KR960030433A - 밀착 화상 센서를 제조하는 방법 - Google Patents

밀착 화상 센서를 제조하는 방법 Download PDF

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KR960030433A
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가네꼬 히사시
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Abstract

밀착 화상 센서는 절연 기판 상에 있는 다수의 센서 소자를 갖는데, 이 센서 소자들은 공통 전극으로서의 전극 및 개별 전극으로서의 다른 전극을 갖고 있다. 밀착 화상 센서는 원고 주행 영역으로부터 공통 전극 및 개별 전극을 연장하고, 밀착 화상 센서를 활성화하기 위해 IC들을 접속하는 패드를 통해 원고 주행 영역의 외부에 공통 전극 및 개별 전극을 전기적으로 접속하는 단락 회로 패턴을 형성함으로써 개조한다. IC들이 패드에 접속된 후, 절연 기판은 공통 전극과 개별 전극 사이의 전기 접속을 해제하기 위해 단락 회로 패턴을 따라 절단된다.

Description

밀착 화상 센서를 제조하는 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 밀찰 화상 센서를 제조하는 방법을 설명하는 기판의 부분 평면도.

Claims (7)

  1. 공통 전극으로서의 전극 및 개별 전극으로서의 다른 전극을 갖고 있는 다수의 센서 소자를 절연 기판상에 갖고 있는 밀착 화상 센서를 제조하는 방법에 있어서, 원고 주행 영역의 외부로 상기 공통 전극 및 상기 개별 전극을 연장하고, 상기 밀착 화상 센서를 활성화하기 위해 IC들을 접속하는 패드를 통해 상기 원고 주행 영역의 외부에서 상기 공통 전극과 상기 개별 전극을 전기적으로 접속시키는 단락 회로 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 IC들이 상기 패드에 접속된 후, 상기 공통 전극과 상기 개별 전극 사이의 상기 전기 접속을 해제하기 위해 상기 단락 회로 패턴을 따라 상기 절연 기판을 절연하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 밀착 화상 센서 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 밀착 화상 센서는 상기 센서 소자에 각각 전기적으로접속된 다수의 스위칭 소자를 갖고 있고, 상기 스위칭 소자의 공통 전극으로서 각각의 게이트 전극 및 개별 전극으로서 각각의 드레인 또는 소스 전극을 갖는 것을 특징으로 하는 밀착 화상 센서 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 센서 소자 및 상기 스위칭 소자는 다수의 블럭으로 분할되고, 상기 블럭들의 상기 개별 전극은 매트릭스 패턴으로 접속되며, 상기 공통 전극은 상기 각각의 블럭과 관련되는 것을 특징으로 하는 밀착 화상 센서 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 절연 기판은 다수의 사이클로 절단되는 것을 특징으로 하는 밀착 화상 센서 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 절연 기판을 절연하는 상기 단계는 상기 단락 회로 패턴보다 넓은 슬라이싱 블레이드(slicing blade)를 갖는 슬라이싱 머신을 이용해 상기 단락 회로 패턴을 따라 상기 절연 기판에 도달하는 절단부를 형성하는 단계; 및 상기 단락 회로 패턴보다 넓은 상기 슬라이싱 블레이드보다 좁은 슬라이싱 블레이드를 갖는 슬라이싱 머신을 이용해 상기 절단부를 따라 상기 절연 기판을 절단해내는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 밀착 화상 센서 제조 방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 절연 기판을 절단하는 상기 단계는 매번 슬라이싱 블레이드가 단락 회로 패턴을 가로질러 시프트되는 다수의 사이클에서, 상기 단락 회로 패턴보다 좁은 슬라이싱 블레이드를 갖는 슬라이싱 머신으로 상기 단락 회로 패턴을 따라 절단 프로세스를 수행함으로써, 상기 절연 기판에 상기 단락 회로 패턴보다 넓은 절단부를 형성하는 단계; 및 상기 슬라이싱 머신으로 상기 절연 기판을 절단해내는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 밀착 화상 센서 제조 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 절연 기판의 절단부 표면에 코팅하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 밀착 화상 센서 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960001893A 1995-01-30 1996-01-29 밀착 화상 센서를 제조하는 방법 KR100206674B1 (ko)

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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09102591A (ja) * 1995-07-28 1997-04-15 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2002050754A (ja) * 2000-05-08 2002-02-15 Canon Inc 半導体装置とその製造方法、放射線検出装置とそれを用いた放射線検出システム
JP3684233B2 (ja) * 2002-05-14 2005-08-17 キヤノン株式会社 指紋入力装置及びその製造方法
US7208719B2 (en) * 2003-05-14 2007-04-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Compact integrated optical imaging assembly
US20040227059A1 (en) * 2003-05-14 2004-11-18 Spears Kurt E. Compact integrated optical imaging assembly
US7423280B2 (en) 2004-08-09 2008-09-09 Quad/Tech, Inc. Web inspection module including contact image sensors

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0298966A (ja) * 1988-10-06 1990-04-11 Fuji Xerox Co Ltd イメージセンサの製造方法
JP3009438B2 (ja) * 1989-08-14 2000-02-14 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JPH04287020A (ja) * 1991-03-15 1992-10-12 Seiko Epson Corp アクティブ基板
JP2707871B2 (ja) * 1991-05-31 1998-02-04 富士ゼロックス株式会社 電子デバイス及びその製造方法
US5422293A (en) * 1991-12-24 1995-06-06 Casio Computer Co., Ltd. Method for manufacturing a TFT panel
GB9225906D0 (en) * 1992-12-11 1993-02-03 Philips Electronics Uk Ltd Electronic device manufacture using ion implantation
US5580800A (en) * 1993-03-22 1996-12-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of patterning aluminum containing group IIIb Element
GB9416899D0 (en) * 1994-08-20 1994-10-12 Philips Electronics Uk Ltd Manufacture of electronic devices comprising thin-film circuitry

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