KR970008209B1 - 에폭시 수지 조성물과 이를 이용한 반도체 장치의 밀봉방법 - Google Patents

에폭시 수지 조성물과 이를 이용한 반도체 장치의 밀봉방법 Download PDF

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Abstract

요약없음

Description

에폭시 수지 조성물과 이를 이용한 반도체 장치의 밀봉방법
본 발명은 에폭시 수지 조성물과 이를 이용한 반도체 장치의 밀봉방법에 관한 것으로, 좀더 상세하게는 실리콘 변성 수지를 이용하여 탄성률을 낮추고 다관능기의 에폭시 수지를 사용하여 내열성을 향상시킨 신뢰성이 높은 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 반도체 장치를 밀봉하는 방법에 관한 것이다.
에폭시 수지를 이용한 반도체 장치 밀봉방식은 세라믹이나 유리, 금속 등을 이용한 밀봉방식보다 비용이 저렴하고 대량 생산이 가능하다는 잇점 때문에 최근 에폭시 수지에 의한 밀봉이 보편화되고 있다.
특히 에폭시 수지는 기계적인 특성이나 전기절연특성, 내습성, 내열성 등이 우수하기 때문에 높은 신뢰성이 요구되는 전기절연재료, 특히 전기전자제품, 반도체 장치의 밀봉등에 널리 이용되고 있다.
최근 반도체 소자의 집적도가 증가함에 따라 알루미늄 배선이 보다 미세화되고, 반도체 칩의 크기가 커지고 있는 반면에, 표면 실장형 수지 패키지의 등장과 확산으로 인하여 수지 패키지의 크기는 점점 작아지고 또 박판화 되어 가고 있다. 이런 박판화, 소형화된 수지 패키지를 납땜시키기 위하여 땜납에 침지하게 되면 수지에 크랙이 생기거나 금서의 단선, 또는 수지조성물과 리이드 프레임과의 박리현상으로 내습성등이 저하되는 등 여러가지 문제점이 발생한다. 이러한 문제점들을 해결하기 위하여 수지 조성물의 내부 응력을 낮추는 기술이 진전되어 왔다.
즉, 수지 조성물의 내부 응력을 낮추기 위하여 에폭시 수지에다 부타디엔계 고무를 첨가하는 기술이 고안되었으나 이같은 고무변성 수지는 수지 밀봉후 패키지 외관이 불량해질 뿐만 아니라 내습성이 저하되는 결정 등이 있다. 또한 실리콘 변성 수지는 내부응력을 감소시키는 효과와 외관은 양호하나 밀봉시 점도의 상승으로 인한 성형성 불량과 내습성이 저하되는 결점이 있다. 이런 내습성의 저하는 반도체 칩상의 금속 부식을 야기시키고 땜납침지시 패키지 크랙을 유발시킨다.
또한 내부 응력을 낮추기 위해서는 선팽창계수를 낮추는 방법이 있으나 선패창계수를 낮추기 위하여 실리카를 고충진시키면 성형성이 불량해지고 탄성률이 증가하는 경향이 있다. 그리고 내열 충격성을 높이기 위하여 다관능기의 에폭시 수지나 페놀 수지를 사용하면 유리전이점이 상승하여 고온 강도가 높아지긴 하나 이에 반해 내습성이 불량해지는 결점이 있다.
따라서 본 발명자들은 상기에서 언급된 단점들을 극복하기 위해 흐름성이 양호하고 금형 오염없이 성형성이 우수하며 낮은 탄성률과 높은 내열충격성을 갖는 에폭시 수지 조성물을 연구하게 되었다.
즉, 본 발명의 목적은 실리콘 변성 에폭시 수지를 사용하여 탄성률을 낮추고, 다관능기의 에폭시 수지를 사용하여 내열충격성을 높이며, 또한 변성 페놀 수지에 의해 수지 조성물과 리이드 프레임 소재와의 밀착성을 높이며, 내습성이 양호한 에폭시 수지 조성물 및 실리콘 탄성체의 적용으로 인한 수지 봉지재의 탄성을 보완으로 표면실장형 팩키지의 내열크랙성이 우수한 수지 봉지제를 제공함에 있다.
상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 조성물은 (A) 에폭시 수지 100중량부, (B) 페놀 수지 70 내지 150중량부, (C) 실리콘 변성수지 20 내지 80 중량부, (D) 실리콘 탄성수지 0.5 내지 10중량부, (E)커플링제 1 내지 20중량부, (F) 충진제 900 내지 1500중량부, (G) 이형제 3 내지 20중량부 및 기타 첨가제로 이루어진다.
이하 본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물을 (A) 에폭시 수지 100중량부, (B) 페놀수지 70 내지 150중량부, (C) 실리콘 변성 수지 20 내지 80중량부, (D) 실리콘 탄성 수지 0.5 내지 10중량부, (E) 커플링제 1 내지 20중량부, (F) 충진제 900 내지 1500중량부, (G) 이형제 3 내지 20중량부, (H) 난연제 15 내지 50중량부, (I) 착색제 1 내지 10중량부 및 (J) 경화 촉진제 1 내지 10중량부로 이루어지며, 상기 성분중 (A), (B), (C), (D), (E), (F) 및 (G)가 필수성분으로 함유된다.
본 발명에서 사용되는 에폭시 수지로는 하기 일반식(I)로 표시되는 다관능기의 에폭시 수지, 또는 오르가노 폴리 실록산을 공중합시켜 제조한 하기 일반식(II)로 표시되는 오르가노 폴리 실록산 변성 노볼락형 에폭시 수지를 단독 또는 혼합시킨 것으로서 100중량부 사용한다.
다관능 에폭시 수지는 패키지의 강도를 높여주며 노볼락 변성 에폭시 수지는 수지 봉지재 내의 응력을 완화시킨다. 특히, 노볼락 에폭시 수지 및 노볼락 변성 에폭시 수지의 에폭시 당량이 160 내지 350 정도 되는 것이 적당하며 바람직하기로는 170 내지 250인 것이 기계적, 전기적 특성이 우수하다. 에폭시 수지는 반도체 칩표면에 있는 알루미늄 등의 금속 재료 부식을 방지하기 위하여 가수 분해성 염소 이온의 함량이 0.1중량% 이하인 것을 사용함이 바람직하다.
n = 1-10
R1= H, CH3혹은 탄소수 1-5의 저급 알킬기
m = 1-6
R2= CH2
R3= 상기 R1과 동일
R4, R5= H, CH3혹은 탄소수 1-5의 저급의 알킬 또는 알콕시, 페닐기와 치환가능한 탄소수 1-5의 탄화수소
또한, 에폭시의 경화제로는 노볼락형 페놀 수지, 페놀알킬수지, 비스페놀 A형 수지, 레졸형 페놀수지, 변성 페놀 수지, 및 프탈릭안하이드라이드, 말레익안하이드라이드, 헥사하이드로프탈릭안하이드라이드, 나딕메틸안하이드라이드, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실릭디안하이드라이드 등의 산무수물계가 있으나 본 발명에서는 하기식(III), (IV)로 표시되는 경화제를 단독 또는 혼용함으로써 에폭시 수지 조성물과 리이드 프레임 소재와의 밀착성을 높이고, 내습성을 향상시킨다.
경화제의 사용량은 에폭시 당량과 페놀성 수산기 당량과의 당량비로 조절하는바 이들 당량비(에폭시 당량/수산기 당량)가 1 : 0.7-1 : 1이 되도록 조절하는 것이 좋다. 이들 당량비가 상기 범위를 벗어날 경우 성형성이 불량해지고 내습성이 저하되며, 경화된 후에 강도가 저하되는 문제점이 발생한다.
L = 0 혹은 1
R6= H, 혹은 CH3
R7, R8= 상기 R4. R5와 동일
B = CH2, 탄소수 1-5의 선형 알킬기,
본 발명에서는 저응력화제로써 상기식(II)으로 표현되는 실리콘변성수지를 사용하며, 이것은 에폭시 수지 조성물의 내부응력을 낮추어 주는 역할을 한다. 저응력화제의 사용량은 20 내지 80중량부가 적합하며 20중량부 미만이면 최종 제품의 내부응력 저항을 기대할 수 없고, 80중량부 이상이면 내습성이 저하되고 성형성이 불량해진다.
또한 실리카의 고층진으로 인한 탄성율 상승 보완을 위해 메틸 실리콘이 50 내지 60중량% 함유되고 평균입경이 1um에서 10um 범위의 실리콘 탄성체를 전처리 공정으로 분산하여 적용한다.
이러한 실리콘 탄성체는 신리성을 향상시키기 위해 총 함유 염소분이 10ppm, 추출수의 전기 전도도가 10us/cm 이하의 것을 사용하는 것이 바람직하며 압출기를 이용하여 용융 혼련하기 전에 사전 분산된 형태로 배합된다.
실리콘 탄성체의 사용량은 0.5중량부에서 10중량부가 적합하며 0.5중량부 미만이면 탄성율 보완이 어렵고 10중량부 이상이면 성형성이 불량해진다.
이 밖에 수지 조성물로는 커플링제로 에폭시수지 조성물중 유기분과 무기분, 그리고 금속소재와의 결합력을 높여주는 역할을 한다. 이 커플링제에는 실란계 커플링제, 티타늄계 커플링제, 지르코 알루미네이트 커플링제 등이 있다.
커플링제의 사용량은 1 내지 20중량부가 적당하며, 1중량부 미만이면 유기분과 무기분의 결합력이 저하되며 20중량부 이상이면 내습성 및 성형성이 불량해진다.
상기 수지 조성물의 무기 충진제로서 크게 나누어 용융 실리카, 결정성 실리카, 합성 실리카 등이 있고 형태로서는 파쇄형과 구형이 있다. 이들 실리카 분말은 2종 이상을 섞어서 사용해도 좋다. 더욱이 구형 실리카를 사용할 경우 반도체 칩에 미치는 응력을 좀더 감소시킬 수 있다. 구형 실리카와 파쇄형 실리카를 8 : 2-2 : 8의 중량비로 혼합해서 사용함이 효과적이다.
실리카 분말은 반도체상의 소프트에러를 방지하기 위하여 알파선량이 낮고, 토륨 및 우라늄의 함량이 1.0ppb 이하인 합성 실리카를 사용하는 것이 좋다.
본 발명에서 사용되는 실리카 분말의 적절한 사용량은 900 내지 1500중량부로서 만일 이보다 적은 양을 사용할 경우 선팽창 계수의 증가로 인하여 땜납 침지시 봉지제에 균열이 발생할 가능성이 높으며 이 보다 많은 양을 사용하면 조성물의 점도 상승으로 인하여 성형성이 나빠진다.
반도체 패키지와 몰드와의 분리를 도와주는 이형제로는 천연왁스와 합성왁스, 에스테르나 금속염, 파라핀, 산아미드등이 있고 이들은 단독 또는 2종 이상을 혼용하여 사용하여도 좋다. 이형제의 사용량은 3 내지 20중량부를 사용함이 바람직하다.
이밖의 기타 첨가제로는 난연제, 착색제, 경화 촉진제등을 사용할 수 있다.
조성물에 난연성을 부여하기 위한 첨가제인 난연제는 삼산화안티몬, 브롬 크레졸 노볼락 수지, 브롬비스페놀 A형 수지등이 있으며, 이들의 함량이 15 내지 50중량부를 벗어나게 되면 난연성이 저하되거나 성형성이 불량해지게 된다.
착색제로는 주로 카본 블랙을 사용한다. 사용량은 1 내지 10중량부가 적당하며, 1중량부 미만이면 착색 효과가 저하되고 10중량부 이상이면 전기적 특성이 저하된다.
에폭시 조성물의 경화 촉진제로서 포스핀과 포스핀 유도체 또는 아민계 이미다졸과 그 유도체등이 주로 사용되고 있으나 신뢰성을 고려할때 포스핀 계통을 사용함이 바람직하다.
본 발명을 조성물의 성형시는 압출, 사출 또는 트랜스퍼 성형을 이용할 수 있다. 그러나 가장 일반적인 성형 방법은 저압 트랜스퍼 성형을 이용하여 성형시키는 방법이고 성형 후에는 에폭시 수지 조성물을 170℃ 이상의 온도에서 3시간 이상 방지시켜 주어야 완전히 경화된 성형품을 얻을 수 있다. 또한, 표면 실장형 팩키지의 민감한 박리와 크랙성을 중점 보완 하기 위해 실리콘 탄성체를 전처리 분산한 마스터 뱃치 공정을 도입하는 것이 바람직하다.
이하 본 발명을 실시예 및 비교에 따라 구체적으로 설명하면 다음과 같다. 단 하기 예들이 본 발명의 범주를 한정하는 것은 아니며, 특별한 언급이 없는 한 단위는 중량부를 기준으로 한다.
실시예 및 비교예
(주) 에폭시수지 : 1) 페놀 노볼락 에폭시 수지
(EOCN 1020-70, NIPPON KAYAKU 사)
2) 식 : 상기식(I)에 나타낸 저급의 알킬기, 알콕시기, 페닐기와 치환 가능한 1가의 탄화수소를 갖는 다관능 에폭시 수지.
3) 식 : 상기식(II)에 나타낸 실록산 변성 에폭시 중에서 실록산 함유량이 15-40중량% 되도록 조절되고 프리 실록산이 0.7% 이하로 조절된 변성 에폭시 수지.
(주) 페놀 수지 : 4) 식 : 페놀 노볼락수지
(TAMANOL-7508, ARAKAWA사)
5) 식 : 상기식(III)에 나타낸 파라 크레졸이 도입된 내열 다관능 페놀 노볼락 수지.
6) 식 : 상기식(IV)에 나타낸 실록산 변성 페놀 중에서 실록산 함유량이 15-40중량% 되도록 조절되고 프리 실록산이 0.7% 이하로 조절된 변성 페놀 수지.
상기 표 1의 비율로 각 성분들의 무게를 재고 이들을 믹서에 넣고 충분히 혼합한 후 80-90℃로 가열된 2축 룰러나 니이더로 용융 혼련시킨 후 냉각시켜 에폭시 조성물을 만들었다. 이어서 이 조성물을 175℃의 저압트랜스퍼로 2분 동안 성형시키고 다시 175℃에서 5시간 동안 후경화시켜서 시편을 제작하였다. 이렇게 제작된 시편은 하기 표 3과 같은 조건 및 방법으로 물성을 측정하였으며, 그 결과는 하기 표 2와 같았다.
표 2
시험 조건 및 방법
상기 표 2에서 알 수 있듯이 본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물은 기존의 에폭시 수지 조성물과 비교하여 탄성률과 내부응력이 낮고, 수지 조성물과 리이드 프레임과의 부착성이 대단히 우수하고 내습성이 뛰어나고 또한 땜납 침지시 고온에서도 패키지 크랙이 줄어들며, 본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물은 성형성이 양호하기 때문에 수지 밀봉형 반도체 장치 밀봉에 사용하기 적합함을 알 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명의 에폭시 수지 조성물은 반도체 산업이 날로 발전하고 있고 패키지의 양상도 점점 작아지고 박판화되어 가고 있는 현상에 비추어 볼때 고밀도 표면 실장형 패키지 밀봉형으로 적합하다 하겠다.

Claims (12)

  1. (A) 에폭시 수지 100중량부, (B) 페놀 수지 70 내지 150중량부, (C) 실리콘 변성수지 20 내지 80중량부, (D) 실리콘 탄성수지 0.5 내지 10중량부, (E) 커플링제 1 내지 20중량부, (F) 충진제 900 내지 1500중량부, (G) 이형제 3 내지 20중량부, 및 기타 첨가제로 이루어진 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 에폭시 수지가 하기 일반식(I)의 다관능기의 에폭시 수지 또는 하기 일반식(II)의 실록산 변성 에폭시수지 단독 또는 이들의 혼합물임을 특징으로 하는 에폭시수지 조성물.
    n = 1-10
    R1= H, CH3혹은 탄소수 1-5의 저급 알킬기
    m = 1-6
    R2= CH2
    R3= 상기 R1과 동일
    R4, R5= H, CH3혹은 탄소수 1-5의 저급의 알킬 또는 알콕시, 페닐기와 치환가능한 탄소수 1-5의 탄화수소
  3. 제1항에 있어서, 상기 페놀 수지가 하기 일반식(III) 또는 (IV)로 표현되는 페놀 수지 단독 또는 이들의 혼합물임을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
    k = 3-10
    L = 0 혹은 1
    R6= H, 혹은 CH3
    R7, R8= 상기 R4, R5와 동일
    B = CH2, 탄소수 1-5의 선형 알킬기,
  4. 제1항에 있어서, 상기 에폭시 수지 대 페놀 수지의 에폭시 당량과 페놀성 수산기 당량비가 1 : 0.7-1 : 1임을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 상기 실리콘 변성 수지가 하기 일반식(II)임을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
    상기 식에서 m, R2, R3, R4, R5및 A는 상술한 바와 같다.
  6. 제1항에 있어서, 상기 실리콘 탄성 수지가 메틸 실리콘이 50 내지 60% 함유되고 평균입경이 1um에서 10um 범위임을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 상기 커플링제는 실란계 커플링제, 티타늄계 커플링제, 또는 지르코알루미네이트 커플링제인 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  8. 제1항에 있어서, 상기 충진제는 구형실리카 대 파쇄형 실리카를 중량비로 8 : 2 - 2 : 8로 함유한 합성실리카임을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  9. 제1항에 있어서, 상기 이형제는 천연왁스, 합성왁스, 에스테르, 금속염, 파라핀 또는 산 아미드임을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  10. 제 1항에 있어서, 상기 기타 첨가제가 난연제 15 내지 50중량부, 착색제 1 내지 10중량부 또는 경화촉진제 1 내지 10중량부임을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  11. (A) 에폭시 수지 100중량부, (B) 페놀 수지 70 내지 150중량부, (C) 실리콘 변성수지 20 내지 80중량부, (D) 실리콘 탄성수지 0.5 내지 10중량부, (E) 커플링제 1 내지 20중량부, (F) 충진제 900 내지 1500중량부, (G) 이형제 3 내지 20중량부, 및 기타 첨가제로 이루어진 에폭시 수지 조성물을 이용하여 반도체 장치를 밀봉하는 방법.
  12. 제 11항에 있어서, 상기 기타 첨가제가 난연제 15 내지 50중량부, 착색제 1 내지 10중량부 또는 경화촉진제 1 내지 10중량부임을 특징으로 하는 에폭시 조성물을 이용하여 반도체 장치를 밀봉하는 방법.
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