KR970003331B1 - Magneto resistive element - Google Patents
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Abstract
Description
제1도는 종래 기술의 자기저항소자를 나타낸 사시도.1 is a perspective view showing a magnetoresistive element of the prior art.
제2도는 본 발명에 따른 자기저항소자를 나타낸 사시도.2 is a perspective view showing a magnetoresistive element according to the present invention.
제3도는 본 발명의 자기저항소자의 제작시 사용되는 기판의 평면도.3 is a plan view of a substrate used in manufacturing the magnetoresistive element of the present invention.
제4도는 제3도의 선에 대한 상세 단면도.4 is a detailed cross-sectional view of the line of FIG.
제5도는 본 발명의 자기저항소자 칩을 나타낸 상세 사시도이다.5 is a detailed perspective view showing the magnetoresistive element chip of the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
10, 20 : 기판 11, 21 : 자기저항 패턴10, 20: substrate 11, 21: magnetoresistive pattern
12, 22 : 단자전극 13, 23 : 리드단자12, 22: terminal electrode 13, 23: lead terminal
24 : 도전성 페이스트 25 : 글래즈24 conductive paste 25 glass
26 : 기판블록26: substrate block
본 발명은 자기저항소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판의 전면네귀에 구형속의 단자전극이 형성되고 이 단자전극의 후면에 리드단자를 일방향으로 돌출되게 납땜고정함으로써 칩제조공정 및 기판의 단자전극과 리드단자의 납땜고정이 용이하게 이루어지고 칩의 전면에 돌출부가 형성되지 않도록 한 자기저항소자에 관한 것이다.The present invention relates to a magnetoresistive element. More specifically, a spherical terminal electrode is formed on the front surface of a substrate, and a soldering process is performed to fix the lead terminal to protrude in one direction on the rear surface of the terminal electrode. And a soldering resistor of the lead terminal is easily formed, and a protrusion is formed on the front surface of the chip.
이러한 기술과 관련된 종래의 자기저항소자는, 제1도에 나타낸 바와 같이 그라스 또는 실리콘으로 된 기판(10)의 전면에 자기저항 패턴(11)을 형성하고 상기 기판(10)의 일측단에 수개의 단자전극(12)이 형성되어 있으며, 상기 단자전극(12)에는 각각 리드단자(13)가 납땜 고정되어 있다.In the conventional magnetoresistive element related to this technique, as shown in FIG. 1, a magnetoresistive pattern 11 is formed on a front surface of a substrate 10 made of glass or silicon, and a plurality of magnetoresistance patterns are formed at one end of the substrate 10. Terminal electrodes 12 are formed, and lead terminals 13 are soldered and fixed to the terminal electrodes 12, respectively.
상기와 같은 구성된 종래의 자기저항소자는, 외부자계를 감지하여 자계의 변화를 전기의 변화로 변화시키는 자기센서이며, 통상 외부의 자계를 방출하는 소스면과 자기저항 패턴(11) 사이 거리는 0.05∼0.3mm 정도이다.The conventional magnetoresistive element configured as described above is a magnetic sensor that senses an external magnetic field and changes the change of the magnetic field into a change in electricity, and the distance between the source surface emitting the external magnetic field and the magnetoresistive pattern 11 is generally 0.05 to It is about 0.3mm.
그러나, 상기와 같은 구성된 종래의 자기저항소자에 있어서는 기판(10)의 단자전극(12)과 리드단자(13)의 연결이 기판(10)의 전면에서 행하여지는 경우 리드단자(13)의 두께(통상 0.15∼0.2mm) 이상으로 돌출부가 형성되게 되고 상기 단자전극(12)과 리드단자(13)의 연결부위를 보호하기 위한 에폭시 보호층이 필요한 관계로 0.5∼0.6mm정도의 돌출부가 형성되는 것이었다.However, in the conventional magnetoresistive element configured as described above, when the terminal electrode 12 of the substrate 10 and the lead terminal 13 are connected in front of the substrate 10, the thickness of the lead terminal 13 ( In general, a protrusion of about 0.5 to 0.6 mm is formed, since a protrusion is formed over 0.15 to 0.2 mm) and an epoxy protective layer is needed to protect the connection between the terminal electrode 12 and the lead terminal 13. .
그러므로, 상기와 같은 종래의 자기저항소자에 있어서는 기판(10)의 전면으로부터 돌출부가 형성됨으로써 상기 돌출부가 외부자계소스와 간섭을 일으키게 되는 것이었다.Therefore, in the conventional magnetoresistive element as described above, a protrusion is formed from the front surface of the substrate 10 so that the protrusion causes interference with an external magnetic source.
또한, 기판(10)의 일측에 단자전극(12)이 다수개 형성되어 리드단자(13)가 납땜고정되기 때문에 납땜작업이 용이하지 못하고 이로 인해서 작업능률의 향상을 기할 수 없는 것이었다.In addition, since a plurality of terminal electrodes 12 are formed on one side of the substrate 10 and the lead terminals 13 are soldered and fixed, soldering is not easy, and thus, work efficiency cannot be improved.
본 발명은 상기와 같은 종래의 제반 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은, 기판의 전면네귀에 구형홈의 단자전극이 형성되고 이 단자전극의 후면에 리드단자를 일방향으로 돌출되게 납땜고정함으로써 칩제조공정 및 기판의 단자전극과 리드단자의 납땜고정이 용이하게 이루어지고 칩의 전면에 돌출부가 형성되지 않도록 한 자기저항소자를 제공하는데 있다.The present invention is to solve the conventional problems as described above, an object of the present invention, the terminal electrode of the spherical groove is formed in the front four of the substrate and the soldering fixed to protrude the lead terminal in one direction on the rear of the terminal electrode Accordingly, the present invention provides a magnetoresistive element in which a chip manufacturing process and soldering of terminal electrodes and lead terminals of a substrate are easily performed, and protrusions are not formed on the front surface of the chip.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징은, 그라스 또는 실리콘으로 된 기판의 전면에 자기저항 패턴이 형성되고 상기 기판에 형성된 수개의 단자전극에 각각 리드단자가 납땜고정되어 있는 자기저항소자에 있어서, 상기 기판의 전면에 돌출부가 형성되지 않도록 후면에 리드단자에 납땜고정되어 있는 자기저항소자에 있다.A feature of the present invention for achieving the above object is a magnetoresistive element in which a magnetoresistive pattern is formed on a front surface of a substrate made of glass or silicon, and a lead terminal is soldered and fixed to several terminal electrodes formed on the substrate. In this case, the magnetoresistive element is soldered and fixed to the lead terminal at the rear side so that no protrusion is formed at the front side of the substrate.
이하, 본 발명에 따른 자기저항소자를 바람직한 일 실시예의 첨부도면에 의하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the magnetoresistive element according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings of a preferred embodiment.
제2도 및 제5도에 나타낸 바와 같이, 그라스 또는 실리콘으로 된 기판(20)의 전면에 자기저항 패턴(21)이 형성되어 있고 상기 기판(20)의 전면네귀에는 스퍼터링에 의해 구형홈으로 된 수개의 단자전극(22)이 형성되어 있으며, 상기 기판(20)의 후면에는 단자전극(22)의 하부에 각각 리드단자(23)가 놓여져 도전성 페이스트(24)에 연결고정되어 있다.As shown in Figs. 2 and 5, a magnetoresistive pattern 21 is formed on the front surface of the substrate 20 made of glass or silicon, and sputtered on the front surface of the substrate 20 to spherical grooves. Several terminal electrodes 22 are formed, and lead terminals 23 are disposed on the rear surface of the substrate 20 under the terminal electrodes 22, respectively, and fixed to the conductive paste 24.
상기 기판(20)의 단자전극(22)은, 니켈(Ni), 구리(Cu) 또는 니켈구리합금으로 이루어지며, 상기 기판(20)의 단자전극(22)이 형성된 구형홈은 도전성 페이스트(24)의 도포층을 감안하여 깊이가 최소한 0.5mm 이상이어야 한다.The terminal electrode 22 of the substrate 20 is made of nickel (Ni), copper (Cu), or nickel copper alloy, and the spherical groove on which the terminal electrode 22 of the substrate 20 is formed is a conductive paste 24. The depth of coating should be at least 0.5mm, taking into account the coating layer.
상기 기판(20)의 중앙에 형성된 자기저항 패턴(21)은, 글래즈(25)로 덮어 씌워져 있고, 상기 기판(20)의 단자 전극(22)에 리드단자(23)를 연결한 후 기판(20)의 전표면에 걸쳐 에폭시가 0.05mm 이하로 도포되어 있다.The magnetoresistive pattern 21 formed at the center of the substrate 20 is covered with a glass 25, and after connecting the lead terminal 23 to the terminal electrode 22 of the substrate 20, the substrate ( Epoxy is applied at 0.05 mm or less over the entire surface of 20).
상기와 같이 구성된 본 발명의 자기저항소자를 제3도 및 제4도를 참조하여 설명하여 보면, 먼저 기판블록(26)에 자기저항소자를 이루는 칩, 즉 기판크기의 간격으로 스퍼터링에 의해 형성된 반구형홈의 단자전극(22)을 형성하고 각 기판(20)의 중앙에 자기저항 패턴(21)을 형성하여 글래즈(25)으로 덮어 씌운 다음 칩크기로 기판블록(26)을 컷팅하여 칩(기판)을 얻는다.Referring to the magnetoresistive element of the present invention configured as described above with reference to FIGS. 3 and 4, first, a hemispherical chip formed by sputtering at a spacing of a chip forming a magnetoresistive element on the substrate block 26, i.e., the substrate size. The terminal electrode 22 of the groove is formed, the magnetoresistive pattern 21 is formed in the center of each substrate 20 and covered with the glass 25, and then the substrate block 26 is cut to a chip size to cut the chip (substrate). Get)
다음, 상기 기판(20)의 단자전극(22) 하부에 리드단자(23)를 각각 위치시켜 도전성 페이스트(24)로 단자전극(22)과 리드단자(23)를 연결한 후 기판(20)의 전표면에 걸쳐 에폭시를 0.05mm 이하로 도포함으로써 제2도와 같은 완성품의 자기저항소자를 얻게 된다.Next, the lead terminals 23 are positioned under the terminal electrodes 22 of the substrate 20, and the terminal electrode 22 and the lead terminals 23 are connected with the conductive paste 24. By applying epoxy to 0.05 mm or less over the entire surface, a magnetoresistive element of the finished product as shown in FIG. 2 is obtained.
그러므로, 본 발명에 따른 자기저항소자는 기판(10)의 전면에 리드단자(13)가 단순히 납땝고정되어 돌출되는 종래 기술에 비해 기판(20)의 후면에 리드단자(23)가 고정되고 단자전극(22)이 구형홈으로 형성된 상태에서 도전성 페이스트(24)에 의해 연결됨으로써 기판(20)의 전면에 돌출부가 전혀 형성되지 않고 이에 따라서 외부 자계 소스와 자기저항소자의 간섭이 전혀 없게 된다.Therefore, in the magnetoresistive element according to the present invention, the lead terminal 23 is fixed to the rear surface of the substrate 20 and the terminal electrode, compared to the conventional technology in which the lead terminal 13 is simply soldered and protruded on the front surface of the substrate 10. Since 22 is formed by the spherical grooves, the conductive paste 24 is connected so that no protruding portion is formed on the entire surface of the substrate 20, and thus there is no interference between the external magnetic field source and the magnetoresistive element.
또한, 기판(20)의 네귀에 리드단자(23)가 연결되기 때문에 종래의 자기저항소자보다 소형화할 수 있고 칩자체만으로 외부회로의 회로기판에 표면실장 또한 가능하게 된다.In addition, since the lead terminal 23 is connected to four ears of the substrate 20, the lead terminal 23 can be made smaller in size than the conventional magnetoresistive element, and the surface mount can also be performed on the circuit board of the external circuit only by the chip itself.
이상에서 상술한 바와 같은 본 발명에 따른 자기저항소자에 의하면, 기판의 전면네귀에 구형홈의 단자전극이 형성되고 이 단자전극의 후면에 리드단자를 일방향으로 돌출되게 납땜고정함으로써 칩제조공정 및 기판의 단자전극과 리드단자의 납땜고정이 용이하게 이루어지고 칩의 전면에 돌출부가 형성되지 않게 되는 효과가 있다.According to the magnetoresistive element according to the present invention as described above, the chip manufacturing process and the substrate by forming a terminal electrode of the spherical groove on the front four sides of the substrate and soldering the lead terminal protruding in one direction on the rear of the terminal electrode The soldering of the terminal electrode and the lead terminal is made easy and there is an effect that no protrusion is formed on the front surface of the chip.
Claims (4)
Priority Applications (1)
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| KR1019930022765A KR970003331B1 (en) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | Magneto resistive element |
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|---|---|---|---|
| KR1019930022765A KR970003331B1 (en) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | Magneto resistive element |
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Family Applications (1)
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| KR (1) | KR970003331B1 (en) |
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1993
- 1993-10-29 KR KR1019930022765A patent/KR970003331B1/en not_active IP Right Cessation
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| KR950012491A (en) | 1995-05-16 |
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