KR960016763B1 - 몰리브덴 기본합금 및 그로부터 제조된 인입선 - Google Patents

Abstract

요약없음.

Description

몰리브덴 기본합금 및 그로부터 제조된 인입선

제1도는 본 발명의 인입선이 제공된 램프의 한 단부를 도시하는 부분 단면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 원통벽,3 : 시일,

5 : 몰리브덴포일,7, 9 : 전선,

11 : 방열전극.

본 발명은 몰리브덴 기본합금 및 그와 같은 합금으로부터 제조되는 전선에 관한 것으로서, 상기 전선은 전등 또는 램프의 유리 또는석영 외피들에 사용하기 위한 인입선으로서 특히 유용한 것이다.

전기 램프의 유리 또는 석영 외피의 핀치 시일을 통해 전류를 전도하기 위한 인입선으로서 몰리브덴선을 사용하는 것을 널리 알려져 있으며, 또한 흔히 채용되고 있는 일이다.

따라서, 하디스의 미합중국 특허 제4,015,165호에 있어서는, 전기 램프의 유리 또는 석영 외피내에 제공된 전류 전도체에 대하여 핀치 시일에 합체된 몰리브덴 포일로 핀치 시일을 통해 전류를 전도해 주기 위해 몰리브덴 단부선(또한 외부 전류 전도체)이 사용되고 있다.

패트리션등의 미합중국 특허 제4,322,248호는 약 2 내지 6중량%의 탄탈(게터링제로서)과 도판트로서 약 50 내지 1000중량ppm의 규소 및 50 내지 1000중량부의 칼륨을 함유하는 몰리브덴합금으로 형성된 전선을 보여준다. 이 패트리션등의 특허는 그안에 발표된 전선들이 일반적으로 전기 램프, 특히 할로겐 백열 램프들에 사용된 유리 또는 석영 외피들의 핀치시일들속으로 전기를 전도하기 위한 인입선들로서 유용하다는 결론에 이르고 있다.

또한, 텅스텐 할라이드 백열 전등내에 핀치시일을 통해 전류를 전도하기 위해, 도우핑되지 않은 몰리브덴인입선을 사용하는 것이 반 데르 린덴등의 미합중국 특허 제3,538,373호에 도시되어 있다.

마찬가지로, 몰리브덴서 및 포일용으로의 사용이 휘스켄스의 미합중국 특허 제3,736,454호에 발표되어 있다. 부가로, 고압 방전 램프내에서 핀치시일을 통해 전류를 전도하는 몰리브덴 인입선 및 포일의 사용이 쿠스등의 미합중국 특허 제3,953,755호, 바르쉬네아의 미합중국 특허 제4,539,509호, 훈슬러등의 미합중국 특허 제4,389,201호 및 키에프등의 미합중국 특허 제4,302,699호에 도시되어 있다.

일반적으로, 인입선용으로 사용된 이들 몰리브덴선들이 갖는 문제점을 비교적 낮은 재결정 온도를 갖고 있다는 것이다. 따라서, 몰리브덴선(예를 들어 30mil 직경의 맨드릴 등급 몰리브덴)은 1100℃에서 실온 인장강도에 실질적인 손실을 초래하는 완전히 재결정화된 등축 입자 구조를 일으킨다. 이러한 실온 인장강도에서의 손실을 방광 온도가 증가함에 따라 상당히 증가한다.

MOD 등급 몰리브덴을 만들기 위해 몰리브덴에 칼륨과 규소를 도우핑하면 재결정온도가 길디란 방향성 입자 형성물과 함께 약 1650℃까지 증가한다. 그 결과, MOD 등급 몰리브덴으로부터 제조된 MOD 등급 전선을 실질적으로 개선된 실온 인강강도를 나타내며, 전기 램프내에 핀치 시일을 적용함에 있어서 고온 및 저온 모두에서 개량된 강도를 보여준다.

그러나, K-Si 도우핑된 몰리브덴의 산출을 비교적 시간이 많이 들고 고가로 된다. 따라서, 일반적으로 채용되는 방법은 몰리브덴을 산호 규소 및 칼륨으로 슬러리 도우핑하고, 할로겐에서의 소결을 포함하여 두단계 환원을 분말에 가해주며, 분쇄하는 것을 포함한다. 다음에, 인고트를 압축하고 소결한 다음 전선을 뽑아낸다.

본 발명의 주목적은 필적할만한 개선된 특성을 나타내면서 칼륨 및 규소로 도우핑된 몰리브덴보다 용이하게 산출할 수 있는 몰리브덴 기본합금을 제공하는데 있다.

본 발명의 다른 목적은 상당히 개선된 특성의 규소 및 칼륨로 도우핑된 몰리브덴 합금을 제공하는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은 전기 램프에 있어서의 압착 밀봉 적용을 위해 특히 적합한 개량된 인입선을 제공하는 것이다.

본 발명의 한 특징에 따라서, 본질적으로 몰리브덴과, 약 2중량%까지의 양을 갖는 3산화 이트륨(Y₂O₃) 및, 약 0.8중량%까지의 양을 갖는 붕화몰리브덴으로 이루어지는 신규의 몰리브덴 기본합금이 산출된다.

K-Si로 도우핑된 몰리브덴보다 훨씬 생성하기 용이한 이 합금은 재결정 온도면에서의 증가를 나타내며, 이 합금으로부터 산출된 전선은 K-Si로 도우핑된 몰리브덴 합금에 의해 성취된 것과 필적할만한 실온 인장강도에서의 개선을 나타낸다.

본 발명의 다른 특징에 의하면, 본질적으로 칼륨 및 규소로 도우핑된 몰리브덴으로 이루어지며 약 2.0중량%까지의 양을 갖는 3산화 이트륨과 약 0.8중량%까지의 양을 갖는 몰리브덴으로 부가로 함유하는 신규의 Si 몰리브덴 기본합금이 산출된다. 이 Si 합금은 재결정 온도면에서의 증가를 나타내며, 공지의 K-Si로 도우핑된 몰리브덴과 비교할때 이 합금으로부터 산출된 전선의 실온 인장강도에 개선을 가져온다.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 핀치시일에 연결된 인입선이 본 발명의 신규한 몰리브덴 기본합금 전선으로 형성되도록 된, 투광 외피를 갖는 전기 램프를 제공한다.

본 발명의 한 특징에 따르면, 합금 조성은 본질적으로 2중량% 이하의 Y₂O₃와 0.8중량% 이하의 M₀B를 갖는 몰리브덴으로 이루어지지만, Y₂O₃의 농도가 0.1 내지 2.0중량%이고 M₀B의 농도가 0.01 내지 0.08중량%인 경우 최선의 결과가 달성된는 것이 발견되었다.

양호하게는, K-Si로 도우핑된 몰리브덴은 70 내지 100부의 칼륨과 30 내지 150ppm의 규소를 함유한다. 본 발명에 의하면, 도우핑된 몰리브덴 합금은 0.1 내지 2.0중량%의 Y₂O₃와 0.01 내지 0.08중량%의 M₀B를 함유하는 것이 바람직하다.

이하, 다음의 실예들과 첨부 도면을 참조하여 본 발명을 더욱 상세히 설명한다. 첨부의 단일 도면은 본 발명의 인입선을 채용한 램프의 한 단부를 도시하는 부분 단면도이다.

도우핑되지 않은 몰리브덴 분말에는 1.0중량%의 Y₂O₃와 0.2중량%의 M₀B가 섞여 있다. 이 혼합물과 도우핑되지 않은 맨드릴 몰리브덴으로부터 인고트가 압착되었다. 1985℃에서 9시간 동안 소결한 후, 인고트를 스웨이징하여 0.762㎜(0.030inch)의 전선을 뽑아냈다. 최종 전선의 굽힘 특성이 15초동안 질소내에 전선들을 플래싱하므로서 비교되었다. 이들 시험의 결과가 다음의 표 1에 보여진다.

[표 1]

발표된 합금의 미세 구조는 길다란 입자 형성물의 경향을 약간 띠면서 현저히 작은 등축 입자들을 나타냈다. 도우핑되지 않은 맨들리 몰리브덴은 1630℃에서 커다란 등축 입자들을 나타냈다. 본 발명의 이들 합금으로부터 산출된 전선의 굽힘 특서을 몰리브덴에 산화 알루미늄이나 산화토륨을 유사량 섞고 최종 전선을 15초 동안 1630℃에서 질손에 플래싱하면 0°또는 1°굽힘이라는 매우 빈약한 결과를 발생한다는 사실면에서 놀라운 것이었다.

본 발명의 이러한 특징을 갖는 합금들을 K-Si로 도우핑된 합금들만큼 양호하지는 않지만, 석영 압착 시일적용들에 대해서는 매우 유용하며 훨씬 적은 비용으로 산출되다는 잇점을 갖고 있다.

K-Si로 도우핑된 합금의 산출을 위해 소결전에 요구되는 할로겐의 두단계 환원은 본 발명의 이러한 특징을 갖는 몰리브덴 합금을 산출하는데에는 필요치 않다.

[실예 2]

78ppm의 K와 110ppm의 Si로 도우핑되어 있는 몰리브덴에 0.5중량%의 Y₂O₃와 0.1중량%의 M₀B를 혼합했다. 이 분말로부터 인고트를 압착하고, 1985℃에서 9시간동안 소결했다. 그 결과, 9.42gm/㏄의 밀도가 얻어졌다. 다음에 이들 인고트는 스웨이징 처리되어 0.762㎜(0.030inch)의 전선으로 인발되었다.

K와 Si의 양들로 도우핑된 몰리브덴과 이러한 합금과를 1740℃에서 15초 동안 플래싱하여 미세 구조를 비교한 바, K-Si로 도우핑된 몰리브덴은 완전히 재결정화되었고 길다란 입자들을 나타낸 반면, 합금은 대부분 섬유 구조를 나타냈다.

전선들을 15초동안 질소에서 플래싱한 다음 실온에서 인장 강도를 시험한 후, 다음과 같은 최대 인장강도(UTS)의 값들이 얻어졌다.

[표 2]

상기 표에서 나타난 바와 같이, K-Si로 도우핑된 몰리브덴에의 Y₂O₃및 M₀B의 첨가의 특히 1700℃에서 K-Si로 도우핑된 몰리브덴의 특성을 향상시켰다. 고온에서 향상된 인장강도의 결과, 본 발명의 Y₂O₃및 M₀B 변형 K-Si로 도우핑된 몰리브덴 합금은 전기 램프, 특히 고농도 방전 램프의 석영 또는 경유리 외피에서의 핀치 시일에 의한 밀봉용 인입선으로서 사용하기에 특히 적당하다.

이러한 합금은, 향상된 인장강도에 더하여 얇은 합금으로부터 형성된 전선이 1630℃, 1740℃ 및 1860℃의 온도에서 발광한 후, 손상없이 많은 굽힘을 받을 수 있기 때문에 그와같은 목적에 특히 유용하다.

본 발명 합금으로부터 얻어지는 전선의 사용적용의 예가 본 발명의 인입선을 구비한 램프의 단부를 도시하는 부분 단면도인 첨부 도면에 유일하게 도시되어 있다.

도면에 도시되어 있는 바와 같이, 전기 램프의 석영 외피의 원통벽(1)에는 몰리브덴포일(5)을 둘러싸는 시일(3)이 구비된다. 본 발명의 몰리브덴 합금으로부터 형성된 전선(7)은 포일(5)의 한 단부에 밀봉되며, 외피로부터 연장하는 이 전선(7)은 인입선 또는 전류 공급선으로서의 작용을 한다. 본 발명의 몰리브덴 합금 또는 포일(5)의 반대폭에 고정된 텅스텐으로부터 형성된 전선(9)은, 램프의 외피내에 위치하면서 텅스텐으로 형성된 방열 전극(11)에 전류를 공급한다.

본 발명을 상술하였지만, 본 발명의 정신과 범위를 벗어나지 않고서 여러가지 변경이 가해질 수 있음은 본 기술분야에 숙련된 자에게는 명백하다.

Claims (8)

1. 램프용 인입선 제조에 특히 적합한 몰리브덴 기본합금에 있어서, 상기 합금이 본질적으로 붕화 몰리브덴 0.01 내지 0.8중량%와, 3산화 이트륨 0.01 내지 2중량% 및, 몰리브덴으로 구성된 것을 특징으로 하는 몰리브덴 기본합금.
2. 램프용 인입선 제조에 특히 적합한 몰리브덴 기본합금에 있어서, 상기 합금이 본질적으로 칼륨 70 내지 100중량ppm과 규소 30 내지 50중량ppm으로 도우핑된 몰리브덴과, 3산화 이트륨(Y₂O₃) 0.1 내지 2.0중량% 및, 붕화몰리드덴(M₀B) 0.01 내지 0.8중량%로 구성된 것을 특징으로 하는 몰리브덴 기본 합금.
3. 상기 제1항의 합금으로 형성된 것을 특징으로 하는 램프용 인입선.
4. 상기 제2항의 합금로 형성된 것을 특징으로 하는 램프용 인입선.
5. 투광 벽부가 제공된 투광 외피와 핀치 시일 및 상기 외피로부터 떨어져 상기 핀치 시일로부터 연장되는 인입선을 포함하여, 상기 인입선은 본질적으로 몰리브덴과 3산화 이트륨(Y₂O₃) 0.01 내지 2중량% 및 붕화 몰리브덴(M₀B) 0.01 내지 0.8중량%로 구성된 몰리브덴 기본합금인 것을 특징으로 하는 전기 램프.
6. 투광 벽부가 제공된 투광 외피 램프와 핀치 시일 그리고 상기 외피로부터 떨어져서 상기 핀치 시일로부터 연장되는 인입선을 포함하며, 상기 인입선은 본질적으로 칼륨 70 내지 100중량부와 규소 30 내지 150중량부로 도우핑된 몰리브덴, 3산화 이트륨(Y₂O₃) 0.1 내지 0.2중량% 및, 붕화 몰리브덴(M₀B) 0.1 내지 0.8중량%로 구성된 몰리브덴 기본합금인 것을 특징으로 하는 전기 램프.
7. 제5항에 있어서, 투광 벽부가 석영으로 형성된 것을 특징으로 하는 전기 램프.
8. 제6항에 있어서, 투광 벽부가 석영으로 형성된 것을 특징으로 하는 전기 램프.

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