KR960034386A - 실리콘 웨이퍼 세정용 유체 및 이를 사용하는 실리콘 웨이퍼의 세정방법 - Google Patents

실리콘 웨이퍼 세정용 유체 및 이를 사용하는 실리콘 웨이퍼의 세정방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 HNO335 내지 65중량%, HF 0.05 내지 0.5 중량%, HCl 0.05 내지 0.5중량%, 계면활성제 0.002 내지 0.1중량% 및 물을 포함하는 실리콘 웨이퍼 세정용 유체와, 실리콘 웨이퍼의 표면을 당해 세정용 유체로 처리함을 포함하는 실리콘 웨이퍼의 세정방법을 제공한다. 본 발명에 따라, 실리콘 웨이퍼 표면은 에칭 양을 수십 Å, 특히 약 20 내지 30Å으로 간단히 조절함으로써 에칭시킬 수 있고, 표면평활도는 손상되지 않는다. 또한, 1012atoms/㎠ 정도의 금과 기타 중금속에 의한 오염률을 1/100 이하로 감소시킬 수 있다.

Description

실리콘 웨이퍼 세정용 유체 및 이를 사용하는 실리콘 웨이퍼의 세정방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (18)

  1. HNO335 내지 65중량%, HF 0.05 내지 0.05 중량%, HCl 0.05 내지 0.5중량%, 계면활성제 0.002 내지 0.1중량% 및 물을 포함하는 실리콘 웨이퍼 세정용 유체.
  2. 제1항에 있어서, 계면활성제가 분자에 퍼플루오로알킬 그룹을 갖는 화합물을 포함하는 실리콘 웨이퍼 세정용 유체.
  3. 제1항에 있어서, 하나는 염산, 불화수소산 및 계면활성제를 함유하는 수용액이고 다른 하나는 진한 질산인 두가지 유체의 형태로 제공되며, 사용하고자 하는 경우에 두가지 유체를 혼합함으로써 제조되는 실리콘 웨이퍼 세정용 유체.
  4. 제1항에 있어서, 한 부분은 진한 질산과 불화수소산을 함유하는 수용액이고 다른 부분은 염산과 계면활성제를 함유하는 수용액인 두 부분의 유체 형태로 제공되며, 사용하고자 하는 경우에 두 부분 유체를 혼합함으로써 제조되는 실리콘 웨이퍼 세정용 유체.
  5. 제1항에 있어서, HF 수용액, HCl 수용액 및 계면활성제 수용액을 HNO3수용액에 가함으로써 제조되는 실리콘 웨이퍼 세정용 유체.
  6. 제5항에 있어서, HF 수용액, HCl 수용액 및 계면활성제 수용액이 언급된 순서대로 HNO3용액에 첨가되는 실리콘 웨이퍼 세정용 유체.
  7. 제5항에 있어서, HCl 수용액, HF 수용액 및 계면활성제 수용액이 언급된 순서대로 HNO3용액에 첨가되는 실리콘 웨이퍼 세정용 유체.
  8. HNO335 내지 65중량%, HF 0.05 내지 0.5 중량%, HCl 0.05 내지 0.5중량%, 계면활성제 0.002 내지 0.1중량% 및 물을 포함하는 실리콘 웨이퍼 표면과 접촉시킴을 포함하는, 실리콘 웨이퍼 세정방법.
  9. 제8항에 있어서, 계면활성제가 분자에 퍼플루오로알킬 그룹을 갖는 화합물을 포함하는 실리콘 웨이퍼 세정방법.
  10. 제8항에 있어서, 접촉온도가 0 내지 30℃인 실리콘 웨이퍼 세정방법.
  11. 제10항에 있어서, 접촉온도가 10℃ 이하인 실리콘 웨이퍼 세정방법.
  12. 제8항에 있어서, 실리콘 웨이퍼의 전체 표면을 실리콘 웨이퍼 세정용 유체층으로 피복시켜 접촉시키는 실리콘 웨이퍼 세정방법.
  13. 제12항에 있어서, 유체층의 두께가 0.1 내지 1㎜인 실리콘 웨이퍼 세정방법.
  14. 제12항에 있어서, 유체층이 실리콘 웨이퍼 세정용 유체를 수평면으로 방사된 실리콘 웨이퍼의 표면에 적하시킴으로써 형성되는 실리콘 웨이퍼 세정방법.
  15. 제12항에 있어서, 유체층이 실리콘 웨이퍼 세정용 유체를 수직으로 유지되는 실리콘 웨이퍼의 표면에 붓고 캐스팅함으로써 형성되는 실리콘 웨이퍼 세정방법.
  16. 제12항에 있어서, 유체층이 실리콘 웨이퍼 세정용 유체를 수직으로 유지되는 실리콘 웨이퍼의 표면에 분무함으로써 형성되는 실리콘 웨이퍼 세정방법.
  17. 제8항에 있어서, 정제수로 세정하는 단계를 추가로 포함하는 실리콘 웨이퍼 세정방법.
  18. 제8항 세정방법에 의해 세정된 실리콘 웨이퍼.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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