KR960036561A - Ccd형 고체촬영소자 - Google Patents

Ccd형 고체촬영소자 Download PDF

Info

Publication number
KR960036561A
KR960036561A KR1019950007586A KR19950007586A KR960036561A KR 960036561 A KR960036561 A KR 960036561A KR 1019950007586 A KR1019950007586 A KR 1019950007586A KR 19950007586 A KR19950007586 A KR 19950007586A KR 960036561 A KR960036561 A KR 960036561A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
transfer electrode
transfer
vertical
imaging device
state imaging
Prior art date
Application number
KR1019950007586A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0165375B1 (ko
Inventor
정우교
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019950007586A priority Critical patent/KR0165375B1/ko
Publication of KR960036561A publication Critical patent/KR960036561A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0165375B1 publication Critical patent/KR0165375B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/73—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors using interline transfer [IT]
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
    • H04N25/42—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by switching between different modes of operation using different resolutions or aspect ratios, e.g. switching between interlaced and non-interlaced mode

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

본 발명은 사용목적에 따라 순차주사 방식과 비월주사 방식을 임의로 선택할 수 있는 인터라인 전송 CCD 고체촬영소자에 관한 것이다. 본 발명은 제1도전형의 반도체기판 내에 2차원 매트릭스 형태로 배열된 복수의 수광 및 축적부들과, 이들의 수직열 사이에 설치된 복수의 수직전송채널과, 절연층을 개재하여 상기 수광부 및 축적부들의 수평열 사이에 설치되고 각 수직열 사이에서 상기 수직전송채널의 일부를 덮는 연장부를 가지는 복수의 전송전극단을 포함하고, 상기 전송전극단은 시간을 따라 주기적으로 변화는 서로 독립된 클럭신호가 인가되고 인접한 전극과 서로 절연되는 3개의 전극을 구비하며, 제1전송전극은 제2전송전극과 소정 간격을 두고 서로 이격 설치되고, 이들의 사이에 제3전송전극이 상기 제1 및 제2전송전극과 절연막을 개재하여 일부분이 중첩되도록 형성되며, 상기 전극전송단의 수직열을 따라 절연막을 개재하여 배열되는 금속배선을 더 포함한다. 본 발명은 선명한 정지화상을 필요로 하는 화상전화 및 감시용 카메라 등에 매우 유용하게 사용될 수 있다.

Description

CCD형 고체촬영소자
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 의한 CCD형 고체촬영소자의 일 화소부위를 확대 도시한 평면도, 제4A도는 제3도의 A-A′선 단면도, 제4B도는 제3도의 B-B′선 단면도.

Claims (5)

  1. 제1도전형의 반도체기판 내에 2차원의 매트릭스 형태로 배열된 복수의 수광 및 축적부들과 이들의 수직열 사이에 설치된 복수의 수직전송채널과, 절연층을 개재하여 상기 수광부 및 축적부들의 수평열 사이에 설치되고 각 수직열 사이에서 상기 수직전송채널의 일부를 덮는 연장부를 가지는 복수의 전송전극단을 포함하고, 상기 전송전극단은 시간에 따라 주기적으로 변하는 서로 독립된 클럭신호가 인가되고 인접한 전극과 서로 절연되는 3개의 전극을 구비하며, 제1전송전극은 제2전송전극과 소정 간격을 두고 서로 이격설치되고, 이들의 사이에 제3전송전극이 상기 제1 및 제2전송전극과 절연막을 개재하여 일부분이 중첩되도록 형성되며, 상기 전극전송단의 수직열을 따라 절연막을 개재하여 배열되는 금속배선을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CCD형 고체촬영소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 각 화소의 제3전송전극을 결선하기 위한 금속배선이 각 홀수행 화소의 제3전송전극과의 전지적 접촉을 이루는 홀수행 결선용 금석배선과 상기 홀수행 결선용 금속배선과는 소정 거리 이격되어 각 짝수행 화소의 제3전송전극과의 전기적 접촉을 이루는 짝수행 결선용 금속배선으로 구성되는 것을 특징으로 하는 CCD형 고체촬영소자.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 홀수행 화소의 제1, 제2 및 제3전송전극으로부터 각각 제1, 제2 및 제3인입선을 인출하고 상기 짝수행 화소의 제1, 제2 및 제3전송전극으로부터 제4, 제5 및 제6인입선을 각각 인출하여 상기 제1 및 제3인입선과, 제2 및 제4인입선과, 제3 및 제6인입선과의 외부 결선을 통한 3상(three-phase) 구동클럭에 의하여 순차주사방식을 선택하는 것을 특징으로 하는 CCD형 고체촬영소자.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1인입선과, 제2 및 제3인입선과, 제4인입선과, 제5와 제6인입선과의 외부결선을 통한 4상(four-phase) 구동클럭에 의하여 비월주사방식을 선택하는 것을 특징으로 하는 CCD형 고체촬영소자.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 2줄의 금속배선이 광차폐역할을 수행할 수 있도록 상기 수직전동채널 상의 중앙부위에서 소정 간격을 두고 서로 이격되며, 각 금속배선이 상기 제3전송전극의 바깥쪽으로 연장 형성되는 것을 특징으로 하는 CCD형 고체촬영소자.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950007586A 1995-03-31 1995-03-31 Ccd형고체촬영소자 KR0165375B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950007586A KR0165375B1 (ko) 1995-03-31 1995-03-31 Ccd형고체촬영소자

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950007586A KR0165375B1 (ko) 1995-03-31 1995-03-31 Ccd형고체촬영소자

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960036561A true KR960036561A (ko) 1996-10-28
KR0165375B1 KR0165375B1 (ko) 1999-03-20

Family

ID=19411358

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950007586A KR0165375B1 (ko) 1995-03-31 1995-03-31 Ccd형고체촬영소자

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR0165375B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100549641B1 (ko) * 1999-10-07 2006-02-06 후지 샤신 필름 가부시기가이샤 고체 촬상 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100549641B1 (ko) * 1999-10-07 2006-02-06 후지 샤신 필름 가부시기가이샤 고체 촬상 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR0165375B1 (ko) 1999-03-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5723884A (en) Charge coupled device image sensor having optical shielding metal
US4816916A (en) CCD area image sensor operable in both of line-sequential and interlace scannings and a method for operating the same
KR860002151A (ko) 인터라인형 전하 전송 촬상 소자 및 촬상장치
US5111263A (en) Charge-coupled device (CCD) image sensor operable in either interlace or non-interlace mode
JPH0620315B2 (ja) カラ−像の撮像デバイス
US5990503A (en) Selectable resolution CCD sensor
US5393997A (en) CCD having transfer electrodes of 3 layers
US5216489A (en) Solid state image sensor
KR19980024922A (ko) ２층 전극구조를 갖는 ｃｃｄ 촬상센서
KR960036561A (ko) Ccd형 고체촬영소자
JPS6038869A (ja) 二次元ｃｃｄイメ−ジセンサ
US7595517B2 (en) Charge coupled device having diverged channel
JP2944251B2 (ja) 固体撮像装置
US5272537A (en) Solid state imaging device for obtaining normal and mirror images from a single output
KR0165338B1 (ko) Ccd형 고체촬영소자, 이를 제조하는 방법 및 이를 구동하는 방법
US20060186949A1 (en) Charge-coupled device
KR100264414B1 (ko) 전하결합소자의고속동작방법
KR100279961B1 (ko) 고체촬상장치, 그의 제조방법 및 그의 구동방법
JP3750221B2 (ja) 固体撮像装置
US6207982B1 (en) Solid-state image pickup device capable of high-speed transfer of signal charges in horizontal direction
JPH03114236A (ja) 電荷転送装置
JPH10135442A (ja) 固体撮像素子
JP2853779B2 (ja) 固体撮像装置
EP0771104A2 (en) Two-dimensional CCD image sensor free from vertical black streaks
JPS63261744A (ja) 固体撮像装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20060830

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee