KR970008390A - 습식처리방법 및 처리장치 - Google Patents
습식처리방법 및 처리장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970008390A KR970008390A KR1019960028014A KR19960028014A KR970008390A KR 970008390 A KR970008390 A KR 970008390A KR 1019960028014 A KR1019960028014 A KR 1019960028014A KR 19960028014 A KR19960028014 A KR 19960028014A KR 970008390 A KR970008390 A KR 970008390A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- water
- cleaning
- electrolytic
- anode
- wet processing
- Prior art date
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
- B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67046—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B2203/00—Details of cleaning machines or methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B2203/005—Details of cleaning machines or methods involving the use or presence of liquid or steam the liquid being ozonated
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
본 발명의 목적은 피처리물을 세정할 때에, 필요 최소한의 약품사용량으로 또 필요 최소한의 공정으로, 또한 종래보다 높은 세정도로 습식처리할 수 있는 습식처리방법 및 처리장치를 제공하는데 있는 것으로, 특히 Ce제거능력이 우수하다.
피처리물을, 소정의 전기분해장치에 순수 또는 초순수를 도입하여 전해시켜 얻은 양극수 또는 음극수를 사용하여 습식처리하는 방법으로, 습식처리는 상기 양극수 또는 음극수에 소정의 전해질을 첨가한 후에 30㎑ 이상의 초음파를 조사하면서 행하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (18)
- 소정의 전기분해장치에 순수 또는 초순수를 도입하고 전해시켜 얻은 양극수 또는 음극수에 소정의 전해질을 첨가한 후, 30㎑ 이상의 초음파를 조사하면서 피처리물을 습식처리하는 것을 특징으로 하는 습식처리방법.
- 제1항에 있어서, 상기 피처리물은 반도체 기체, 자성체 기체 또는 액정표시장치용 기체인 것을 특징으로 하는 습식처리방법.
- 제1항에 있어서, 상기 습식처리방법이 상기 양극수 또는 음극수를 저장 또는 유통시키는 용기내에 피습식 처리물을 침지한 상태에서 행하는 습식처리방법이고, 상기 초음파 조사는 상기 양극수 또는 음극수를 저장 또는 유통시키는 용기내에 피처리물을 침지한 상태에서 조사하여 행하는 것을 특징으로 하는 습식처리방법.
- 제1항에 있어서, 상기 습식처리방법이 상기 양극수 또는 음극수를 소정의 노즐로부터 피처리물을 향하여 연속적으로 분사 혹은 적하하여 행하는 습식처리방법이고, 상기 초음파 조사는 상기 소정의 노즐 상류부에 있어서의 상기 양극수 또는 음극수의 송액배관계 중 적어도 일부에서 상기 양극수 또는 음극수에 조사하여 행하는 것을 특징으로 하는 습식처리방법.
- 양극전극을 설치한 양극실 및 상기 양극실과 격막을 거쳐 형성된 음극전극을 설치한 음극실을 가지는 물의 전기분해장치와, 상기 전기분해장치에서 얻어진 양극수 및/또는 음극수에 전해질을 첨가하기 위한 장치와, 상기 전해질이 첨가된 양극수 및/또는 음극수에 30㎑ 이상의 초음파를 조사하는 초음파 조사장치와, 상기 초음파 조사된 양극수 및/또는 음극수에 의해 피처리물을 세정처리하는 장치로 이루어지는 것을 특징으로 하는 습식처리장치.
- 양극전극을 설치한 양극실, 음극전극을 설치한 음극실 및 상기 양극실과 음극실 사이에 한쌍의 격막에 의해 구획된 중간실을 가지는 물의 전기분해장치와, 상기 전기분해장치에서 얻어진 양극수 및/또는 음극수에 전해질을 첨가하기 위한 장치와, 상기 전해질이 첨가된 양극수 및/또는 음극수에 30㎑ 이상의 초음파를 조사하는 초음파 조사장치와, 상기 초음파 조사된 양극수 및/또는 음극수에 피처리물을 세정처리하는 장치로 이루어지는 것을 특징으로 하는 습식처리장치.
- 제6항에 있어서, 상기 전기분해장치는 중간실에 고체전해질이 충전되어 있는 전기분해장치인 것을 특징으로 하는 습식처리장치.
- 제5항 또는 제6항에 있어서, 초음파 조사강도를 측정하는 계측부를 포함하고, 상기 전기분해장치로 흐르는 직류전류의 강도 및 초음파 조사강도를 조정하여 상기 처리액중의 이온종, 이온농도 및 산화환원 전위를 제어하기 위한 제어시스템을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 습식처리장치.
- 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 초음파 조사장치의 상류부에, 상기 양극수 및/또는 음극수 중에 용존가스를 10ppm 이하로 하기 위한 탈기장치를 구비한 것을 특징으로 하는 습식처리장치.
- 피처리물을 오존수에 의해 세정하고, 상기 오존수에 의해 세정된 피처리물을 전해이온수에 의해 브러시 세정하고, 상기 브러시 세정된 피처리물을 전해이온수에 의해 고압제트 세정하고, 상기 고압제트 세정된 피처리물에 전해이온수에 30㎑ 이상의 초음파를 조사하여 이루어지는 초음파 세정을 실시하고, 상기 초음파 세정이 실시된 피처리물을 전해이온수에 의해 세정하고, 이어서 상기 전해이온수에 의해 세정된 피처리물을 전해이온수에 의한 마무리 세정 후 건조하는 것을 특징으로 하는 습식처리방법.
- 피처리물을 오존수에 의해 세정하고, 이어서 상기 피처리물을 브러시 세정하는 제1조와, 상기 제1조에서 세정된 피처리물을 전해이온수의 고압분사에 의해 세정하는 제2조와, 상기 제2조에서 세정 처리된 피처리물을 30㎑ 이상의 초음파를 인가한 전해이온수에 의해 세정하는 제3조와, 상기 제3조에서 세정 처리된 피처리물을 전해이온수에 의한 마무리 세정후 건조하는 제4조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 습식처리장치.
- 제11항에 있어서, 상기 제1조가 피처리물에 오존수를 공급하는 오존수용 노즐과, 상기 피처리물에 초순수를 공급하는 초순수용 노즐과, 상기 피처리물에 전해이온수를 공급하는 전해이온수 공급용 노즐과, 상기 피처리물을 브러시 세정하는 브러시를 가지는 것을 특징으로 하는 습식처리장치.
- 제11항에 있어서, 상기 제2조가 피처리물에 전해이온수를 고압분사하는 전해이온수 고압제트노즐과, 상기 피처리물에 초순수를 공급하는 초순수용 노즐을 가지는 것을 특징으로 하는 습식처리장치.
- 제11항에 있어서, 상기 제3조가 상기 조에 전해이온수를 도입하는 수단과, 상기 도입된 전해이온수에 30㎑ 이상의 초음파를 조사하는 수단을 가지는 것을 특징으로 하는 습식처리장치.
- 제11항에 있어서, 상기 제4조가 마무리 세정용의 전해이온수를 공급하는 전해이온수 공급노즐과, 마무리 세정된 피처리물을 건조하는 수단을 가지는 것을 특징으로 하는 습식처리장치.
- 제12항에 있어서, 상기 브러시에 순수 또는 전해이온수에 30㎑ 이상의 초음파를 조사하여 세정하는 수단을 설치한 것을 특징으로 하는 습식처리장치.
- 제11항에 있어서, 상기 제1 내지 제3조 중 적어도 하나의 조에는 각 조 내에서의 세정처리 후에 순수 또는 전해이온수에 의한 재세정을 행할 수 있는 구성이 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 습식처리장치.
- 제11항에 있어서, 상기 제1 내지 제4조 중 적어도 하나의 조내에서의 피처리물은 회동가능하게 지지되어 있는 것을 특징으로 하는 습식처리장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP07-176502 | 1995-07-12 | ||
JP17650295A JP3507590B2 (ja) | 1995-07-12 | 1995-07-12 | ウエット処理方法及び処理装置 |
JP07-185383 | 1995-07-21 | ||
JP18538395A JP3349299B2 (ja) | 1995-07-21 | 1995-07-21 | ウエット処理方法及び処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970008390A true KR970008390A (ko) | 1997-02-24 |
KR100224929B1 KR100224929B1 (ko) | 1999-10-15 |
Family
ID=66246057
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019960028014A KR100224929B1 (ko) | 1995-07-12 | 1996-07-11 | 습식처리방법 및 처리장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100224929B1 (ko) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6652658B1 (en) | 1998-12-07 | 2003-11-25 | Japan Science And Technology Corporation | Method for machining/cleaning by hydroxide ion in ultrapure water |
KR100528286B1 (ko) * | 2004-09-02 | 2005-11-15 | 주식회사 에스에프에이 | 기판 세정장치 및 세정방법 |
KR100564539B1 (ko) * | 1999-01-18 | 2006-03-28 | 삼성전자주식회사 | 패키지의 디플래싱 장치 및 이를 이용한 디플래싱 방법 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020157685A1 (en) * | 2000-09-11 | 2002-10-31 | Naoya Hayamizu | Washing method, method of manufacturing semiconductor device and method of manufacturing active matrix-type display device |
KR102107987B1 (ko) * | 2012-12-27 | 2020-05-08 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
-
1996
- 1996-07-11 KR KR1019960028014A patent/KR100224929B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6652658B1 (en) | 1998-12-07 | 2003-11-25 | Japan Science And Technology Corporation | Method for machining/cleaning by hydroxide ion in ultrapure water |
KR100564539B1 (ko) * | 1999-01-18 | 2006-03-28 | 삼성전자주식회사 | 패키지의 디플래싱 장치 및 이를 이용한 디플래싱 방법 |
KR100528286B1 (ko) * | 2004-09-02 | 2005-11-15 | 주식회사 에스에프에이 | 기판 세정장치 및 세정방법 |
WO2006025639A1 (en) * | 2004-09-02 | 2006-03-09 | Sfa Engineering Corp. | Apparatus for cleaning a substrate and method thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100224929B1 (ko) | 1999-10-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR970030445A (ko) | 습식처리방법 | |
US8062500B2 (en) | Method and apparatus for producing negative and positive oxidative reductive potential (ORP) water | |
EP0605882B1 (en) | Method and apparatus for wet treatment of solid surfaces | |
KR950027972A (ko) | 전해 활성수 생성 및 반도체 기판의 웨트 처리 | |
JP5899455B2 (ja) | 液体処理装置及び液体処理方法 | |
JPWO2014185051A1 (ja) | 液体処理装置、液体処理方法及びプラズマ処理液 | |
WO2014046229A1 (ja) | 洗浄方法および洗浄装置 | |
JPH0747377A (ja) | オゾン水処理方法及び装置 | |
JP6601737B2 (ja) | 液体処理方法、液体処理装置および洗濯機 | |
KR970008390A (ko) | 습식처리방법 및 처리장치 | |
KR101843661B1 (ko) | 플라즈마를 이용한 하이브리드 수처리 장치 및 방법 | |
RU2110483C1 (ru) | Устройство для электрохимической обработки воды | |
JP2004202454A (ja) | 液体中パルス放電を用いるろ過膜及びろ材の洗浄方法と装置 | |
KR950027973A (ko) | 애노드와 캐소드 물에 대하여 재활성 피드백 경로를 각각 갖는 웻공정 장치 | |
JP3579850B2 (ja) | オゾン水排水の処理方法及び処理システム | |
JP2002038195A (ja) | 洗浄剤、この洗浄剤の製造方法、この洗浄剤の製造装置、及び、この洗浄剤を用いた洗浄方法 | |
JP3349299B2 (ja) | ウエット処理方法及び処理装置 | |
JPH08327955A (ja) | コンタクトレンズ洗浄装置及びコンタクトレンズ洗浄方法 | |
JP3856558B2 (ja) | 超純水の殺菌方法及び殺菌超純水供給システム | |
JP2008136996A (ja) | 塗装ブース循環水の消臭装置及び塗装ブース循環水の消臭方法 | |
JP2000288495A (ja) | 洗浄方法 | |
JP2005013520A (ja) | 浴槽装置および浴槽運用方法 | |
JPS60135128A (ja) | 電気加工液循環供給装置 | |
WO1998032470A1 (fr) | Procede et dispositif de sterilisation/nettoyage utilisant l'electrolyse | |
JP3654478B2 (ja) | 洗浄水製造・供給システム及び製造・供給方法並びに洗浄システム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
G170 | Publication of correction | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20040113 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |