KR970002426B1 - 단계적 및 반복적 투사형 얼라이너의 최적 촛점 결정 방법 - Google Patents

단계적 및 반복적 투사형 얼라이너의 최적 촛점 결정 방법 Download PDF

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Abstract

내용없음.

Description

단계적 및 반복적 투사형 얼라이너의 최적 촛점 결정 방법
제1도는 종래 기술의 미시적 기술에 의해 사용된 레지스트 휠드의 통상의 8×7 매트릭스의 정렬상태를 도시한 웨이퍼의 평면도.
제2도는 분해능 바를 도시한 휠드의 일부의 (500X) 확대도.
제3도는 제1도내의 웨이퍼상의 레지스트 휠드의 매트릭스에 대응하는, 현미경하에서 분해된 최소 분해능바를 나타내는 번호들의 매트릭스.
제4도는 본 발명의 실행시에 사용된 레티클 배치의 일부의 평면도.
제5도는 본 발명의 방법을 이용하여 레지스트 휠드의 16×16 매트릭스를 사용하여 최적 촛점 결정의 일례를 도시한 웨이퍼의 평면도.
제6도는 단계적 및 반복적 투사형 얼라이너에 사용된 렌즈들의 특성을 평가하기 위해 3×3 매트릭스의 존재 상태를 도시한 웨이퍼의 평면도.
제7도는 휠드 굴곡 또는 경사 없이, 제6도와 유사하지만 이상적인 결과를 도시한 평면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 웨이퍼 12 : 레지스트 휠드 매트릭스
13 : 레지스트 휠드 또는 소자 16 : 표준 분해능 바 셀
18 : 내포 L-형 바 20 : 제표 매트릭스
22 : 소자 어레이 24 : 포물선
26 : 꼭지점 30 : 선
32 : 공간 34 : 전 휠드
본 발명은 웨이퍼상에 직접 회로(IC)를 제조하기 위해 웨이퍼를 제조할 때 통상적으로 사용되는 단계적 및 반복적 투사형 얼라이너(step and repeat projection aligner)에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 웨이퍼상에 레지스트 막(resist film)을 노출 및 패턴(pattern)화 시키기 위한 웨이퍼 프로세싱시에 사용되는 최적의 촛점(best focus) 결정 단계를 포함한다.
렌즈 특성화를 위해, 스테퍼 렌드(stepper＇s lens) 양단의 상대적인 최적의 촛점은 사진 식각(photolithography) 프로세스의 촛점 버지트(budget)를 감소시킬 수 있는 렌즈와 시스템의 문제점[훨드 경사와 굴곡 및 비점수차(astigmatism)]의 척도가 된다.
스테퍼 얼라이너 시스템의 형태는 통상 광원, 애퍼츄어 블레이드(aperture blade), 레티클(reticle), 렌즈 및 마지막으로 웨이퍼를 순서대로 하여 이루어져 있다. 조정 가능한 애퍼츄어 블레이드 또는 블라인드(blind)는 최대 이하의 휠드가 웨이퍼상에 노출될 수 있도록 광선이 레티클 및 렌즈 부분을 통과하지 못하게 한다.
최적의 촛점은 가장 가파른 레지스트 측벽 기울기를 제공하고, 이로 인해 최적의 분해능 및 선 폭 제어를 제공하게 되는 단계적 및 반복적 투사형 얼라이너상에 사용되는 촛점을 설정한 것을 말한다. 스테퍼 촛점 설정은 웨이퍼 표면과 레티클/렌즈 사이의 조정가능한 거리에 대응한다.
종래의 촛점 결정 방법에서, 증가적으로 상이한 촛점 및 노출 조합으로 노출된 20 내지 80개의 휠드 각각의 1세트 이상의 분해능 타게트들이 미시적(200X 내지 500X 배율로)으로 평가된다. 최소 분해된 형태의 공칭 크기가 데이타 시트(data sheet)상에 기록된다. 번호들의 매트릭스는 저 노출 꼭지점들이 최적의 촛점을 정하는 내포형(nested) 포물선(일정 크기의 곡선)을 형성한다. 포지티브 포토레지스트(positive photoresist)의 노출 부족은 몇 개의 포물선을 고려하게 한다. 이 방법의 에러는 ±0.75㎛로 계산된다. 이 조건을 완성하여 최적 촛점값을 결정하는 데에 소요되는 통상의 시간은 약 25내지 30분이다.
이러한 촛점 노출 매트릭스의 더욱 정확한 해석 방법은 각 휠드에서 실제로 임계 크기의 바(bar)를 측정하는 것이다. 최적 촛점은 분해된 최소 바의 중심에서 발견된다. 그러나, 이 방법은 상술한 방법보다 더 많은 시간이 소요된다.
상술한 공정은 통상적으로 워크 시프트(work shift)의 개시시에 행해지고, 이로 인해 제품은 최적 촛점의 결정이 미결인 채로 남게 된다. 또한, 기압 변화 또는 소정의 장비 보수 공정과 같은, 최적 촛점을 변화시킬 수 있는 시프트 동안에 발생하는 변화는 최적 촛점의 결정이 다시 행해지는 것을 필요하게 한다.
렌즈 특성화를 위해서, 이 공정은 최대 크기 휠드가 상이한 촛점 설정으로 노출되고 분해능 바들이 각 휠드에서 5개 이상의 지점에서 해독된다는 것을 제외하고는 유사하다. 각의 지점에 대해, 최소 분해된 분분해능 바의 공칭 크기 대 촛점으로 구성되는 데이타는 꼭지점이 그 지점에서의 최적의 촛점에 있는 포물선을 형성한다. 상이한 영역들에 대한 최적 촛점값의 차이는 휠드 굴곡 및 레즈 경사에 의해 생긴다. 수평 및 수직선들에 대한 최적 촛점값들의 차이는 비점수차에 의한 것이다. 이 두가지는 프로세스 촛점 버지트면에서 조절되어야 한다.
종래 기술의 렌즈 특성화 방법의 한계점은 (1) 국부 레지스트, 아래 놓여 있는 막, 분해능 바 위치에서의 노출면 변화에 의해 제한되는 정확도, (2) 검사될 수 있는 지점들의 갯수에 의해 제한되어 완전한 렌즈 맵(map)이 계산될 수만 있도록 하는 조작자 피로, 및 (3) 검정에 필요한 시간과 검사의 반복 실험을 포함한다.
더욱 신속한 방식으로 1개 이상의 지점에서 최적 촛점을 결정하는 방법의 필요성이 계속 남는다.
본 발명에 따르면, 촛점/노출 매트릭스로부터 최적 촛점을 결정하는 방법이 제공된다. 이 방법은 한 방향으로 노출면을 변화시키고 다른 방향으로 촛점을 변화시키는, 웨이퍼의 표면상에 2-차원 매트릭스의 레지스트 휠드를 형성하는 단계로 이루어진다. 이러한 패턴을 통상적으로 촛점 노출 매트릭스라고 한다.
그 다음, 레지스트는 현상되고, 꼭지점이 고 노출 상태에 있는 포물선이 얻어진다. 최적의 촛점은 꼭지점을 포함하는 행(row)을 프린트하는 데에 사용된 촛점으로 설정된 것이거나, 꼭지점이 행들 사이에 있는 경우에는, 보간법(interpolation)이 사용된다. 최적 촛점 근처의 매트릭스 행들만이 실제로 증가 노출의 열(column)들의 분해된 선 및 공간을 프린트하게 된다.
최적 촛점에서 떨어지고 더 큰 노출 선량(exposure dose)으로, 투사된 영상은 선 및 공간을 분해하기에는 불충분한 콘트라스트(contrast)를 갖고 있어, 모든 레지스트가 노출되어 현상되어 버린다. 현상후, 꼭지점이 고 노출 상태에 있는 최종 포물선은 레지스트의 존재 또는 부재로 거시적으로 형성된다.
또한, 레지스트/얼라이너 시스템의 분해능 한계보다 약간 넓은 폭을 갖는 다수의 불투명 선 및 공간으로 이루어지는 레티클 패턴이 본 발명에 따라 제공된다.
0.25㎛로의 촛점 분해능의 선택은 0.5㎛ 촛점 스텝의 매트릭스로 용이하게 달성될 수 있다. 본 발명의 방법은 최적의 촛점의 신속한 거시적 평가를 허용한다. 즉, 16×16 어레이에서의 최적 촛점을 거시적으로 선택하기 위한 통상의 시간은 약 30 내지 60초이다. 더 큰 어레이를 노출시키는데 필요한 시간이 종래 기술의 방법에 의한 것보다 더 긴 약 2.5분이지만, 전체 시간면에서의 절약(미시적 접근 방법의 경우에 대해 9.5분 대 25 내지 30분)으로 부가의 노출 시간을 보상한다.
또한, 본 발명에 따르면, 휠드 양단의 촛점 변화를 정하기 위해 동일한 레티클 패턴을 사용하는 상기 방법의 확장에 제공된다. 휠드상의 상이한 지점들에서의 최적 촛점을 측정하기 위해, 레티클은 검사 대상인 휠드의 영역만을 프린트하도록 마스트된다. 노출 과다 촛점/노출 매트릭스가 프린트된다. 이 공정은 렌즈의 상이한 영역들을 노출시키기 위해 마스킹을 변화시킨 후에 반복된다. 각 웨이퍼는 그 지점에서의 최적의 촛점값을 제공한다. 레티클은 최적 촛점이 정중(sagittal)선 및 접선에 상관없이 결정될 수 있도록 회전(turn)될 수 있다(이들 사이의 차이는 비점수차에 의한 것이다).
전체 휠드 양단에 걸친 상대적 촛점의 전체 화상(picture)을 동시에 얻는 방법은 레티클을 마스크하지 않아 전체 휠드가 프린트되게 하고, 일정한 고 노출로 촛점 매트릭스를 프린트하는 것이다. 현상된 웨이퍼(들)은 상이한 촛점으로의 설정시에 촛점 내외에 있는(잔여의 포토레지스트 양에 의해 명백해지는 바와 같이) 영역들의 수열(progression)을 거시적으로 표시하게 된다. 상이한 촛점값들로 노출되는 휠드들의 중첩부분은 휠드에 관한 지형적 정보를 함유한다. 이 방법은 SEM(scanning electron microscope) 또는 그외 기술로 다른 검사를 하기 위한 문제 영역을 식별하기 위해 사용될 수 있다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명에 대해서 상세하게 기술하겠다.
A. 최적촛점
1. 종래 방법
동일 부분에 동일 참조번호를 붙인 도면들을 참조하여, 8×7 어레이로 레지스트 휠드 또는 소자(element, 14)의 매트릭스(12)를 지지하는 훼이퍼(10)가 제1도에 도시되어 있다. 휠드들의 매트릭스는 종래의 단계적 및 반복적 투사형 얼라이너(도시하지 않음)에 노출되어 왔는데, 노출은 X-방향(수평)으로 변하고, 촛점은 Y-방향(수직)으로 변하면서 현상된다. 종래와 같이, 웨이퍼(10)은 다른 세트의 촛점 및 노출 조건을 이용하여 인접 지점에서 레지스트의 휠드(14)를 노출시키기 위해 단차가 형성되어 있다.
이 종래 기술의 해결방법에서는, 유용하게 사용된 레티클이 레티클에 걸친 다수의 지점에 표준 분해능 바 셀(16)을 포함하고 있다. 이러한 셀(16)의 부분적인 예가 제2도에 도시되어 있는데, 3개의 내포형 L-형 바(18)의 세트들은 표시한 바와 같이 예를 들어 1.3㎛로부터 0.7㎛로 사이로 이격 공간이 감소되어 있다.
조작자는 현미경(500X)으로 각 휠드(14)의 분해능 바 세트를 시험하여, 레지스트 재료가 바들 사이에 전혀 남아 있지 않는 가장 작은 세트의 분해능 바(18)를 발견한다. 제2도에 도시된 예에서, 이것은 0.9㎛로 된 세트이다.
조작자는 제1도의 독특한 휠드들의 어레이와 동일하게 배열된, 제3도내에 도시한 제표(tabulation) 매트릭스(20)상에 이 값들을 입력시킨다. 56개의 휠드(14) 각각으로부터의 데이타를 조사 및 제표화 한 후, (일정한 분해 패턴 크기의) 내포 포물선의 패턴이 식별되는데, 각각의 포물선의 꼭지점은 동일한 최적의 촛점을 표시한다. 제3도내에 도시한 예에서, 최적의 촛점은 화살표 A로 표시한 바와 같이 260에 있는 것으로 나타나 있다. 조작자는 투사형 얼라이너 열의 촛점을 이 값으로 세트시키고, 조작자가 이 촛점이(기압 변화 또는 장비 보수 작업과 같은) 몇가지 이유로 이동된다고 의심하지 않는 한, 웨이퍼의 프로세싱이(장치 및 프로세스 레벨에 특수한 작은 오프셋을 제외한) 몇 일에 걸쳐 이 값으로 실행된다. 다음에 상술한 공정이 다시 수행된다.
종래의 8×7 촛점 노출 매트릭스를 미시적으로 해석하여 최적 촛점값을 추출하기 위한 통상의 시간은 15 내지 20분이다. 전체 프로세싱 시간[레티클 로딩(loading), 웨이퍼 스테핑과 레지스트 노출, 레지스트 현상, 및 웨이퍼 해독]은 약 25내지 30분이다.
2. 본 발명
본 발명에 따르면, 개량된 최적 촛점 결정 방법에 제공된다. 이 방법에서는, 소자(14)들의 어레이(22)가 상술한 동일한 단계적 및 반복적 공정에 의해 웨이퍼(10)상에 형성되어, 한 방향을 따라 촛점을 변화시키고 다른 방향을 따라 노출을 변화시킨다. 여기에서는, 상술한 바와 같이, 노출은 수평 방향을 따라 변하고, 촛점은 수직 방향을 따라 변한다. 도시된 어레이는 편리하게 16×16인데, 원하는 분해능 정도에 따라서, 다른 크기의 어레이가 사용될 수도 있다.
본 발명의 실행시 사용된 웨이퍼(10)의 특성은 제한적이 아니다. 최적 촛점이 결정되었을 때, 잔여의 레지스트는 각종 통상적인 방법으로 벗겨질 수 있고, 웨이퍼는 최적 촛점 결정용으로 다시 사용되거나, 그 위에 IC를 형성하기 위해 처리된다.
레지스트 층이 인가되고 동일 레지스트가 유용하게 제조시 사용된다. 이 레지스트는 약 8,000Å 내지 15,000Å의 범위, 통상 약 12,000Å의 두께로 스피닝(spinning)에 의해 종래 방식으로 인가된다. 레지스트가 너무 두꺼우면, 작은 치수를 분해하기가 어렵게 된다. 레지스트의 두께는 제조시에 사용되는 것과 동일한 범위에 있도록 선택되는 것이 바람직하다.
다음에, 레티클이 레지스트를 패턴화하기 위해 사용되고, 애퍼츄어 블레이드 또는 블라인드는 원하는 휠드 크기 이하로 투사형 얼라이너의 휠드를 마스크한다. 예를 들어, 5㎟의 휠드가 4㎜의 스텝으로 사용될 수 있다. 스텝이 작아질수록, 획득 가능한 촛점 분해능은 더 양호해지고, 웨이퍼 노출이 더 길어지게 된다.
레티클 배치는 본 발명의 실행시에 사용되기 위해 개발되었다. 제4도에 도시한 바와 같이, 레티클 패턴은 다수의 불투명선(30), 바람직하게는 크롬, 및 레지스트/얼라이너 시스템의 분해능 한계보다 약간 이상의 폭을 가지는 다수의 공간(32)을 포함한다. 폭의 범위는 분해능 한계의 약 1 내지 25% 이상인 것이 바람직하다. 선(30) 및 공간(32)의 폭은 1 내지 1.2㎛ 범위의 웨이퍼상의 선과 0.8내지 1.0㎛ 범위의 공간을 제공할 정도이다. 그러나, 기술이 진보되고 선 폭 및 공간이 더 적게 프린트될수록, 선 폭 및 공간의 한계치는 더 작게 감소될 수 있다.
예를 들어, 사용된 하나의 레티클 패턴은(공칭 또는 통상의 노출면에서 ) 5X 스테퍼상에 약 1.1㎛의 선을 프린트하기 위해 6㎛ 폭으로 5㎛ 이격된 크롬 선들로 구성되었다. 이 경우의 레지스트/얼라이너 시스템에 대한 분해능 한계는 약 0.9㎛였다. 약 20㎜ 직경까지의 소정 크기의 휠드들이 적용에 따라 5X스테퍼상에 프린트될 수 있도록 긴 평행선들이 5인치(12.7㎝) 수정 레티클을 가로질러 연장된다. 물론, 1X 또는 10X 스테퍼에 있어서도, 레티클 선 크기 공간 및 최대 휠드 크기가 따라서 변할 수 있다. 어떤 경우에는, 선 및 공간 폭은 레지스트/얼라이너 능력에 따라 변하고, 간단한 실험으로 특수 세트의 조건에 대한 최적 조합을 알 수 있다.
선택적으로, 제2도에 도시한 것과 유사한 분해능 바 셀들은 분해능의 미시적 측정을 위해 포함될 수 있다. 그러나, 이러한 바 셀들은 본 발명의 실행시 필요하지 않은데, 그 이유는 미시적 시험이 최적촛점 결정시에 전혀 포함되지 않기 때문이다.
스텝-방향(step-wise) 노출에 있어, 레지스트가 종래의 현상제로 현상된다[충분히 거친(coarse) 촛점스텝 및 고 노출이 사용되면, 현상전에 명백한 잠상이 최적 촛점을 판정하는 데에 적합할 수 있다]. 예를 들어, AZ1512 포지티브 포토레지스트인 경우에, 종래와 같이 수산화 나트륨 수용액이 사용된다. 다시, 현상제는 현상 방법(예를 들어, 분무 또는 침지)과 같이 제조시에 사용된 것으로 맞추어진다.
상술한 프로세스 스텝의 결과로서, 제5도에서 참조 번호(24)로 도시한 것과 유사한 포물선 패턴이 발생된다.
최적 촛점은 측정 또는 분해능의 소정의 주관적 평가에 의해서가 아니라, 웨이퍼의 일부상의 레지스트의 존재 또는 부재에 의해 결정된다. 본 발명의 방법은 거시적으로 볼 수 있고 고도로 콘트라스트된 형태를 발생시키는 파라메터로서 촛점을 이용하는 것이다. 그러므로, 이 방법을 본 명세서내에서는 최적 촛점을 결정하는 매크로 촛점 방법이라고 여기에서 언급한다.
최적 촛점 근처의 이들 매트릭스 행들만이 증가 노출의 열에서 분해된 선 및 공간을 실제로 프린트한다는 것이 지배적인 생각이다. 노출의 범위는 공칭 노출 내지 몇배의 공칭 노출로 될 수 있다.
최적 촛점으로부터 떨어져서, 더 많은 노출 선량으로, 투사된 영상은 선 및 공간들을 분해하기에 불충분한 콘트라스트를 갖게 되므로, 모든 레지스트가 노출되어 현상된다. 현상 후에, 꼭지점(26)이 고 노출 상태에 있는 최종 포물선(24)은 제5도에 도시한 바와 같이 레지스트의 존재 또는 부재에 의해 거시적으로 형성된다. 최적 촛점은 화살표 B로 표시한 바와 같이, 꼭지점을 포함하는 행을 프린트하는 데에 사용되는 촛점으로 설정된 것이다. 꼭지점이 행들 사이에 있으면, 보간법이 사용된다. 0.25㎛로의 촛점 분해능의 선택은 0.5㎛ 촛점 스텝의 매트릭스로 용이하게 달성될 수 있다.
선택된 특정의 촛점 범위는 프로세스에 필요한 정확성에 따라 다르다. 선택된 특정의 노출 범위는 선 및 공간의 크기와 현상 파라메터에 따라 변한다. 선/공간 크기가 프린트가능한 최소치에 가까울수록, 포물선(24)이 꼭지점(26)에서 종료하게 하는 데에는 노출 과다가 더 적게 필요하게 된다.
16×16 어레이상의 최적 촛점을 거시적으로 선택하기 위한 통상의 시간은 30내지 60초이다. 전체 프로세싱 시간은 약 9.5분이고, 또는 거시적으로 최적 촛점을 결정하기 위한 전체 시간의 약 1/3이다.
본 발명의 방법은 속도외에 몇가지 장점을 제공한다. 첫째, 현미경이 전혀 필요치 않게 되므로, 지루한 업무가 제거된다. 둘째, 본 방법은 개인적이지가 않아, 요원 훈련이 용이하다. 셋째, 본 명세서에 기술한 방법은 촛점 결정시의 분해능을 증가시킨다. 즉, 더 작은 촛점 스텝들이 평가 시간 또는 노력을 수반하여 증가시키지 않고도 용이하게 사용될 수 있다. 넷째, 더 넓은 영역이 고려될 수 있어 종래의 미시적 방법보다 정확도가 개량되고, 국부 레지스트 두께와 막 변화, 오염등에 대한 감도를 결과적으로 감소되게 한다.
프린트된 매트릭스의 외형이 부가적으로 해석될 수 있다. 웨이퍼의 배면상의 입자들은 몇개의 인접 휠드양단에 극적인 불즈아이(bullseye) 패턴을 발생시킨다. 척(chuck) 또는 레티클 경사 또는 평평하지 않은 웨이퍼는 투명한 부분 휠드의 불균일한 패턴에 의해 명백해진다. 레이저로 획선된 식별과 같이, 시스템 문제점 또는 웨이퍼 불규칙성으로 인한 자동 촛점 불일치가 인접 휠드들과의 논리적 유사성을 나타내지 않는 휠드로서 나타난다.
B. 렌즈 특성화
1. 부분 휠드-양적
본 발명에 따르면, 최적 촛점을 결정할때 사용하기 위해 기술한 상술한 방법들은 최적 촛점을 결정하기 위해 통상 사용되는 필드의 중심이 아닌 다른 영역의 특성화를 허용하기 위해 확장될 수 있다.
웨이퍼 형태 및 프로세싱은 상술한 레티클의 사용 방법을 제외하고는 상술한 것과 동일하다.
휠드 굴곡 및 경사를 측정하기 위해, 레티클은 렌즈의 일부만이 사용되도록 마스크된다. 촛점 노출 매트릭스는 상술한 바와 같이 노출되고, 최적 촛점은 이 영역에 대해 선택된다. 뒤이어, 별도의 웨이퍼상에서 각각 최소 5개의 렌즈 지점들에서 렌즈의 다른 부분들은 마스크되지 않고, 이 공정이 반복된다. 그러므로, 최적 촛점은 렌즈의 상이한 부분들에 대해 결정된다. 경사의 크기는 렌즈 양단의 최적 촛점값의 선형 변화를 구하여 추출된다. 휠드 굴곡 크기는 선형 성분들을 제거한 후 렌즈 양단의 최적 촛점값의 2차 변환을 구함으로써 추출된다.
어느 지점에서의 비점수차도 측정하기 위해서, 상기 공정은 각각의 최적 촛점값들이 정중선 및 접선에 대해 얻어지도록 2개의 직교 배향(예를 들어, 수평 및 수직)으로 된 레티클을 사용함으로써 보충된다. 정중선과 접선에 대한 최적 촛점 사이의 각 지점의 차이는 그곳의 비점수차의 크기이다.
휠드가 많아질수록, 제조시의 웨이퍼의 생산률이 커진다는 것은 공지되어 있다. 그러나, 휠드가 많아질수록, 렌즈의 더 많은 영역이 사용되고 있고, 이에 따라 이상적인 평평한 촛점 특성으로부터 충분히 편의된 렌즈의 영역이 회로 특성의 프린트에 사용될 가능성이 더 커지게 된다. 상술한 분석은 이러한 문제점들이 존재하는 지의 여부 및 장소를 결정할 수 있으므로, 스텝들이 휠드 경사와 같은 문제점을 보정하기 위해 취해져, 휠드 굴곡 또는 비점수차와 같은 보정될 수 없는 수차(aberration)를 갖고 있는 영역을 부분적으로 보상 또는 제거할 수 있다.
2. 전(full) 휠드-양적/질적
또한, 본 발명에 따르면, 촛점을 변화시키지만 노출을 일정값으로 유지시킴으로써 원하는 레티클 배향당1개의 웨이퍼에 대해 전 휠드가 동시에 검사될 수 있다. 이 프로세스는 최적 촛점 결정에 사용된 포물선을 통해 수직 슬라이스(slice)(일정한 노출열)을 취하는 것과 동일하다.
웨이퍼 형태 및 프로세싱은 상술한 레티클을 사용하는 방식을 제외하고 상술한 것과 동일하다.
전체 유용한 렌즈 영역을 통하는 최대 휠드를 프린트하기 위해, 애퍼츄어 블레이드가 레티클을 마스크하지 않도록 조정된다. 5X로 4인치(10.2㎝) 웨이퍼상에서, 약 9개의 전 휠드(34)(20㎜ 직경)가 제6도 및 제7도에 도시한 바와 같이 편리하게 노출될 수 있다. 웨이퍼를 현상한 후, 관찰 수열이 명백해지는데, 이 경우에 촛점 근처의 영역들은 레지스트를 갖게 되고, 촛점밖의 영역들은 레지스트를 갖지 않게 된다(검사된 촛점 범위에 걸쳐 이 콘트라스트를 명백하게 하는 적합한 노출이 제공됨). 웨이퍼상에서 볼 수 있는 밝은 색 프린지(fringe)들은 렌즈 촛점면 왜곡을 매우 뚜렷하게 한다. 이러한 왜곡의 일례는 제6도에 도시되어 있는데, 여기서, 색 프린지를 나타내기 위해 스티플링(stippling)이 사용된다.
휠드의 순차는 중첩된 경우에 렌즈 양단에 촛점의 지형 맵을 만든다. 비점수차가 존재하면, 한 방향으로 있는 레티클의 선들로 노출된 웨이퍼들은 선들이 직교 방향으로 있도록 레티클이 회전된 것을 제외하고는 동일하게 프로세스된 웨이퍼와는 상이한 패턴을 나타내게 된다. 그러므로, 2개의 웨이퍼를 노출시키는 것은 비점수차를 분리하여 뚜렷하게 한다(상술한 그어진 레티클의 2와 1/2시간 직교 노출로 1개의 웨이퍼를 노출시키거나, 중첩된 양 방향의 선을 갖는 레티클로 1개의 웨이퍼를 노출시키는 것은 평균 최적 촛점을 표시하는 웨이퍼를 발생시키게 되므로, 비점수차가 결정될 수 없었다).
레지스트와 밝은 색 프린지의 존재 또는 부재는 시간(종래 방법에 의해 요구된 시간은 검사된 지점들의 갯수에 따라 변한다)에 비해서, 수분내에 양적 휠드 왜곡을 추출하는 데에 사용될 수 있다.
평평한 렌즈 특성화를 갖는 이상적인 경우에는, 레지스트의 양은 어떤 임의의 촛점 설정에서도 휠드(34)양단에 걸쳐서 균일하게 되고, 전체 휠드가 동일한 촛점 설정에서 촛점내에 있기 때문에 어떤 프린지들도 명백하지 않다. 뒤이은 휠드에서는, 촛점이 이상적인 경우보다 더 멀리 진행할 때, 레지스트의 양은 페이딩(fading) 발생으로 균일하게 감소해야 한다. 최적 촛점은 제7도에서 최고 농도의 스티플링으로 표시한 바와 같이, 대부분의 레지스트가 남아 있는 휠드 또는 등가 레지스트량을 갖고 있는 휠드의 중심에 있다.
산업 응용성
본 발명의 방법은 집접 회로를 제조하기 위해 웨이퍼를 프로세스하는데 사용되는 단계적 및 반복적 투사형 얼라이너에 최적 촛점을 설정하고, 이 얼라이너의 렌즈를 특성화시키는 데에 유용하다.
그러므로, 지금까지 단계적 및 반복적 투사형 얼라이너에 대한 최적 촛점 및 상대적 최적 촛점을 결정하기 위한 방법에 대해서 기술하였다. 본 발명의 실행시에 사용되는 레티클 설계가 제공되었다. 본 분야에 숙련된 기술자들은 본 발명의 원외 및 범위를 벗어나지 않고서 본 발명을 여러 가지 형태로 변경 및 변형시킬 수 있고, 이러한 변경 및 변형은 첨부한 특허 청구의 범위에 의해 정해진 바와 같은 본 발명의 범위내에 있는 것으로 고찰된다.

Claims (13)

  1. 촛점/노출 매트릭스로부터 투사형 얼라이너의 최적 촛점을 결정하기 위한 방법에 있어서, (1) 레지스트/얼라이너 시스템의 분해능 한계 약간 이상의 폭을 갖는 다수의 불투명 선 및 공간으로 이루어지는 레티클을 사용하여, 한 방향으로 노출을 변화시키고 다른 방향으로 촛점을 변화시킴으로써 웨이퍼의 평평한 표면의 연마측상에 레지스트 휠드의 2-차원 매트릭스를 노출시키는 단계와, (2) 상기 최적 촛점인 최종 포물선의 꼭지점의 촛점값을 결정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 투사형 얼라이너의 최적 촛점을 결정하는 방법.
  2. 제1항이 있어서, 상기 포물선은 상기 레지스트 패턴을 현상함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 투사형 얼라이너의 최적 촛점 결정 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 꼭지점은 일정한 촛점의 행상에 있고, 상기 최적의 촛점은 이 꼭지점 값인 것을 특징으로 하는 투사형 얼라이너의 최적 촛점 결정 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 꼭지점은 두 행의 일정 촛점사이에 있고, 상기 최적 촛점은 상기 두 개의 행들 사이의 보간에 의해 얻어지는 것을 특징으로 하는 투사형 얼라이너의 최적 촛점 결정 방법.
  5. 웨이퍼상의 레지스트 층으로 패턴될 때 신속한 최적 촛점의 거시적 평가를 가능하게 하는 단계적 및 반복적 투사형 얼라이너용 레티클 설계에 있어서, 레지스트/얼라이너 시스템의 분해능 한계 약간 이상의 폭을 갖는 다수의 불투명 선 및 투명 공간으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 단계적 및 반복적 투사형 얼라이너용 레티클 설계.
  6. 제5항에 있어서, 상기 폭이 상기 분해능 한계보다 1 내지 25% 이상의 범위인 것을 특징으로 하는 단계적 및 반복적 투사형 얼라이너용 레티클 설계.
  7. 제5항에 있어서, 상기 선들이 크롬으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 단계적 및 반복적 투사형 얼라이너용 레티클 설계.
  8. 제5에 있어서, 상기 선들은 공칭 노출에서 약 1.2㎛ 이하의 상기 웨이퍼상의 선 폭과 약 1.0㎛ 이하의 상기 웨이퍼상의 선들의 공간을 제공할 정도의 폭을 갖고 있는 것을 특징으로 하는 단계적 및 반복적 투사형 얼라이너용 레티클 설계.
  9. 편의 및 경사를 측정하기 위해 단계적 및 반복적 투사형 얼라이너의 렌즈를 진단 및 특성화시키는 방법에 있어서, (1) 레지스트/얼라이너 시스템의 분해능 한계 약간 이상의 폭을 갖는 다수의 불투명선 및 투명 공간으로 이루어지는 레티클을 사용하여, 한 방향으로 노출을 변화시키고 다른 방향으로 촛점을 변화시킴으로써 평평한 웨이퍼의 연마측상에 레지스트 휠드들의 2-차원 매트릭스를 형성하는 단계, (2) 꼭지점이 고 노출 상태에 있는 포물선 패턴을 얻기 위해 상기 레지스트를 현상하는 단계, (3) 최적 촛점인 꼭지점의 촛점값을 결정하는 단계, 및 (4) 부가의 웨이퍼상에서, 전 휠드보다 작은 휠드 크기로 상기 레티클을 마스킹하여 렌즈상의 다른 지점들 및 원하는 렌즈 지점들에서 상기 단계들을 반복하는 단계를 포함하고, 이로 인해, 휠드 양단의 최적 촛점의 차이는 편의 및 경사중 적어도 하나 이상의 존재를 나타내는 것을 특징으로 하는 단계적 및 반복적 투사형 얼라이너의 렌즈 진단 및 특성화 방법.
  10. 렌즈 경사를 측정하기 위해 단계적 및 반복적 투사형 얼라이너의 렌즈를 진단 및 특성화시키는 방법에 있어서, (1) 레지스트/얼라이너 시스템의 분해능 한계 약간 이상의 폭을 갖는 다수의 불투명 선 및 투명공간으로 이루어지는 레티클을 사용하여, 한 방향으로 노출을 변화시키고 다른 방향으로 촛점을 변화시킴으로써 평평한 웨이퍼의 연마측상에 레지스트 휠드의 2-차원 매트릭스를 형성하는 단계, (2) 꼭지점이 고 노출 상태에 있는 포물선 패턴을 얻기 위해 레지스트를 현상하는 단계, (3) 최적 촛점인 꼭지점의 촛점값을 정하는 단계, 및 (4) 부가의 웨이퍼상에서 더 작은 휠드 크기로 상기 레티클을 마스킹하여 휠드상의 적어도 5개의 지점들 및 원하는 렌즈 지점들에서 상기 단계들을 반복하는 단계를 포함하고, 이로 인해, 렌즈 경사 크기가 렌즈 양단의 최적 촛점값의 선형 변화를 구함으로써 추출되는 것을 특징으로 하는 단계적 및 반복적 투사형 얼라이너의 렌즈 진단 및 특성화 방법.
  11. 휠드 굴곡을 측정하기 위해 단계적 및 반복적 투사형 얼라이너의 렌즈를 진단 및 특성화시키는 방법에 있어서, (1)레지스트/얼라이너 시스템의 분해능 한계 약간 이상의 폭을 갖는 다수의 불투명 선 및 투명공간으로 이루어지는 레티클을 사용하여, 한 방향으로 노출을 변화시키고 다른 방향으로 촛점을 변화시킴으로써 평평한 웨이퍼의 연마측상에 레지스트 휠드의 2-차원 매트릭스를 형성하는 단계, (2) 꼭지점이 고 노출 상태에 있는 포물선 패턴을 얻기 위해 레지스트를 현상하는 단계, (3) 최적 촛점인 꼭지점의 촛점값을 결정하는 단계, 및 (4) 부가의 웨이퍼상에서 더 작은 휠드 크기로 상기 레티클을 마스킹하여 휠드상의 적어도 5개의 지점들 및 원하는 렌즈 지점들에서 상기 단계들을 반복하는 단계를 포함하고, 이로 인해, 휠드 굴곡의 크기가 선형 성분을 제거한 후 렌즈 양단의 최적 촛점값의 2차 변환을 구함으로써 추출되는 것을 특징으로 하는 단계적 및 반복적 투사형 얼라이너의 렌즈 진단 및 특성화 방법.
  12. 비점수차를 측정하기 위해 단계적 및 반복적 투사형 얼라이너의 렌즈를 진단 및 특성화시키는 방법에 있어서, (1) 레지스트/얼라이너 시스템의 분해능 한계보다 이상의 폭을 갖는 다수의 불투명 선 및 투명 공간으로 이루어지는 레티클을 사용하여, 한 방향으로 노출을 변화시키고 다른 방향으로 촛점을 변화시킴으로써 평평한 웨이퍼의 연마측상에 레지스트 휠드의 2-차원 매트릭스를 형성하는 단계, (2) 꼭지점이 고노출 상태에 있는 포물선 패턴을 얻기 위해 레지스트를 현상하는 단계, (3) 최적 촛점인 꼭지점의 촛점값을 결정하는 단계, (4) 정중 성분 및 접선 성분에 관한 정보를 공급하기 위해 상이한 배향으로 정렬된 레티클로 상술한 단계들을 반복하는 단계, 및 (5) 부가의 웨이퍼상에서 더 작은 휠드 크기로 상기 레티클을 마스킹하여 렌즈상의 상이한 지점들 및 원하는 렌즈 지점들에서 상술한 단계들을 반복하는 단계를 포함하고, 이로 인해, 소정의 렌즈 지점에서의 비점수차의 크기가 2개의 직교 방향, 즉 정중 방향과 접선 방향으로의 최적 촛점 사이의 차이에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 단계적 및 반복적 투사형 얼라이너의 렌즈 진단 및 특성화 방법.
  13. 편의 및 경사를 측정하기 위해 전체 휠드를 동시에 관찰함으로써 단계적 및 반복적 투사형 얼라이너의 렌즈를 진단 및 특성화시키는 방법에 있어서, (1) 레지스트/얼라이너 시스템의 분해능 한계 약간 이상의 폭을 갖는 다수의 불투명 선 및 투명 공간으로 이루어지는 레티클을 사용하여, 노출을 변화시키고 촛점을 일정하게 유지시킴으로써 평평한 웨이퍼의 연마측상에 최대 크기 레지스트 휠드의 매트릭스를 형성하는 단계, (2) 상기 레지스트를 현상하는 단계, (3) 어느 지점에 대해서나 레지스트를 갖고 있는 휠드의 중심이 그 지점에 존재할 때 최적 촛점을 결정하는 단계, (4) 모든 원하는 지점들에서 상기 결정을 반복하는 단계, (5) 원하는 모든 레티클 배향에 대해 부가의 웨이퍼를 노출시켜 최적의 촛점 결정을 반복하는 단계, (6) 성취된 여러 최적 촛점값들을 비교하는 단계를 포함하고, 이로 인해, 비점수차가 레티클 배향들로부터 발생되는 정중선 및 접선에 대한 최적 촛점 사이의 어느 지점에서나 최적 촛점의 차이에 의해 결정되고, 경사가 렌즈양단의 정중 최적 촛점과 접선 최적 촛점의 평균 변화의 선형 성분으로서 결정되며, 휠드 굴곡이 선형 성분을 제거한 후에 남아 있는 2차 변환에 의해서 결정되는 것을 특징으로 하는 단계적 및 반복적 투사형 얼라이너의 렌즈 진단 및 특성화 방법.
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Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5351119A (en) * 1988-09-13 1994-09-27 Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha Method and apparatus for measuring a lens
US5049925A (en) * 1990-04-20 1991-09-17 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for focusing a wafer stepper
US5076692A (en) * 1990-05-31 1991-12-31 Tencor Instruments Particle detection on a patterned or bare wafer surface
JP3336436B2 (ja) * 1991-04-02 2002-10-21 株式会社ニコン リソグラフィシステム、情報収集装置、露光装置、及び半導体デバイス製造方法
JP2766575B2 (ja) * 1992-01-23 1998-06-18 三菱電機株式会社 投影レンズの評価装置及び評価方法
FR2693565B1 (fr) * 1992-07-10 1994-09-23 France Telecom Procédé de réglage d'une machine d'exposition photolithographique et dispositif associé.
US5402224A (en) * 1992-09-25 1995-03-28 Nikon Corporation Distortion inspecting method for projection optical system
US5615006A (en) * 1992-10-02 1997-03-25 Nikon Corporation Imaging characteristic and asymetric abrerration measurement of projection optical system
US5629772A (en) * 1994-12-20 1997-05-13 International Business Machines Corporation Monitoring of minimum features on a substrate
US5790254A (en) * 1994-12-20 1998-08-04 International Business Machines Corporation Monitoring of minimum features on a substrate
FR2755238B1 (fr) * 1996-10-30 1999-01-15 Sgs Thomson Microelectronics Procede de caracterisation d'un photorepeteur
US5888675A (en) * 1996-12-04 1999-03-30 Advanced Micro Devices, Inc. Reticle that compensates for radiation-induced lens error in a photolithographic system
US5723238A (en) * 1996-12-04 1998-03-03 Advanced Micro Devices, Inc. Inspection of lens error associated with lens heating in a photolithographic system
JP3728840B2 (ja) * 1996-12-19 2005-12-21 株式会社ニコン 投影光学系の収差測定方法及び収差測定用のマスク
US5898479A (en) * 1997-07-10 1999-04-27 Vlsi Technology, Inc. System for monitoring optical properties of photolithography equipment
FR2779820B1 (fr) * 1998-06-16 2000-09-01 France Telecom Procede de determination d'aberrations optiques d'un photorepeteur de photolithographie.
US6552776B1 (en) 1998-10-30 2003-04-22 Advanced Micro Devices, Inc. Photolithographic system including light filter that compensates for lens error
JP3371852B2 (ja) * 1999-07-09 2003-01-27 日本電気株式会社 レチクル
JP2001085296A (ja) * 1999-09-09 2001-03-30 Toshiba Corp レジストパターン形成方法
US6429930B1 (en) * 2000-09-06 2002-08-06 Accent Optical Technologies, Inc. Determination of center of focus by diffraction signature analysis
WO2002054036A1 (fr) 2000-12-28 2002-07-11 Nikon Corporation Procede de mesure et d'ajustement de caracteristiques d'imagerie, procede et systeme d'exposition, programme et support d'enregistrement et procede de production de dispositif
TWI220999B (en) 2001-02-13 2004-09-11 Nikon Corp Measuring method of image formation characteristic, exposure method, exposure apparatus and its adjustment method, manufacture method of device, and recording medium
TW563178B (en) * 2001-05-07 2003-11-21 Nikon Corp Optical properties measurement method, exposure method, and device manufacturing method
US6956659B2 (en) * 2001-05-22 2005-10-18 Nikon Precision Inc. Measurement of critical dimensions of etched features
EP1436670A4 (en) * 2001-10-10 2006-10-25 Accent Optical Tech Inc DETERMINATION OF THE FOCUS CENTER BY CROSS-SECTIONAL ANALYSIS
WO2003065428A1 (fr) 2002-01-29 2003-08-07 Nikon Corporation Systeme de reglage d'etat de formation d'images, procede d'insolation, appareil d'exposition, programme, et support d'enregistrement d'information
JP4352458B2 (ja) 2002-03-01 2009-10-28 株式会社ニコン 投影光学系の調整方法、予測方法、評価方法、調整方法、露光方法及び露光装置、露光装置の製造方法、プログラム並びにデバイス製造方法
US6974653B2 (en) * 2002-04-19 2005-12-13 Nikon Precision Inc. Methods for critical dimension and focus mapping using critical dimension test marks
US7119893B2 (en) * 2003-04-10 2006-10-10 Accent Optical Technologies, Inc. Determination of center of focus by parameter variability analysis
EP1950794A4 (en) * 2005-10-07 2010-03-31 Nikon Corp METHOD FOR MEASURING AN OPTICAL CHARACTERISTIC, EXPOSURE METHOD, COMPONENT MANUFACTURING METHOD, INVESTIGATION DEVICE AND MEASURING METHOD
DE102006006890A1 (de) * 2006-02-15 2007-08-16 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Prüfstruktur zur Prüfung der Durchbiegung einer Membran eines mikromechanischen Bauelements und entsprechende Prüfstruktur
US7948616B2 (en) * 2007-04-12 2011-05-24 Nikon Corporation Measurement method, exposure method and device manufacturing method

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4585342A (en) * 1984-06-29 1986-04-29 International Business Machines Corporation System for real-time monitoring the characteristics, variations and alignment errors of lithography structures

Also Published As

Publication number Publication date
CA1268264A (en) 1990-04-24
JPS63132428A (ja) 1988-06-04
JPH0797546B2 (ja) 1995-10-18
EP0267721A2 (en) 1988-05-18
EP0267721A3 (en) 1989-01-25
US4759626A (en) 1988-07-26
KR880006764A (ko) 1988-07-25

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