KR970006274A - 나프탈렌화합물, 액정조성물 및 액정소자 - Google Patents
나프탈렌화합물, 액정조성물 및 액정소자 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은, 일반식(Ⅰ)로 표시되는 나프탈렌화합물이 제공된다.
〔식 중, R1, R2는 할로겐원자로 치환되어도 되는 부재탄소원자를 가지지 않는 탄소수 1~20의 직사슬 또는 분기사슬의 알킬기, 탄소수 2~20의 알콕시알킬기 혹은 탄소수 2~20의 알케닐기를 표시하고, A는 하기식으로 표시되는 어느것의 기
(식 중, X1, X2, X3, X4는 수소원자 또는 할로겐원자를 표시하고, 1, 4시클로헥시렌고리는 트랜스배치이다)를 표시하고, Z는 0 또는 1을 표시함〕 상기 나프탈렌화합물은, 액정조성물에 첨가하므로서 액정조성물의 고속응답성, 응답시간의 온도의 존성등의 제특성을 개선하는 일이 가능하며, 액정조성물, 특히 강유전성액정 조성물의 구성성분으로서 사용하는 액정재료로서 유용한 것을 특징으로 한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 카이랄스메틱상을 표시한 액정을 사용한 액정소자의 일예의 단면개략도, 제2도는 실시예 115, 실시예 116 및 비교예의 액정조성물에 대한 응답시간 및 그 온도의 존성을 표시한 그래프.
Claims (10)
- 일반식(Ⅰ)로 표시되는 것을 특징으로 하는 나프탈렌화합물.〔식 중, R1, R2는 알킬기, 알콕시알킬기, 알케닐기탄소수 1~20의 직사슬 또는 분기사슬의 알킬기, 탄소수 2~20의 알콕시알킬기 혹은 탄소수 2~20의 알케닐기를 표시하고, A는 하기식으로 표시되는 어느것의 기(식 중, X1, X2, X3, X4는 수소원자 또는 할로겐원자를 표시하고, 1, 4시클로헥시렌고리는 트랜스배치이다)를 표시하고, z는 0 또는 1을 표시함〕
- 제1항에 있어서, 일반식(1)에 있어서, R1및/또는 R2가 하기일반식(Ⅰ)~(Ⅲ)의 어느것으로 표시되는 알킬기 또는 알콕시알킬기인 것을 특징으로 하는 나프탈렌 화합물.-CaH2a+1(n) (Ⅰ)-(CH2)bCH(CcH2c+1)2(Ⅱ)-CdH2dO(CeH2eO)fCgH2g+1(Ⅲ)(식 중, a는 1~20, b는 0~17, c는 1~9, d는 1~10, e는 1~10, f는 0~5, g는 1~12의 자연수를 표시하고, b+c×219, d+e+f+g20이다).
- 제1항에 있어서, 일반식(1)에 있어서, R1및/또는 R2가 하기일반식(Ⅳ),(Ⅴ) 또는 (Ⅵ)으로 표시되는 할로겐화알킬기인 것을 특징으로 하는 나프탈렌 화합물.-(CH2)h(CX2)iH (Ⅳ)-(CH2)1(CkX2k)1CmH2m+1(Ⅴ)-(CH2)n(CX2)pX (Ⅵ)(식 중, X는 할로겐원자를 표시하고, h는 0~19, i는 1~20, j는 0~18, k는 1~10, 1온 1~19, m은 1~19, n은 0~19, p는 1~20의 자연수를 표시하고, h+i20, j+k+1+m20, n+p20이다).
- 제1항에 있어서, 일반식(1)에 있어서, R1, R2의 어느 한쪽이 하기 일반식(Ⅳ), (Ⅴ) 또는 (Ⅵ)으로 표시되는 할로겐화알킬기이며,-(CH2)h(CX2)1H (Ⅳ)-(CH2)1(CkX2k)1CmH2m+1(Ⅴ)-(CH2)n(CX2)pX (Ⅵ)(식 중, X는 할로겐원자를 표시하고, h는 0~19, i는 1~20, j는 0~18, k는 1~10, 1온 1~19, m은 1~19, n은 0~19, p는 1~20의 자연수를 표시하고, h+i20, j+k+1+m20, n+p20이다). 또한, 다른 한쪽이 하기일반식(Ⅰ)~(Ⅲ)의 어느것으로 표시되는 알킬기 또는 알콕시알킬기.-CaH2a+1(n) (Ⅰ)-(CH2)bCH(CcH2c+1)2(Ⅱ)-CdH2dO(CeH2eO)fCgH2g+1(Ⅲ)(식 중, a는 0~20, b는 0~17, c는 1~9, d는 1~10, e는 1~10, f는 0~5, g는 1~12의 자연수를 표시하고, b+c×219, d+e+f+g20이다)인 것을 특징으로 하는 나프탈렌화합물.
- 제1항~제4항의 어느 한 항에 있어서, 일반식(1)에 있어서, A가 하기식으로 표시되는 어느것의 기인것을 특징으로 하는 나프탈렌화합물.(식 중, X1, X2, X3및 X4는 수소원자 또는 할로겐원자를 표시함)
- 제1항에 있어서, 일반식(1)에 있어서, R1이 할로겐원자로 치환되어도 되는 부재탄소를 가지지 않는 탄소수 1~20의 직사슬 또는 분기사슬의 알킬기이며, R2가 부재탄소를 가지지 않는 탄소수 3~20의 분기사슬의 알킬기, 혹은 할로겐원자로 치환된 부재탄소를 가지지 않는 탄소수 1~20의 직사슬 또는 분기사슬의 알킬기이며, A가 할로겐원자로 치환되어 되는 1, 4페닐렌기 또는 4, 4'-비페닐렌기인 것을 특징으로 하는 나프탈렌화합물.
- 제1항에 있어서, 일반식(1)에 있어서, R1,R2가 탄소수 1~20의 직사슬의 알킬기이며, A가 1, 4-페닐렌기 또는 4, 4'-비페닐렌기인 것을 특징으로 하는 나프탈렌 화합물.
- 일반식(2)로 표시되는 것을 특징으로 하는 나프탈렌화합물.(식 중, R3은 부재탄소원자를 가지지 않는 탄소수 3~20의 분기사슬의 알킬기, 탄소수 1~20의 직사슬 또는 분기사슬의 알킬기, 탄소수 2~20의 알콕시알킬기 또는 탄소수 2~20의 알케닐기를 표시하고, B는 수소원자 또는 벤질기를 표시함)
- 청구범위 제1항 기재의 나프탈렌화합물을 적어도 1종 함유하는 것을 특징으로 하는 액정조성물.
- 청구범위 제9항 기재의 액정조성물을, 1쌍의 전극기판간에 배치해서 이루어진 것을 특징으로 하는 액정소자.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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