KR960009245A - 광통신 소자의 플립-칩 본딩방법 및 그를 사용한 패키징방법 - Google Patents

광통신 소자의 플립-칩 본딩방법 및 그를 사용한 패키징방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 광의 생성, 검출, 변조 및 분배기능을 수행하는 각종의 광소자의 플립-칩(flip-chip bonding) 방법과 이 방법에 의해 플립-칩 본딩된 광소자와 광섬유를 패키징하는 방법에 관한 것으로서, 특히 실리콘 V-홈(groove)을 이용하여 기판과 칩 사이의 간격을 최소화시킬 수 있는 플립-칩 본딩방법 및 그를 사용한 패키징방법에 관한 것이다.
본 발명은 실리콘기판내에 소정의 V-홈(groove)을 형성하는 단계와, 상기 기판의 V-홈 내부에 솔더범프용 금속패드를 형성하는 단계와, 상기 금속 패드상부에 솔더 범프를 형성하는 단계와, 절연막, 금속패드 및 광소자 등을 구비한 소정 칩을 뒤집어서 상기 기판과 정렬시킨 후, 상기 솔더범프를 용융점 이상의 온도로 가열하여 리플로우(reflow)시킨 상태에서 칩에 압력을 가하여 상기 기판과 칩을 밀착, 고정시키는 단계와, 상기 기판위에 광섬유가 고정될 별도의 V-홈을 형성한 후, 광섬유를 상기 별도의 V-홈에 정렬시키고, 에폭시를 이용하여 고정시키는 단계를 포함한다.

Description

광통신 소자의 플립-칩 본딩방법 및 그를 사용한 패키지방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 플립-칩 본딩방법을 도시한 공정단면도.
제3도는 본 발명의 패키징방법에 의해 패키징된 광통신 소자의 개략적인 단면도.

Claims (6)

  1. 실리콘 기판상의 소정패턴의 절연막을 마스크로 이용하여 기판내에 소정의 V-홈(groove)을 형성하는 단계, 상기 기판의 V-홈 내부에 솔더범프용 금속패드를 형성하는 단계, 상기 금속패드 상부에 솔더 범프를 형성하는 단계 및 절연막, 금속패드 및 광소자 등을 구비한 소정 칩을 뒤집어서 상기 기판과 정렬시킨 후, 상기 솔더범프를 용융점 이상의 온도로 가열하여 리플로우(reflow)시킨 상태에서, 칩에 압력을 가하여 상기 기판과 칩을 밀착, 고정시키는 단계들로 이루어진 Si V-홈을 이용한 플립-칩 본딩(flip-chip bonding) 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 솔더범프는 리플로우시 상기 실리콘 V-홈을 넘쳐 홈밖으로 번지는 것을 방지하기 위하여, 그 부피를 상기 V-홈의 부피보다 더 작게 형성시킨 Si V-홈을 이용한 플립-칩 본딩방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 기판과 칩의 평면방향 정렬을 용이하게 하기 위하여, 밀착되기 직전의 상기 리플로우된 솔더범프의 높이를 상기 V-홈의 깊이보다 더 크게 형성시킨 Si V-홈을 이용한 플립-칩 본딩방법.
  4. 실리콘 기판상의 소정패턴의 절연막을 마스크로 이용하여 기판내에 소정의 V-홈(groove)을 형성하는 단계와, 상기 기판의 V-홈 내부에 솔더범프용 금속패드를 형성하는 단계와, 상기 금속패드 상부에 솔더범프를 형성하는 단계와, 절연막, 금속패드 및 광소자 등을 구비한 소정 칩을 뒤집어서 상기 기판과 정렬시킨 후, 상기 솔더범프를 용융점 이상의 온도로 가열하여 리플로우(reflow)시킨 상태에서 칩에 압력을 가하여 상기 기판과 칩을 밀착, 고정시키는 단계로 이루어진 플립-칩 본딩방법을 사용하여, 상기 기판위에 광섬유가 고정될 별도의 V-홈을 형성한 후, 상기 광섬유의 코아의 중심축과 상기 칩에 형성된 수광 또는 발광부의 중심축이 자기정렬되도록 광섬유를 상기 별도의 V-홈에 정렬시키고, 에폭시를 이용하여 고정시키는 광통신 소자의 패키징방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 솔더범프는 리플로우시 상기 실리콘 V-홈을 넘쳐 홈밖으로 번지는 것을 방지하기 위하여, 그 부피를 상기 V-홈의 부피보다 더 작게 형성시킨 플립-칩 본딩방법을 사용한 패키징방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 기판과 칩의 평면방향 정렬을 용이하게 하기 위하여, 밀착되기 직전의 상기 리플로우된 솔더범프의 높이를 상기 V-홈의 깊이보다 더 크게 형성시킨 플립-칩 본딩방법을 사용한 패키징방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6090301A (en) * 1996-12-02 2000-07-18 Fujitsu Limited Method for fabricating bump forming plate member
KR100724880B1 (ko) * 2005-03-25 2007-06-04 삼성전자주식회사 광소자 모듈 패키지 및 그 제작 방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000199827A (ja) * 1998-10-27 2000-07-18 Sony Corp 光導波装置およびその製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6090301A (en) * 1996-12-02 2000-07-18 Fujitsu Limited Method for fabricating bump forming plate member
KR100273649B1 (ko) * 1996-12-02 2001-01-15 아끼구사 나오유끼 범프형성용판부재의제조방법및범프형성방법
KR100724880B1 (ko) * 2005-03-25 2007-06-04 삼성전자주식회사 광소자 모듈 패키지 및 그 제작 방법

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