KR970006274A - 나프탈렌화합물, 액정조성물 및 액정소자 - Google Patents

나프탈렌화합물, 액정조성물 및 액정소자 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 일반식(Ⅰ)로 표시되는 나프탈렌화합물이 제공된다.
〔식 중, R1, R2는 할로겐원자로 치환되어도 되는 부재탄소원자를 가지지 않는 탄소수 1~20의 직사슬 또는 분기사슬의 알킬기, 탄소수 2~20의 알콕시알킬기 혹은 탄소수 2~20의 알케닐기를 표시하고, A는 하기식으로 표시되는 어느것의 기
(식 중, X1, X2, X3, X4는 수소원자 또는 할로겐원자를 표시하고, 1, 4시클로헥시렌고리는 트랜스배치이다)를 표시하고, Z는 0 또는 1을 표시함〕 상기 나프탈렌화합물은, 액정조성물에 첨가하므로서 액정조성물의 고속응답성, 응답시간의 온도의 존성등의 제특성을 개선하는 일이 가능하며, 액정조성물, 특히 강유전성액정 조성물의 구성성분으로서 사용하는 액정재료로서 유용한 것을 특징으로 한 것이다.

Description

나프탈렌화합물, 액정조성물 및 액정소자
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 카이랄스메틱상을 표시한 액정을 사용한 액정소자의 일예의 단면개략도, 제2도는 실시예 115, 실시예 116 및 비교예의 액정조성물에 대한 응답시간 및 그 온도의 존성을 표시한 그래프.

Claims (10)

  1. 일반식(Ⅰ)로 표시되는 것을 특징으로 하는 나프탈렌화합물.
    〔식 중, R1, R2는 알킬기, 알콕시알킬기, 알케닐기탄소수 1~20의 직사슬 또는 분기사슬의 알킬기, 탄소수 2~20의 알콕시알킬기 혹은 탄소수 2~20의 알케닐기를 표시하고, A는 하기식으로 표시되는 어느것의 기
    (식 중, X1, X2, X3, X4는 수소원자 또는 할로겐원자를 표시하고, 1, 4시클로헥시렌고리는 트랜스배치이다)를 표시하고, z는 0 또는 1을 표시함〕
  2. 제1항에 있어서, 일반식(1)에 있어서, R1및/또는 R2가 하기일반식(Ⅰ)~(Ⅲ)의 어느것으로 표시되는 알킬기 또는 알콕시알킬기인 것을 특징으로 하는 나프탈렌 화합물.
    -CaH2a+1(n) (Ⅰ)
    -(CH2)bCH(CcH2c+1)2(Ⅱ)
    -CdH2dO(CeH2eO)fCgH2g+1(Ⅲ)
    (식 중, a는 1~20, b는 0~17, c는 1~9, d는 1~10, e는 1~10, f는 0~5, g는 1~12의 자연수를 표시하고, b+c×219, d+e+f+g20이다).
  3. 제1항에 있어서, 일반식(1)에 있어서, R1및/또는 R2가 하기일반식(Ⅳ),(Ⅴ) 또는 (Ⅵ)으로 표시되는 할로겐화알킬기인 것을 특징으로 하는 나프탈렌 화합물.
    -(CH2)h(CX2)iH (Ⅳ)
    -(CH2)1(CkX2k)1CmH2m+1(Ⅴ)
    -(CH2)n(CX2)pX (Ⅵ)
    (식 중, X는 할로겐원자를 표시하고, h는 0~19, i는 1~20, j는 0~18, k는 1~10, 1온 1~19, m은 1~19, n은 0~19, p는 1~20의 자연수를 표시하고, h+i20, j+k+1+m20, n+p20이다).
  4. 제1항에 있어서, 일반식(1)에 있어서, R1, R2의 어느 한쪽이 하기 일반식(Ⅳ), (Ⅴ) 또는 (Ⅵ)으로 표시되는 할로겐화알킬기이며,
    -(CH2)h(CX2)1H (Ⅳ)
    -(CH2)1(CkX2k)1CmH2m+1(Ⅴ)
    -(CH2)n(CX2)pX (Ⅵ)
    (식 중, X는 할로겐원자를 표시하고, h는 0~19, i는 1~20, j는 0~18, k는 1~10, 1온 1~19, m은 1~19, n은 0~19, p는 1~20의 자연수를 표시하고, h+i20, j+k+1+m20, n+p20이다). 또한, 다른 한쪽이 하기일반식(Ⅰ)~(Ⅲ)의 어느것으로 표시되는 알킬기 또는 알콕시알킬기.
    -CaH2a+1(n) (Ⅰ)
    -(CH2)bCH(CcH2c+1)2(Ⅱ)
    -CdH2dO(CeH2eO)fCgH2g+1(Ⅲ)
    (식 중, a는 0~20, b는 0~17, c는 1~9, d는 1~10, e는 1~10, f는 0~5, g는 1~12의 자연수를 표시하고, b+c×219, d+e+f+g20이다)인 것을 특징으로 하는 나프탈렌화합물.
  5. 제1항~제4항의 어느 한 항에 있어서, 일반식(1)에 있어서, A가 하기식으로 표시되는 어느것의 기인것을 특징으로 하는 나프탈렌화합물.
    (식 중, X1, X2, X3및 X4는 수소원자 또는 할로겐원자를 표시함)
  6. 제1항에 있어서, 일반식(1)에 있어서, R1이 할로겐원자로 치환되어도 되는 부재탄소를 가지지 않는 탄소수 1~20의 직사슬 또는 분기사슬의 알킬기이며, R2가 부재탄소를 가지지 않는 탄소수 3~20의 분기사슬의 알킬기, 혹은 할로겐원자로 치환된 부재탄소를 가지지 않는 탄소수 1~20의 직사슬 또는 분기사슬의 알킬기이며, A가 할로겐원자로 치환되어 되는 1, 4페닐렌기 또는 4, 4'-비페닐렌기인 것을 특징으로 하는 나프탈렌화합물.
  7. 제1항에 있어서, 일반식(1)에 있어서, R1,R2가 탄소수 1~20의 직사슬의 알킬기이며, A가 1, 4-페닐렌기 또는 4, 4'-비페닐렌기인 것을 특징으로 하는 나프탈렌 화합물.
  8. 일반식(2)로 표시되는 것을 특징으로 하는 나프탈렌화합물.
    (식 중, R3은 부재탄소원자를 가지지 않는 탄소수 3~20의 분기사슬의 알킬기, 탄소수 1~20의 직사슬 또는 분기사슬의 알킬기, 탄소수 2~20의 알콕시알킬기 또는 탄소수 2~20의 알케닐기를 표시하고, B는 수소원자 또는 벤질기를 표시함)
  9. 청구범위 제1항 기재의 나프탈렌화합물을 적어도 1종 함유하는 것을 특징으로 하는 액정조성물.
  10. 청구범위 제9항 기재의 액정조성물을, 1쌍의 전극기판간에 배치해서 이루어진 것을 특징으로 하는 액정소자.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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