KR960029829A - 광학 이방성 측정 장치 및 방법 - Google Patents

Abstract

상기 오브젝트에 대해 빔이 전반사하는 동안 발생하는 에버네슨트 웨이브의 상호작용에 따라서 액정과 같은 검사될 오브젝트의 광학 이방성을 특정하기 위한 장치가 개시된다. 상기 장치는 상부에 검사될 오브젝트를 장착하기 위해 곡면과 평면을 갖는 투명 부재; 상기 투명 부재의 곡면의 제1 영역과 상기 투명 부재를 통하여 검사될 상기 오브젝트의 외부면에 입사한 빔을 방출하도록 상기 제1 영역의 반대편에 배치된 광원; 상기 광원의 방출측 상에 배치된 편광자; 상기 광원과 상기 투명 부재의 곡면의 제1 영역 사이에 배치된 입사 광학 시스템; 상기 광원으로부터 방출되고 검사될 오브젝트의 외부면에 근접된 위치에서 전반사되어 상기 투명 부재의 곡면의 제2 영역을 통하여 입사된 빔을 검출하도록 상기 제2 영역의 반대편에 배치된 광검출기; 및 상기 광검출기와 상기 투명 부재의 곡면의 제2 영역 사이에 배치된 분석기를 포함한다. 상기 검사될 오브젝트는 상기 투명 부재의 반사 지수와 거의 동일한 반사 지수를 갖는 액체를 통하여 상기 투명 부재의 평면 상에서 이동 가능하게 장착될 수 있다.

Description

광학 이방성 측정 장치 및 방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (49)

1. 광학 이방성 측정 장치(optical anisotropy measure apparatus)에 있어서, 상부에 검사될 오브젝트를 장착시키기 위해 곡면과 평면을 갖는 투명 부재, 상기 투명 부재의 곡면의 제1 영역과 상기 투명 부재를 통하여 검사될 상기 오브젝트의 외부면에 입사한 빔을 방출하도록 상기 제1 영역의 반대편에 배치된 광원, 상기 광원의 방출측 상에 배치된 편광자(polarizer), 상기 광원과 상기 투명 부재의 곡면의 제1 영역 사이에 배치된 입사 광학 시스템, 상기 광원으로부터 방출되고 검사될 오브젝트의 외부면에 근접된 위치에서 전반사되어 상기 투명 부재의 곡면의 제2 영역을 통하여 입사된 빔을 검출하도록 상기 제2 영역의 반대편에 배치된 광검출기, 및 상기 광검출기와 상기 투명 부재의 곡면의 제2 영역 사이에 배치된 분석기를 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 이방성 측정 장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 검사될 오브젝트는 상기 투명 부재의 평면 상에 고정되는 것을 특징으로 하는 광학 이방성 측정 장치.
3. 제1항에 있어서, 상기 검사될 오브젝트는 상기 평면에 대하여 이동가능하게 장착되는 것을 특징으로 하는 광학 이방성 측정 장치.
4. 제1항에 있어서, 상기 검사될 오브젝트는 상기 평면에 대하여 이동가능하게 장착된 콘데이터(container)에 배치되는 것을 특징으로 하는 광학 이방성 측정 장치.
5. 제1항에 있어서, 상기 투명 부재는 구형 세그먼트 부재(spherical segment member)인 것을 특징으로 하는 광학 이방성 측정 장치.
6. 제5항에 있어서, 상기 구형 세그먼트 부재는 반구형 부재(hemispherical memb er)인 것을 특징으로 하는 광학 이방성 측정 장치.
7. 제1항에 있어서, 상기 입사 광학 시스템은 부배율(negative power)을 갖는 것을 특징으로 하는 광학 이방성 측정 장치.
8. 제1항에 있어서, 상기 입사 광학 시스템과 상기 투명 부재는 비초점 광학 시스템(afocal optical system)인 것을 특징으로 하는 광학 이방성 측정 장치.
9. 제1항에 있어서, 상기 입사 광학 시스템은 정배율(positive power)을 갖는 것을 특징으로 하는 광학 이방성 측정 장치.
10. 제1항에 있어서, 상기 광원으로부터 방출된 빔은 상기 입력 광학 시스템에 의하여 감소된 빔 직경을 갖게 되는 것을 특징으로 하는 광학 이방성 측정 장치.
11. 제10항에 있어서, 상기 입력 광학 시스템은 비초점 광학 시스템인 것을 특징으로 하는 광학 이방성 측정 장치.
12. 제1항에 있어서, 상기 입력 광학 시스템은 검사될 상기 오브젝트의 외부면에 근접된 위치에서 상기 투명 부재의 곡률 중심과 일치하는 초점을 갖는 것을 특징으로 하는 광학 이방성 측정 장치.
13. 제5항에 있어서, 상기 구형 세그먼트 부재와 상기 분석기 사이에 배치되며 정배율을 갖는 제1출력 광학 시스템(outgoing optical system)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 이방성 측정 장치.
14. 제13항에 있어서, 상기 제1출력 광학 시스템은 상기 검사될 외부면에 근접된 위치에서 상기 구형 세그먼트의 곡률 중심과 일치하는 초점을 갖는 것을 특징으로 하는 광학 이방성 측정 장치.
15. 제1항에 있어서, 상기 투명 부재와 상기 분석기 사이에 제2출력 광학 시스템을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 이방성 측정 장치.
16. 제1항에 있어서, 상기 투명 부재는 상기 검사될 오브젝트의 반사 지수 (reflective index)보다 더 큰 반사 지수를 갖는 것을 특징으로 하는 광학 이방성 측정 장치.
17. 제1항에 있어서, 상기 입력 광학 시스템은 자신의 광축 방형으로 이동가능하게 배치된 것을 특징으로 하는 광학 이방성 측정 장치.
18. 제1항에 있어서, 상기 광원으로부터 방출된 상기 빔은 상기 투명 부재의 곡면에서 상기 투명 부재의 곡면의 곡률 중심과 일치하는 곡률 중심을 갖는 웨이브면 (wave surface)을 갖는 것을 특징으로 하는 광학 이방성 측정 장치.
19. 제1항에 있어서, 상기 검사될 오브젝트는 액정인 것을 특징으로 하는 광학 이방성 측정 장치.
20. 제1항에 있어서, 상기 투명 부재는 유리를 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 이방성 측정 장치.
21. 제1항에 있어서, 상기 투명 부재는 최소한 1.7인 반사 지수를 갖는 특징으로 하는 광학 이방성 측정 장치.
22. 광학 이방성 측정 장치에 있어서, 상부에 검사될 오브젝트를 장칙시키기 위해 곡면과 평면을 갖는 투명 부재, 상기 투명 부재의 곡면의 제1 영역과 상기 투명 부재를 통하여 검사될 상기 오브젝트의 외부면에 입사한 빔을 방출하도록 상기 제1 영역의 반대편에 배치된 광원, 상기 광원의 방출측 상에 배치된 편광자, 상기 광원으로부터 방출되고 검사될 오브젝트의 외부면에 근접된 위치에서 전반사되어 상기 투명 부재의 곡면의 제2 영역을 통하여 입사된 빔을 검출하도록 상기 제2 영역의 반대편에 배치된 광검출기, 및 상기 광검출기와 상기 투명 부재의 곡면의 제2 영역 사이에 배치된 분석기를 포함하며, 상기 검사될 오브젝트는 사이에 배치된 상기 투명 부재의 반사 지수와 거의 동일한 반사 지수를 갖는 액체로 상기 투명 부재의 평면 상에 이동가능하게 장착되는 것을 특징으로 하는 광학 이방성 측정 장치.
23. 제22항에 있어서, 상기 투명 부재는 구형 세그먼트 부재인 것을 특징으로 하는 광학 이방성 측정 장치.
24. 제22항에 있어서, 상기 투명 부재와 상기 액체는 그들 사이의 반사 지수의 차이가 ±0.05 범위 내인 것을 특징으로 하는 광학 이방성 측정 장치.
25. 제22항에 있어서, 상기 검사될 오브젝트를 상기 투명 부재의 평면에 평행한 방향으로 이동시키기 위한 이동 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 이방성 측정 장치.
26. 제22항에 있어서, 상기 검사될 오브젝트의 위치를 모니터링하기 위한 모니터링 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 이방성 측정 장치.
27. 광학 이방성 측정 장치에 있어서, 한 쌍의 기판들 사이에 검사될 오브젝트를 포함하는 셀을 상부에 장착시키기 위해 곡면과 평면을 갖는 투명 부재, 상기 투명 부재의 곡면의 제1 영역과 상기 투명 부재를 통하여 검사될 상기 오브젝트의 외부면에 입사한 빔을 방출하도록 상기 제1 영역의 반대편에 배치된 광원, 상기 광원의 방출측 상에 배치된 편광자, 상기 광원으로부터 방출되고 검사될 오브젝트의 외부면에 근접된 위치에서 전반사되어 상기 투명 부재의 곡면의 제2 영역을 통하여 입사된 빔을 검출하도록 상기 제2 영역의 반태편에 배치된 광검출기, 및 상기 광검출기와 상기 투명 부재의 곡면의 제2 영역 사이에 배치된 분석기를 포함하며, 상기 셀은 사이에 배치된 상기 투명 부재의 반사 지수와 거의 동일한 반사 지수를 갖는 액체로 상기 투명 부재의 평면 상에 이동가능하게 장착되는 것을 특징으로 하는 광학 이방성 측정 장치.
28. 제27항에 있어서, 상기 투명 부재는 구형 세그먼트 부재인 것을 특징으로 하는 광학 이방성 측정 장치.
29. 제27항에 있어서, 상기 투명 부재와 상기 액체는 그들 사이의 반사 지수의 차이가 ±0.05 범위 내인 것을 특징으로 하는 광학 이방성 측정 장치.
30. 제27항에 있어서, 상기 투명 부재측 상의 셀의 기판은 상기 액체의 반사 지수와 ±0.05 범위 내의 차를 갖는 반사 지수를 갖는 것을 특징으로 하는 광학 이방성 측정 장치.
31. 제27항에 있어서, 상기 셀을 상기 투명 부재의 평면에 평행한 방향으로 이동시키기 위한 이동 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 이방성 측정 장치.
32. 제27항에 있어서, 상기 셀의 위치를 모니터링하기 위한 모니터링 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 이방성 측정 장치.
33. 제27항에 있어서, 상기 검사될 오브젝트는 액정인 것을 특징으로 하는 광학 이방성 측정 장치.
34. 제22항 또는 제27항에 있어서, 상기 광원과 상기 투명 부재 시이에 배치된 입력 광학 시스템을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 이방성 측정 장치.
35. 제34항에 있어서, 상기 입력 광학 시스템은 부배율을 갖는 것을 특징으로 하는 광학 이방성 측정 장치.
36. 제35항에 있어서, 상기 입력 광학 시스템과 상기 투명 부재는 비초점 광학 시스템을 형성하는 것을 특징으로 하는 광학 이방성 측정 장치.
37. 제34항에 있어서, 상기 입력 광학 시스템은 정배율을 갖는 것을 특징으로 하는 광학 이방성 측정 장치.
38. 제34항에 있어서, 상기 입력 광학 시스템은 상기 광원으로부터 방출된 빔에 감소된 빔 직경(beam diameter)을 제공하기 위한 기능을 갖는 것을 특징으로 하는 광학 이방성 측정 장치.
39. 제38항에 있어서, 상기 입력 광학 시스템은 전체로서 비초점 광학 시스템을 구성하는 것을 특징으로 하는 광학 이방성 측정 장치.
40. 제34항에 있어서, 상기 입력 광학 시스템은 상기 검사될 오브젝트의 외부면에 근접된 위치에서 상기 투명 부재의 곡률 중심과 일치하는 초점을 갖는 것을 특징으로 하는 광학 이방성 측정 장치.
41. 제34항에 있어서, 상기 투명 부재와 상기 분석기 사이에 정배율을 갖는 제1출력 광학 시스템을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 이방성 측정 장치.
42. 제41항에 있어서, 상기 제1 출력 광학 시스템은 상기 투명 부재의 곡률 중심과 일치하는 초점을 갖는 것을 특징으로 하는 광학 이방성 측정 장치.
43. 제34항에 있어서, 상기 분석기와 상기 광검출기 사이에 정배율을 갖는 제2출력 광학 시스템을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 이방성 측정 장치.
44. 제34항에 있어서, 상기 투명 부재는 상기 검사될 오브젝트의 반사 지수보다 더 큰 반사 지수를 갖는 것을 특징으로 하는 광학 이방성 측정 장치.
45. 제34항에 있어서, 상기 입력 광학 시스템은 자신의 광축 방향으로 이동가능하게 배치되는 것을 특징으로 하는 광학 이방성 측정 장치.
46. 제34항에 있어서, 상기 입사 광학 시스템은 상기 투명 부재의 구면 상에서 상기 광원으로부터 방출된 빔에 상기 구면의 곡률 중심과 일치하는 곡률 중심을 갖는 웨이브 면을 제공하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 광학 이방성 측정 장치.
47. 광학 이방성 측정 방법에 있어서, 제1항, 제22항 및 제27항 중 어떤 한 항에 따른 광학 이방성 측정 장치를 사용함으로써 검사될 오브젝트의 광학 이방성을 측정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 이방성 측정 방법.
48. 제47항에 있어서, 상기 검사될 오브젝트는 액정을 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 이방성 측정 방법.
49. 액정 소자를 제조하기 위한 프로세스에 있어서, 제48항의 방법에 따라 액정의 광학 이방성을 측정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 소자 제조 프로세스.

    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.