終的には断線をきた
す。そして、このことは結果的に製品の信頼性を低下す
ることに結びつく。ここで、上記したような配線形成工
程における腐食発生の検査方法として第１に目視検査、
第２に信頼性加速試験が挙げられる。
エレクトロマイグレーションによる断線不良を防止する
ために、近年Ａｌ−Ｃｕ系合金薄膜が半導体分野の金属
配線材料として多用されてきている。これは、ＣｕがＡ
ｌの粒界に析出し、Ａｌの原子の移動を防止することが
できることを利用するためである。しかしながら、上記
のＡｌ−Ｃｕ系合金は、Ｃｕがカソードとして機能しカ
ソード電流が流れてしまうため、従来のＡｌ−Ｓｉ系配
線材料に比べ酸やアルカリに対する腐食性が高い材料で
ある。一方、通常の配線形成工程で使用される薬剤、た
とえば、ドライエッチングには塩素系ガスが利用されて
おり、このドライエッチング工程において使用される塩
素系ガスの残留分は、その後の洗浄工程において水と反
応し塩酸に変化する。上記の塩酸と洗浄工程において用
いられる濃硝酸などにより上記のＡｌ−Ｃｕ系合金から
なる配線材料に不良が発生し、最終的には断線をきた
す。そして、このことは結果的に製品の信頼性を低下す
ることに結びつく。ここで、上記したような配線形成工
程における腐食発生の検査方法として第１に目視検査、
第２に信頼性加速試験が挙げられる。
【発明が解決しようとする課題】まず、第１に挙げられ
る工程処理後のウエハーの顕微鏡による目視検査につい
てであるが、この目視検査では、断線等の完全な不良を
発見するものであり、どのように腐食が進行しているか
（言い換えれば腐食速度）をみることは一般に不可能で
あり、目視検査では腐食が生じた後しか評価することは
できなかった。これに対して、もし腐食時間とともに目
視を行なって腐食の進行状態を見極めようとすると、莫
大な時間を要するという新たな問題点を生じる。つぎ
に、第２に挙げられる温度や湿度に関しての負荷をかけ
た信頼性加速試験についてであるが、この試験は通常数
百時間を必要としていた。したがって、信頼性加速試験
では製造工程が終了した後でしか腐食性を評価できない
ため、配線形成工程に対するフィードバックが不充分で
あり、腐食に対する工程管理や対策が不可能であるとい
う課題を有していた。そこで本発明は、短時間で材料
（特にＡｌ−Ｃｕ合金）の腐食速度および腐食性を測定
することができるＡｌ−Ｃｕ系合金薄膜の膜質評価方法
を提供することを目的とする。上記の目的を達成するこ
とができれば、半導体装置の製造インラインで配線の腐
食をモニターすることが可能になる。
る工程処理後のウエハーの顕微鏡による目視検査につい
てであるが、この目視検査では、断線等の完全な不良を
発見するものであり、どのように腐食が進行しているか
（言い換えれば腐食速度）をみることは一般に不可能で
あり、目視検査では腐食が生じた後しか評価することは
できなかった。これに対して、もし腐食時間とともに目
視を行なって腐食の進行状態を見極めようとすると、莫
大な時間を要するという新たな問題点を生じる。つぎ
に、第２に挙げられる温度や湿度に関しての負荷をかけ
た信頼性加速試験についてであるが、この試験は通常数
百時間を必要としていた。したがって、信頼性加速試験
では製造工程が終了した後でしか腐食性を評価できない
ため、配線形成工程に対するフィードバックが不充分で
あり、腐食に対する工程管理や対策が不可能であるとい
う課題を有していた。そこで本発明は、短時間で材料
（特にＡｌ−Ｃｕ合金）の腐食速度および腐食性を測定
することができるＡｌ−Ｃｕ系合金薄膜の膜質評価方法
を提供することを目的とする。上記の目的を達成するこ
とができれば、半導体装置の製造インラインで配線の腐
食をモニターすることが可能になる。
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するために、ハロゲン酸化水溶液中でのＡｌ−Ｃｕ系
合金薄膜の自然電位の経時変化を測定し、さらに自然電
位における振動を伴うアノード側シフトを示す第１の領
域および第１の領域に続く酸化膜の孔食による一定電位
を中心とした微細な振幅を示す第２の領域の有無と継続
時間を測定するすることにより、Ａｌ−Ｃｕ系合金薄膜
の膜質、つまりＡｌ−Ｃｕ系合金薄膜の腐食性を短時間
かつ定量的に評価する。上記の構成によると、腐食の進
行状態を自然電位の変化から読み取ることが可能とな
り、Ａｌ−Ｃｕ系合金薄膜の腐食速度や腐食性（どれだ
け腐食しやすいか）を短時間で測定することができる。
成するために、ハロゲン酸化水溶液中でのＡｌ−Ｃｕ系
合金薄膜の自然電位の経時変化を測定し、さらに自然電
位における振動を伴うアノード側シフトを示す第１の領
域および第１の領域に続く酸化膜の孔食による一定電位
を中心とした微細な振幅を示す第２の領域の有無と継続
時間を測定するすることにより、Ａｌ−Ｃｕ系合金薄膜
の膜質、つまりＡｌ−Ｃｕ系合金薄膜の腐食性を短時間
かつ定量的に評価する。上記の構成によると、腐食の進
行状態を自然電位の変化から読み取ることが可能とな
り、Ａｌ−Ｃｕ系合金薄膜の腐食速度や腐食性（どれだ
け腐食しやすいか）を短時間で測定することができる。
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態におけ
るＡｌ−Ｃｕ系合金薄膜の膜質評価方法について図面を
参照しながら説明する。図１は測定の対象となるＡｌ−
Ｃｕ系合金薄膜測定試料の断面図、図２はその平面図を
示したものである。図１および図２において、例えば、
膜厚６００ｎｍの熱酸化膜２を形成したシリコン基板１
上に１μｍの膜厚を有するＡｌ−１％Ｓｉ−０．５％Ｃ
ｕ薄膜からなるＡｌ−Ｃｕ系合金薄膜３をスパッタリン
グにより堆積したウエハーを２０×６０ｍｍの短冊状に
切断し、１０×１０ｍｍの評価部５以外を絶縁性塗料ま
たはフッ素樹脂テープ等の絶縁材４を用いて被覆したも
のを測定試料とする。上記の図１および図２に示す測定
試料の自然電位の経時変化を図３に示す公知の電気化学
測定系と測定セルを用いて計測する。例えば１．０ｍｏ
ｌ／ｌ程度の高濃度塩酸水溶液における自然電位の経時
変化をポテンシオスタットによって計測する。図３にお
いて、６は測定試料、７は参照電極、８は対極、９は測
定セル、１０はポテンシオスタット、１１はデータ処理
装置、１２はプリンタである。上記のように構成された
測定装置により得られた測定結果の代表例を図４に示
す。なお、本実施の形態では、上記した１．０ｍｏｌ／
ｌ程度の高濃度塩酸水溶液によりＡｌ−Ｃｕ系合金薄膜
が腐食されることが必須の要件である。図４から明らか
なように、自然電位の経時変化は、概ね３つの領域に分
類することができ、以下では、この３つの領域において
生じている現象を詳細に説明する。まず、領域１はスパ
ッタ膜であるＡｌ−Ｃｕ系合金薄膜のアルミナ酸化皮膜
の耐圧が塩酸による皮膜変性によって徐々に劣化してい
く過程と偏析した銅表面が活性化する過程であり、その
様子を図５（ａ）に示す。図５（ａ）において、アルミ
ナ酸化皮膜１６の腐食が進行してその厚みが少なくなる
と、Ａｌの結晶粒界１３上に偏析したＣｕ１４の表面が
露出する。つぎに、領域２は偏析した銅とスパッタ膜で
あるＡｌ−Ｃｕ系合金薄膜との間で形成される局所電池
により発生する電位差によるアルミナ酸化皮膜の耐圧破
壊によって開始されるアルミの溶解による腐食過程に対
応し、その様子を図５（ｂ）に示す。アルミナ酸化皮膜
１６の腐食がさらに進行すると、図５（ｂ）に示すよう
に、アルミナ酸化皮膜１６の一部が完全に欠落してしま
い、開口部１５においてＡｌの表面が露出する。最後
に、領域３は塩酸によるアルミナ酸化皮膜１６の皮膜変
性がさらに進行し、アルミナ酸化皮膜１６が溶解して金
属表面（Ａｌ−Ｃｕ系合金薄膜表面）が露出しアルミが
溶解することによる腐食過程である。すなわち、上記の
図５（ｂ）における開口部１５が多数存在する状態であ
る。ここで、上記の領域１の継続時間はアルミナ酸化皮
膜１６の強度が大きいほど、また、銅の偏析が少ないほ
ど長くなり、また領域２の継続時間は銅の偏析が多いほ
ど長くなる。したがって、領域１と領域２の継続時間を
測定することにより、Ａｌ−Ｃｕ系合金薄膜の腐食性を
定量的に評価することができる。すなわち、領域１の時
間が長いと腐食されにくいことになり、領域２の時間が
長いと腐食されやすいことになる。また、アルミナ酸化
皮膜の緻密さならびに強度を評価する手段として、腐食
反応が顕著とならない程度の低濃度塩酸水溶液（０．１
ｍｏｌ／ｌ）中において、１μＡ／ｃｍ2 程度の定電流
電解を行った際の薄膜の電位の経時変化、ならびに１０
-4ｍｏｌ／ｌ程度の銅イオン共存下での薄膜の自然電位
の経時変化を測定することによっても薄膜の腐食性を評
価可能である。これは、強制的に電流を流した点に特徴
がある。この場合、領域１の継続時間が長いほど、アル
ミナ酸化皮膜の緻密さ、強度は大きく耐腐食性の高い薄
膜と判断できる。また定電流電解の場合、アルミナ酸化
皮膜の破壊耐圧の電位で電流が生じるため、電位の経時
変化の測定からアルミナ酸化皮膜の真性耐圧および、耐
圧劣化速度を見積もることも可能である。さらに、上記
の電流を強制的に流さない例では、１．０ｍｏｌ／ｌ程
度の高濃度塩酸水溶液によりＡｌ−Ｃｕ系合金薄膜が腐
食されることが必須の要件であり、この濃度が小さすぎ
ると腐食が進行しないが、強制的に電流を流すことによ
りどのようなＡｌ−Ｃｕ系合金薄膜であっても腐食が進
行するため、腐食性および腐食速度を測定することがで
きるとともに、腐食速度が速くなるため、測定時間をさ
らに短縮することができる。また、銅イオン共存下での
評価では、銅イオンはアルミナ酸化皮膜の欠陥部に析出
し、皮膜の耐圧破壊を誘起する（すなわち、図５におい
てアルミナ酸化皮膜１６が突き破られ、開口部１５が形
成されるのを促進する）ため、領域１での電位のアノー
ドシフトと継続時間によって、アルミナ酸化皮膜の欠陥
密度を見積もることも可能となる。なお、本発明ではハ
ロゲン酸水溶液として塩酸を腐食を行う溶液として用い
たが、これに限らず、フッ素等のたのハロゲン元素を含
むハロゲン酸水溶液であればよい。
るＡｌ−Ｃｕ系合金薄膜の膜質評価方法について図面を
参照しながら説明する。図１は測定の対象となるＡｌ−
Ｃｕ系合金薄膜測定試料の断面図、図２はその平面図を
示したものである。図１および図２において、例えば、
膜厚６００ｎｍの熱酸化膜２を形成したシリコン基板１
上に１μｍの膜厚を有するＡｌ−１％Ｓｉ−０．５％Ｃ
ｕ薄膜からなるＡｌ−Ｃｕ系合金薄膜３をスパッタリン
グにより堆積したウエハーを２０×６０ｍｍの短冊状に
切断し、１０×１０ｍｍの評価部５以外を絶縁性塗料ま
たはフッ素樹脂テープ等の絶縁材４を用いて被覆したも
のを測定試料とする。上記の図１および図２に示す測定
試料の自然電位の経時変化を図３に示す公知の電気化学
測定系と測定セルを用いて計測する。例えば１．０ｍｏ
ｌ／ｌ程度の高濃度塩酸水溶液における自然電位の経時
変化をポテンシオスタットによって計測する。図３にお
いて、６は測定試料、７は参照電極、８は対極、９は測
定セル、１０はポテンシオスタット、１１はデータ処理
装置、１２はプリンタである。上記のように構成された
測定装置により得られた測定結果の代表例を図４に示
す。なお、本実施の形態では、上記した１．０ｍｏｌ／
ｌ程度の高濃度塩酸水溶液によりＡｌ−Ｃｕ系合金薄膜
が腐食されることが必須の要件である。図４から明らか
なように、自然電位の経時変化は、概ね３つの領域に分
類することができ、以下では、この３つの領域において
生じている現象を詳細に説明する。まず、領域１はスパ
ッタ膜であるＡｌ−Ｃｕ系合金薄膜のアルミナ酸化皮膜
の耐圧が塩酸による皮膜変性によって徐々に劣化してい
く過程と偏析した銅表面が活性化する過程であり、その
様子を図５（ａ）に示す。図５（ａ）において、アルミ
ナ酸化皮膜１６の腐食が進行してその厚みが少なくなる
と、Ａｌの結晶粒界１３上に偏析したＣｕ１４の表面が
露出する。つぎに、領域２は偏析した銅とスパッタ膜で
あるＡｌ−Ｃｕ系合金薄膜との間で形成される局所電池
により発生する電位差によるアルミナ酸化皮膜の耐圧破
壊によって開始されるアルミの溶解による腐食過程に対
応し、その様子を図５（ｂ）に示す。アルミナ酸化皮膜
１６の腐食がさらに進行すると、図５（ｂ）に示すよう
に、アルミナ酸化皮膜１６の一部が完全に欠落してしま
い、開口部１５においてＡｌの表面が露出する。最後
に、領域３は塩酸によるアルミナ酸化皮膜１６の皮膜変
性がさらに進行し、アルミナ酸化皮膜１６が溶解して金
属表面（Ａｌ−Ｃｕ系合金薄膜表面）が露出しアルミが
溶解することによる腐食過程である。すなわち、上記の
図５（ｂ）における開口部１５が多数存在する状態であ
る。ここで、上記の領域１の継続時間はアルミナ酸化皮
膜１６の強度が大きいほど、また、銅の偏析が少ないほ
ど長くなり、また領域２の継続時間は銅の偏析が多いほ
ど長くなる。したがって、領域１と領域２の継続時間を
測定することにより、Ａｌ−Ｃｕ系合金薄膜の腐食性を
定量的に評価することができる。すなわち、領域１の時
間が長いと腐食されにくいことになり、領域２の時間が
長いと腐食されやすいことになる。また、アルミナ酸化
皮膜の緻密さならびに強度を評価する手段として、腐食
反応が顕著とならない程度の低濃度塩酸水溶液（０．１
ｍｏｌ／ｌ）中において、１μＡ／ｃｍ2 程度の定電流
電解を行った際の薄膜の電位の経時変化、ならびに１０
-4ｍｏｌ／ｌ程度の銅イオン共存下での薄膜の自然電位
の経時変化を測定することによっても薄膜の腐食性を評
価可能である。これは、強制的に電流を流した点に特徴
がある。この場合、領域１の継続時間が長いほど、アル
ミナ酸化皮膜の緻密さ、強度は大きく耐腐食性の高い薄
膜と判断できる。また定電流電解の場合、アルミナ酸化
皮膜の破壊耐圧の電位で電流が生じるため、電位の経時
変化の測定からアルミナ酸化皮膜の真性耐圧および、耐
圧劣化速度を見積もることも可能である。さらに、上記
の電流を強制的に流さない例では、１．０ｍｏｌ／ｌ程
度の高濃度塩酸水溶液によりＡｌ−Ｃｕ系合金薄膜が腐
食されることが必須の要件であり、この濃度が小さすぎ
ると腐食が進行しないが、強制的に電流を流すことによ
りどのようなＡｌ−Ｃｕ系合金薄膜であっても腐食が進
行するため、腐食性および腐食速度を測定することがで
きるとともに、腐食速度が速くなるため、測定時間をさ
らに短縮することができる。また、銅イオン共存下での
評価では、銅イオンはアルミナ酸化皮膜の欠陥部に析出
し、皮膜の耐圧破壊を誘起する（すなわち、図５におい
てアルミナ酸化皮膜１６が突き破られ、開口部１５が形
成されるのを促進する）ため、領域１での電位のアノー
ドシフトと継続時間によって、アルミナ酸化皮膜の欠陥
密度を見積もることも可能となる。なお、本発明ではハ
ロゲン酸水溶液として塩酸を腐食を行う溶液として用い
たが、これに限らず、フッ素等のたのハロゲン元素を含
むハロゲン酸水溶液であればよい。
【発明の効果】本発明によるＡｌ−Ｃｕ系合金薄膜の膜
質評価方法は、半導体プロセスで用いられる配線材料の
Ａｌ−Ｃｕ系合金薄膜の耐腐食性を定量的に評価するこ
とを可能とするため、薄膜堆積工程の管理や条件最適
化、配線材料の材質、組成の最適化を容易に実現し、半
導体製造のプロセスインラインで膜質の測定が可能とな
り、半導体製造の歩留り向上に寄与する。
質評価方法は、半導体プロセスで用いられる配線材料の
Ａｌ−Ｃｕ系合金薄膜の耐腐食性を定量的に評価するこ
とを可能とするため、薄膜堆積工程の管理や条件最適
化、配線材料の材質、組成の最適化を容易に実現し、半
導体製造のプロセスインラインで膜質の測定が可能とな
り、半導体製造の歩留り向上に寄与する。
【図１】本発明の実施の形態における膜質評価方法に用
いるＡｌ−Ｃｕ系合金薄膜測定試料の断面図である。
いるＡｌ−Ｃｕ系合金薄膜測定試料の断面図である。
【図２】本発明の実施の形態における膜質評価方法に用
いるＡｌ−Ｃｕ系合金薄膜測定試料の平面図である。
いるＡｌ−Ｃｕ系合金薄膜測定試料の平面図である。
【図３】本発明の実施の形態における膜質評価方法に用
いる測定装置の概略図である。
いる測定装置の概略図である。
【図４】本発明の実施の形態における膜質評価の際の自
然電位の変化を示す図である。
然電位の変化を示す図である。
【図５】本発明の実施の形態における膜質評価の際のＡ
ｌ−Ｃｕ系合金薄膜測定試料の断面図である。
ｌ−Ｃｕ系合金薄膜測定試料の断面図である。
１ シリコン基板 ２ 熱酸化膜 ３ Ａｌ−Ｃｕ系合金薄膜 ４ 絶縁材 ５ 評価部 ６ 測定試料 ７ 参照電極 ８ 対極 ９ 測定セル １０ ポテンシオスタット １１ データ処理装置 １２ プリンタ １３ 粒界 １４ 偏析したＣｕ １５ 開口部 １６ アルミナ酸化皮膜
Claims (3)
- 【請求項１】 表面に酸化膜が形成されたＡｌ−Ｃｕ系
合金薄膜の表面をハロゲン酸水溶液中に浸し自然電位の
経時変化を測定する過程と、前記自然電位における振動
を伴うアノード側シフトを示す第１の領域および前記第
１の領域に続く前記酸化膜の孔食による一定電位を中心
とした微細な振幅を示す第２の領域の有無と継続時間を
測定する過程と、前記第１および第２の領域の継続時間
から前記Ａｌ−Ｃｕ合金薄膜の耐腐食性および腐食速度
を評価する過程とを含むことを特徴とするＡｌ−Ｃｕ合
金薄膜の膜質評価方法。 - 【請求項２】 ハロゲン酸水溶液中に定電流を供給する
ことを特徴とする請求項１記載のＡｌ−Ｃｕ合金薄膜の
膜質評価方法。 - 【請求項３】 ハロゲン酸水溶液中にＣｕイオンを添加
したことを特徴とする請求項１記載のＡｌ−Ｃｕ合金薄
膜の膜質評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20561395A JPH0954061A (ja) | 1995-08-11 | 1995-08-11 | Ａｌ−Ｃｕ系合金薄膜の膜質評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20561395A JPH0954061A (ja) | 1995-08-11 | 1995-08-11 | Ａｌ−Ｃｕ系合金薄膜の膜質評価方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0954061A true JPH0954061A (ja) | 1997-02-25 |
Family
ID=16509783
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20561395A Pending JPH0954061A (ja) | 1995-08-11 | 1995-08-11 | Ａｌ−Ｃｕ系合金薄膜の膜質評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0954061A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003091709A1 (fr) * | 2002-04-26 | 2003-11-06 | Babcock-Hitachi K.K. | Procede pour generer et faire croitre des fissures par corrosion sous contrainte dans un echantillon |
| CN1297812C (zh) * | 2004-11-18 | 2007-01-31 | 上海交通大学 | 薄膜材料及器件耐腐蚀性能的电阻变化率检测方法 |
-
1995
- 1995-08-11 JP JP20561395A patent/JPH0954061A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003091709A1 (fr) * | 2002-04-26 | 2003-11-06 | Babcock-Hitachi K.K. | Procede pour generer et faire croitre des fissures par corrosion sous contrainte dans un echantillon |
| ES2281229A1 (es) * | 2002-04-26 | 2007-09-16 | Babcock-Hitachi K.K. | Metodo para hacer que se genere y crezca en una muestra el agrietamiento por corrosion intergranular bajo tension. |
| US7416623B2 (en) | 2002-04-26 | 2008-08-26 | Babcock-Hitachi K.K. | Method of causing intergranular stress corrosion crack to generate and grow in sample |
| CN1297812C (zh) * | 2004-11-18 | 2007-01-31 | 上海交通大学 | 薄膜材料及器件耐腐蚀性能的电阻变化率检测方法 |
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