KR960030454A - 부(負)의 저항온도 특성을 갖는 반도체 세라믹과 이를 사용한 반도체 세라믹 부품 - Google Patents

부(負)의 저항온도 특성을 갖는 반도체 세라믹과 이를 사용한 반도체 세라믹 부품 Download PDF

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KR960030454A
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semiconductor
ycamn
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resistance temperature
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Inventor
겐지로 미하라
히데키 니이미
데르노부 이시가와
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무라따 야스따까
가부시끼가이샤 무라따 세이사꾸쇼
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    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/04—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient
    • H01C7/042—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient mainly consisting of inorganic non-metallic substances
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Abstract

본 발명은, 일반식 Y1-XCaxMnO3(x는 0.2∼0.6이다)로 표시되는 YCaMn계 산화물 세라믹으로 이루워진 부(negative)의 저항온도 특성을 갖는 반도체 세라믹을 제공한다. 또한, 부의 저항온도 특성을 갖는 세라믹소체와 세라믹소체 위에 형성된 전극들을 포함하는 반도체 세라믹 부품들을 제공한다. 세라믹소체는 일반식 Y1-XCaxMnO3(x는 0.2∼0.6이다)로 표시되는 YCaMn계 산화물 세라믹으로 제조된다.

Description

부(負)의 저항온도 특성을 갖는 반도체 세라믹과 이를 사용한 반도체 세라믹 부품
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 세라믹 반도체 부품의 사시도이다. 제3도 본 발명의 구현예와 종래예에 따른 반도체 세라믹에서 관찰된 전류인가(통전(通電), energization)에 의한 온도상승을 나타내는 그래프이다.

Claims (8)

  1. YCaMn계 산화물 세라믹을 포함하는 것을 특징으로 하는 부(negative)의 저항온도 특성을 갖는 반도체 세라믹.
  2. 제1항에 있어서, 전기한 YCaMn계 산화물 세라믹이 식 Y1-XCaxMnO3으로 표시되는 것임을 특징으로 하는 부의 저항온도 특성을 갖는 반도체 세라믹
  3. 세라믹소체와 전기한 세라믹소체에 접속된 적어도 하나의 전극을 포함하는 반도체 세라믹 부품으로서, 전기한 세라믹 소체가 YCaMn계 산화물 세라믹으로 이루어진 것임을 특징으로 하는 반도체 세라믹 부품.
  4. 제3항에 있어서, 전기한 YCaMn계 산화물 세라믹이 식 Y1-XCaxMnO3으로 표시되는 것임을 특징으로 하는 반도체 세라믹 부품
  5. 반도체 세라믹으로 이루어진 전류억제용 장치에 있어서, 전기한 세라믹이 YCaMn계 산화물 세라믹으로 이루워지고, 부(negative)의 저항온도 특성을 갖는 것임을 특징으로 하는 전류억제용 장치.
  6. 제5항에 있어서, 전기한 YCaMn계 산화물 세라믹이 식 Y1-XCaxMnO3(x는 0.2∼0.6)으로 표시되는 것임을 특징으로하는 전류억제용 장치.
  7. 제6항에 있어서, 전기한 장치는 돌입 전류 방지 장치임을 특징으로 하는 전류억제용 장치.
  8. 제7항에 있어서, 전기한 장치는 돌입 전류 방지 장치임을 특징으로 하는 전류억제용 방치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960000887A 1995-01-18 1996-01-17 부(負)의 저항온도 특성을 갖는 반도체 세라믹과 이를 사용한 반도체 세라믹 부품 KR960030454A (ko)

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