Claims (10)
반도체 기판상에 필드산화막을 형성하는 스텝과, 게이트산화막, 게이트, 제1 및 제2불순물영역 및 게이트 측벽에 제1스페이서를 형성하여 트랜지스터를 형성하는 스텝과, 기판 전면에 절연막을 증착하고 전면 식각하여 1차로 기판을 평탄화시키는 스텝과, 비트라인 콘택용 마스크패턴을 이용하여 제1불순물영역 상부의 상기 1차 평탄화용 절연막을 제거하여 비트라인 콘택을 형성하고 제1불순물영역을 노출시키는 스텝과, 비트라인 콘택내부의 측벽에 제2스페이서를 형성하는 스텝과, 상기 비트라인 콘택을 통해 노출된 제1불순물영역과 접촉되도록 1차 평탄화용 절연막상에 비트라인을 형성하는 스텝과, 기판 전면에 걸쳐 2차 평탄화용 절연막을 형성하는 스텝과, 제2불순물영역 상부의 1차 및 2차 평탄화용 절연막을 제거하여 노드콘택을 형성하고 제2불순물영역을 노출시키는 스텝과, 상기 노드콘택내부의 측벽에 제3스페이서를 형성하는 스텝과, 상기 노출된 제2불순물영역과 접촉되도록 기판 전면에 걸쳐 스토리지노드용 1차 폴리실리콘막을 형성하고, 1차 폴리실리콘막상에 필라용 절연막을 순차 형성 하는 스텝과, 1차 폴리실리콘막과 필라용절연막을 제거하여 노드콘택을 포함한 2차 평탄화용 절연막상에만 남겨두는 스텝과, 스토리지노드용 2차 폴리실리콘막을 기판 전면에 증착하고 에치백하여 필라용 절연막의 측벽에만 남겨두는 스텝과, 1차 폴리실리콘막상의 필라용 절연막을 제거하여 1차 폴리실리콘막과 2차 폴리실리콘막으로 이루어진 스토리지노드를 형성하는 스텝과, 상기 스토리지노드의 표면에 유전체막을 형성하는 스텝과, 기판 전면에 걸쳐 폴리실리콘막을 증착하여 플레이트노드를 형성하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.Forming a field oxide film on the semiconductor substrate, forming a transistor by forming a first spacer in the gate oxide film, the gate, the first and second impurity regions and the gate sidewalls, depositing an insulating film on the entire surface of the substrate and etching the entire surface Forming a bit line contact by exposing the first impurity region by exposing the first planarization insulating layer on the first impurity region by using a bit line contact mask pattern Forming a second spacer on a sidewall of the bit line contact, forming a bit line on the first planarization insulating film so as to be in contact with the first impurity region exposed through the bit line contact; And forming a node contact by removing the steps of forming the second planarization insulating film, and removing the first and second planarization insulating films above the second impurity region. Exposing a pure water region, forming a third spacer on a sidewall of the node contact, forming a primary polysilicon film for a storage node over the entire surface of the substrate to be in contact with the exposed second impurity region, 1 A step of sequentially forming a pillar insulating film on the primary polysilicon film, a step of removing the primary polysilicon film and the pillar insulating film and leaving it only on the secondary planarization insulating film including a node contact, and a secondary polysilicon for a storage node Depositing and etching back the film on the entire surface of the substrate, leaving only the sidewalls of the pillar insulating film; and removing the pillar insulating film on the primary polysilicon film to form a storage node consisting of the primary polysilicon film and the secondary polysilicon film. And forming a dielectric film on the surface of the storage node, and depositing a polysilicon film over the entire surface of the substrate. A manufacturing method of a semiconductor device comprising the step of forming.
제1항에 있어서, 제1평탄화용 절연막으로 산화막이 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein an oxide film is used as the first flattening insulating film.
제1항에 있어서, 제1스페이서 및 제2스페이서로 산화막이 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein an oxide film is used as the first spacer and the second spacer.
제1항에 있어서, 2차 평탄화용 절연막은 산화막, 질화막 및 산화막의 3중구조를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the insulating film for secondary planarization has a triple structure of an oxide film, a nitride film and an oxide film.
제4항에 있어서, 2차 평탄화용 절연막중 질화막은 상기 스토리지노드 형성을 위한 필라용 절연막 제거시 에치스톱퍼로서 작용하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.The method of claim 4, wherein the nitride film of the insulating film for secondary planarization functions as an etch stopper when removing the pillar insulating film for forming the storage node.
제4항에 있어서, 2차 평탄화용 절연막에서 질화막 상부의 산화막은 상기 스토리지 노드 형성을 위한 필라용 절연막 제거시 함께 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.The method of claim 4, wherein the oxide layer on the nitride layer of the second planarization insulating layer is removed together when the pillar insulating layer for forming the storage node is removed.
제1항에 있어서, 평탄화용 절연막을 형성하는 방법은 절연막을 기판 전면에 걸쳐 증착한 후 전면 식각하는 방법 또는 절연막을 기판 전면에 걸쳐 증착한 후 열처리하는 방법중 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.The method of claim 1, wherein the planarization insulating film is formed by depositing an insulating film over the entire surface of the substrate and then etching the entire surface. Method of manufacturing the device.
제1항에 있어서, 제3스페이서를 형성하는 스텝은 기판 전면에 걸쳐 질화막을 증착하는 스텝과, 질화막상에 산화막을 증착하는 스텝과, 질화막과 산화막을 동시에 에치백하여 노드콘택 내부의 측벽에만 질화막과 산화막을 남겨두는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.The method of claim 1, wherein the forming of the third spacer comprises: depositing a nitride film over the entire surface of the substrate; depositing an oxide film on the nitride film; A method of manufacturing a semiconductor device, comprising the step of leaving a superoxide film.
제8항에 있어서, 제3스페이서를 구성하는 질화막은 상기 스토리지노드형성을 위한 절연막 제거시 에치스톱퍼로서 작용하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.9. The method of claim 8, wherein the nitride film constituting the third spacer acts as an etch stopper when removing the insulating film for forming the storage node.
제1항에 있어서, 스토리지노드는 노드콘택에 오버랩되어 형성된 1차 폴리실리콘막과 상기 1차 폴리실리콘막의 종단과 접촉하여 형성된 2차 폴리실리콘막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.The method of claim 1, wherein the storage node comprises a primary polysilicon film formed to overlap a node contact and a secondary polysilicon film formed in contact with an end of the primary polysilicon film.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.