KR960019755A - 불휘발성 반도체 메모리장치 - Google Patents

불휘발성 반도체 메모리장치 Download PDF

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KR960019755A
KR960019755A KR1019940031017A KR19940031017A KR960019755A KR 960019755 A KR960019755 A KR 960019755A KR 1019940031017 A KR1019940031017 A KR 1019940031017A KR 19940031017 A KR19940031017 A KR 19940031017A KR 960019755 A KR960019755 A KR 960019755A
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KR
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floating gate
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buried
semiconductor memory
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KR1019940031017A
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Inventor
김만승
Original Assignee
문정환
금성일렉트론 주식회사
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10B41/30—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by the memory core region
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10B41/41—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by the peripheral circuit region of a memory region comprising a cell select transistor, e.g. NAND

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Abstract

본 발명은 불휘발성 반도체 메모리장치에 관한 것으로, 고집적화에 적당하도록 선택 트랜지스터가 없는 EEPROM 셀구조에 관한 것이다. 본 발명은 반도체기판과, 상기 반도체기판 상부에 차례로 적층되어 형성된 플로팅게이트와 층간절연막 및 컨트롤게이트, 상기 플로팅게이트 일측의 기판 표면부위에 형성된 소오스가 되는 매몰 n+영역, 상기 플로팅게이트 타측의 플로팅게이트 하부영역의 일부를 포함한 기판 표면영역에 형성된 비트라인이 되는 매몰 n+영역, 상기 플로팅게이트와 상기 비트라인이 되는 매몰 n+영역 사이의 소정부분에 형성된 터널산화막을 포함하여 이루어지는 불휘발성 반도체 메모리장치를 제공함으로써 선택트랜지스터 없이 EEPROM 셀을 구성하여 셀의 점유면적을 감소시켜 칩의 제조비용을 절감시킬 수 있도록 한다.

Description

불휘발성 반도체 메모리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 EEPROM 셀 단면구조도 및 등가회로도.

Claims (1)

  1. 반도체기판과, 상기 반도체기판 상부에 차례로 적층되어 형성된 플로팅게이트와 층간절연막 및 컨트롤게이트와, 상기 플로팅게이트 일측의 기판 표면부위에 형성된 소오스가 되는 매몰 n+영역, 상기 플로팅게이트 타측의 플로팅게이트 하부영역의 일부를 포함한 기판 표면영역에 형성된 비트라인이 되는 매몰 N+영역, 상기 플로팅게이트과 상기 비트라인이 되는 매몰 n+영역 사이의 소정부분에 형성된 터널산화막을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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