KR960015709A - 하전입자선 전사 장치 - Google Patents

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KR960015709A
KR960015709A KR1019950037259A KR19950037259A KR960015709A KR 960015709 A KR960015709 A KR 960015709A KR 1019950037259 A KR1019950037259 A KR 1019950037259A KR 19950037259 A KR19950037259 A KR 19950037259A KR 960015709 A KR960015709 A KR 960015709A
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KR1019950037259A
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데루아끼 오끼노
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오노 시게오
가부시끼가이샤 니콘
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    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
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    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
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    • H01J37/3174Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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Abstract

전자선 진사 장치에서는 전자총(10)으로부터 방출된 전자선이 마스크(M)로 전달되며, 마스크(M)를 통과한 전자선은 전자선의 산란정도와 연관된 세기에서 웨이퍼(W)상에 입사된다. 전자총(10) 및 마스크(M)사이의 전위차는 전자총(10) 및 웨이퍼(W)사이의 전위차보다 커서 마스크(M)를 통과하는 전자선은 마스크(M)를 통과하는 시간에 전자선보다 낮은 속도에서 웨이퍼(W)에 입사한다. 따라서, 웨이퍼(W)위에 코팅된 레지스트의 강도 감소 및 웨이퍼(W)에서의 열 발생을 억제하는 것이 가능하며, 산란 마스크의 바람직한 효과 및 하전입자선으로서 전자선에 대한 바람직한 상태를 얻는다.

Description

하전입자선 전사 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제l실시예에 따른 전자선 전사장치의 구성도,
제2도는 본 발명의 제1실시예에 따른 전자선 전사장치의 구성도.

Claims (8)

  1. 방출 소스로부터 방출된 하전입자선이 마스크로 유도되며, 상기 마스크를 통과한 하전입자선이 하전입자선의 산란 정도와 연관된 세기로 전사될 표면위에 입사되는 하전입자선 전사 장치에 있어서, 상기 하전입자선 전사 장치는 마스크를 통과한 하전입자선이 마스크를 통과하는 시간에 하전입자선에서보다 작은 속도에서 전사면위에 입사되도록 하전입자선의 속도를 제어하는 속도 제어 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 하전입자선 전사 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 속도 제어 장치는 방출 소스와 마스크사이의 전위차가 방출 소스와 방출 감응 기판 사이의 전위차보다 크도록 배열되는 것을 특징으로 하는 하전입자선 전사 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 속도 제어 장치는 상기 표면에 하전입자선을 보내기 위하여 광학 시스템의 끝부분에서와 같이 높은 속도에서 하전입자선이 통과시키고, 상기 하전입자선은 상기 끝부분 및 상기 표면사이에서 감속되도록 배열되는 것을 특징으로 하는 하전입자선 전사 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 속도 제어 장치는 방출 소스와 마스크사이의 전위차가 방출 소스와 상기 표면사이의 전위차보다 크며 전체 광학 시스템이 상기 마스크와 같은 진위로 설정되도륵 배열되는 것을 특징으로 하는 하전입자선 전사 장치.
  5. 제3 또는 4항에 있어서, 상기 표면 및 상기 광학 시스템의 끝부분사이에 제공되는 차폐부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 하전입자선 전사 장치.
  6. 방출 소스로부터 방출된 하전입자선이 마스크로 유도되며, 상기 마스크를 통과한 하전입자선이 하전입자선의 산란 정도와 연관된 세기로 전사될 표면위에 입사되는 하전입자선 전사 장치에 있어서, 상기 하전입자선 전사 장치는 상기 방출 소스 및 상기 마스크사이의 제1전위차를 설정하는 제1장치; 및 상기 방출 소스 및 상기 표면사이의 제2전위차를 설정하는 제2장치를 포함하며, 상기 제2전위차는 상기 제1전위차보다 큰 것을 특징으로 하는 하전입자선 전사 장치.
  7. 제6항에 있어서. 상기 제2전위차 설정 장치는 상기 표면을 접지전위로 설정하는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 전사 장치.
  8. 제6항에 있어서, 상기 제1전위차 설정 장치는 상기 마스크를 접지전위로 설정하는 것을 특징으로 하는 하전입자선 전사 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950037259A 1994-10-26 1995-10-26 하전입자선 전사 장치 KR960015709A (ko)

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