KR960008771Y1 - Volume strength and weakness detecting circuit of electronic organ - Google Patents
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Abstract
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Description
제1도는 본 고안에 따른 전자오르간의 음량 강약 검출회로도이고,1 is a volume intensity detection circuit diagram of an electronic organ according to the present invention,
제2도는 본 고안에 따른 전자오르간의 음량 강약 검출회로의 각 지점의 신호 입출력 파형도이며,2 is a signal input and output waveform diagram of each point of the volume intensity detection circuit of the electronic organ according to the present invention,
제3도는 본 고안에 따른 전자오르간의 음량 강약 검출회로에 사용되는 전자오르간 건반의 누름감지장치도이다.3 is a pressure sensing device of the electronic organ keyboard used in the volume intensity detection circuit of the electronic organ according to the present invention.
제4도는 전자오르간의 건반의 동작 상태도로서,4 is an operation state diagram of a key of an electronic organ,
(a)도는 전자오르간의 측면도이고,(a) is a side view of an electron organ,
(b)도는 전자오르간 건반의 가압 상태도이다.(b) is a pressurized state diagram of an electronic organ keyboard.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
11, 12 : 발광다이오드 13, 14 : 수광트랜지스터11, 12: light emitting diodes 13, 14: light receiving transistor
5, 17 : 전계효과트랜지스터(FIELD EFFECT TRANSISTOR : FET)5, 17: Field Effect Transistor (FET)
16, 18 : 버퍼(BUFFER)회로 19 : 제1감지공16, 18: buffer circuit 19: first detection hole
20 : 제2감지공 21 : 건반20: second detection ball 21: keyboard
CPU : 중앙처리장치(CENTRAL PROCESSING UNIT : CPU)CPU: Central Processing Unit (CPU)
C1~C2: 콘덴서 A : 건반누름장치C 1 ~ C 2 : Condenser A: Keyboard Press Device
본 고안은 전자오르간에 있어서, 특히 눌려지는 건반의 속도를 콘덴서에 충전되는 전압의 값에 의해 중앙연산처리에서 음의 강약을 검출할 수 있도록 된 전자오르간의 음량강약 검출회로에 관한 것이다.The present invention relates to an electronic organ volume-weakness detection circuit, in particular, which can detect negative strength and weakness in the central calculation process by the value of the voltage charged to the capacitor in the electronic organ.
일반적으로 전자오르간은 누름에 따라 단순히 해당되는 음의 온/오프 효과만을 가질 수 있고, 또한 피아노와 같이 건반을 누르는 강약에 따라 음의 세기가 달라져 섬세한 음을 발생시킬 수 있는 기능을 가지고 있다.In general, the electronic organ may have only the on / off effect of the corresponding sound as it is pressed, and also has the function of generating a delicate sound by varying the intensity of the sound depending on the strength of pressing a key such as a piano.
특히 후자의 경우 건반을 누르는 상태에 따라 이를 검출할 수 있도록 제3도에 도시된 바와같이 누름감지장치(A)를 구성하여, 건반을 최초로 누르는 상태와 누름이 완료된 상태 및 건반이 원위치로 복귀되는 광센서(PHOTOSENSOR)로 감지하여 그 감지된 신호에 의하여 중앙연산처리장치에서 건반의 누름상태를 검출하여 음의 길이를 결정할 수 있는 정보(DATA)로 사용하였으나 광센서의 출력신호를 중앙연산처리장치(CPU)에서 직접 읽어들여 음의 강약을 판단하기에는 회로적으로 많은 어려움이 있었다.In particular, in the latter case, as shown in FIG. 3, the pressure sensing device A is configured to detect the key according to the state in which the key is pressed, and the state in which the key is first pressed, the state in which the key is completed, and the key are returned to their original positions. Although the sensor detects the pressed state of the keyboard based on the detected signal and uses the information (DATA) to determine the sound length, the central processing unit uses the output signal of the optical sensor. There was a lot of circuitry to determine the strength and weakness of reading directly from the CPU.
즉, 음에 있어서 강약의 판단을 최초로 누르는 시점에서 누름의 완료까지의 시간(속도)에 따라 음의 강약이 제어되므로 중앙연산처리장치(CPU)에서 광센서의 출력신호만으로 음의 강약을 조절하기에는 정밀성이 결여되어 광센서와 중앙연산처리장치(CPU)사이에 건반의 누름속도를 정확하게 측정하여 전송할 수 있는 회로가 필요하게 되었다.In other words, since the sound intensity is controlled according to the time (speed) from the time of first pressing the judgment of strength and weakness to the completion of the press, it is difficult to control the sound intensity using only the output signal of the optical sensor in the CPU. Lack of precision requires a circuit that can accurately measure and transmit the key press speed between the optical sensor and the central processing unit (CPU).
따라서, 본 고안은 상기와 같은 종래의 전자오르간에서 발생되고 있는 제반의 문제점을 해소하기 위해 전계효과트랜지스터(PET)와 버퍼회로 및 콘덴서로 회로를 구성하여 건반의 누름의 시작과 누름의 완료시 까지의 콘덴서에 충전되는 전압의 크기에 의하여 중앙연산처리장치(CPU)에서 음의 강약을 검출할 수 있도록 된 전자오르간의 음량강약 검출회로를 제공하는데 그 목적이 있다.Therefore, the present invention consists of a field effect transistor (PET), a buffer circuit and a condenser in order to solve all the problems occurring in the conventional electronic organ as described above until the start of the key press and the completion of the press. It is an object of the present invention to provide an electronic organ loud and weak detection circuit capable of detecting a negative intensity by a central processing unit (CPU) due to the magnitude of a voltage charged in a capacitor of a capacitor.
본 고안은 상기의 목적을 달성하기 위하여,The present invention to achieve the above object,
전자오르간에 있어서, 건반(21)의 소정위치에 설치되어 건반(21)의 최초 누름상태를 감지하기 위한 제1발광다이오드 및 수광트랜지스터(11, 13)와, 상기 건반(21)의 완전누름상태를 감지하기 위한 제2발광다이오드 및 수광트랜지스터(12, 14)로 이루어진 광센서와 :In the electronic organ, the first light emitting diode and the light receiving transistors 11 and 13 installed at a predetermined position of the keyboard 21 to detect the initial pressing state of the keyboard 21, and the fully pressed state of the keyboard 21. An optical sensor comprising a second light emitting diode and a light receiving transistor (12, 14) for detecting the:
게이트단자가 상기 제1수광트랜지스터(13)의 컬렉터단에 접속되고 드레인단자가 콘덴서(C1)를 매개로 상기 제1수광트랜지스터(13)의 컬렉터단에 접속되며 소오스단자가 그라운드(GND)에 접지됨과 더불어 저항을 매매로 드레인단자에 접속된 제1전계효과 트랜지스터(15)와 :A gate terminal is connected to the collector terminal of the first light receiving transistor 13, a drain terminal is connected to the collector terminal of the first light receiving transistor 13 via a capacitor C 1 , and a source terminal is connected to the ground GND. And the first field effect transistor 15 connected to the drain terminal with a ground and a resistor:
상기 제1수광트랜지스터(13)의 컬렉터단에 상기 콘덴서(C1)를 매개로 접속되어 입력되는 신호를 버퍼링하는 제1버퍼회로(16)와 :A first buffer circuit 16 which is connected to the collector terminal of the first light receiving transistor 13 via the capacitor C 1 and buffers the input signal;
게이트단자가 상기 제2수광트랜지스터(14)의 컬렉터단에 접속되고 드레인 단자가 상기 버퍼회로(16)의 출력단에 접속되며 소오스단자가 콘덴서(C2)에 접속된 제2전계효과 트랜지스터(17)와 :Second field effect transistor 17 having a gate terminal connected to the collector terminal of the second light receiving transistor 14, a drain terminal connected to the output terminal of the buffer circuit 16, and a source terminal connected to the capacitor C 2 . Wow :
상기 제2전계효과 트랜지스터(17)의 소오스단자에 접속되어 입력되는 신호를 버퍼링하는 제2버퍼회로(18)와 :A second buffer circuit 18 connected to the source terminal of the second field effect transistor 17 to buffer an input signal;
상기 제2버퍼회로(18)의 출력신호를 입력받아 건반(21)의 누름강약을 검출하는 중앙처리(CPU)를 구비하여 이루어진 것을 특징으로 한다.And a central processing (CPU) for receiving the output signal of the second buffer circuit 18 and detecting the pressing force of the keyboard 21.
본 고안의 상기 목적과 특징 및 효과는 첨부된 도면에 의거 상세하게 설명되는 실시예에 의하여 보다 명확하게 이해할 수 있을 것이다.The above objects, features and effects of the present invention will be more clearly understood by the embodiments described in detail with reference to the accompanying drawings.
도면의 제1도는 본 고안에 따른 전자오르간의 음량강약 검출회로도이고, 제2도는 본 고안에 따른 전자오르간의 음량 검출회로의 각 지점의 신호입력 및 출력파형도이며, 제3도는 본 고안의 따른 전자오르간의 음량강약 검출회로에 사용되는 전자오르간 건반의 누름감지장치이다.FIG. 1 is a diagram illustrating a volume intensity detection circuit of an electronic organ according to the present invention, and FIG. 2 is a signal input and output waveform diagram of each point of the volume detection circuit of an electronic organ according to the present invention, and FIG. It is a pressure sensing device of an electronic organ key used in a volume intensity detection circuit of an electronic organ.
제4도는 전자오르간의 건반동작상태도로서, (a)도는 전자오르간 건반의 측면도이고, (b)도는 전자오르간 건반의 가압상태도이다.FIG. 4 is a diagram of key operating states of electron organs, (a) is a side view of an electron organ key, and (b) is a pressurized state diagram of an electron organ key.
전자오르간에 구동전원이 인가되면 제3도에 도시된 바와같은 건반누름장치(A)에 설치되어 있는 발광다이오드(11, 12)는 발광(ON)상태로이다.When the driving power is applied to the electron organ, the light emitting diodes 11 and 12 provided in the key press device A as shown in FIG. 3 are in the light emitting (ON) state.
상기와 같은 상태에서 전자오르간의 사용자가 제4도의 (a)도에 도시된 바와 같이 건반누름장치(A)의 건반(21)을 누르지 않을 경우에 상기 발광상태를 유지하고 있는 각각의 발광다이오드(11, 12)로 부터 발광되는 빛의 신호는 제1감지공(19)과 제2감지공(20)을 통하여 수광부의 각각의 수광트랜지스터(13, 14)의 베이스단으로 전송되고, 상기 수광부의 각각의 수광트랜지스터(13, 14)의 베이스단으로 전송된 빛의 신호에 의하여 상기 수광트랜지스터(13, 14)는 턴온(TURN ON)되며, 상기 턴온된 각각의 수광트랜지스터(13, 14)의 컬렉터단에 접속되어 있는 저항을 통하여 공급되는 기준전압(Vcc)은 각각의 수광트랜지스터(13, 14)의 에미터단을 통하여 그라운드(GND)로 흐르게 된다.In the above state, when the user of the electronic organ does not press the key 21 of the key pressing device A as shown in Fig. 4A, each light emitting diode maintaining the light emitting state ( Signals of light emitted from 11 and 12 are transmitted to base ends of the light receiving transistors 13 and 14 of the light receiving unit through the first and second sensing holes 19 and 20. The light receiving transistors 13 and 14 are turned on by the light signals transmitted to the base ends of the light receiving transistors 13 and 14, and the collectors of the respective light receiving transistors 13 and 14 turned on. The reference voltage Vcc supplied through the resistor connected to the stage flows to the ground GND through the emitter terminals of the light receiving transistors 13 and 14.
따라서, 상기 각각의 수광트랜지스터(13, 14)의 컬렉터단의 전위는 로우레벌(LOW LEVEL)의 상태로 된다.Therefore, the potential of the collector end of each of the light receiving transistors 13 and 14 is in the state of the low level.
상기의 수광트랜지스터(13)의 컬렉타단의 'S'지점으로 부터 출력되는 로우레벨 상태의 신호는 콘덴서(C1)와 제1의 전계효과트랜지스터(FIELD EFFECT TRANSISTOR : FET)(15)의 게이트 단자로 전송된다.The low level signal outputted from the 'S' point at the collector end of the light receiving transistor 13 is the gate terminal of the capacitor C 1 and the first field effect transistor (FET) 15. Is sent to.
상기 콘덴서(C1)로 전송되는 로우레벨상태의 신호에 의하여 콘덴서(C1)는 충전을 되지 않게 되고, 상기 충전을 되지않는 콘덴서(C1)에 의하여 버퍼(BUFFER)회로(16)는 버퍼링 동작을 하지 않게 된다.The capacitor condenser by a signal of a low level state is transferred to the (C 1) (C 1) is no longer charging the buffer (BUFFER) circuit 16 by the capacitor (C 1) that is not the charging is buffered It will not work.
또, 상기의 제1의 전계효과트랜지스터(15)의 게이트(GATE)단자로 전송되는 로우레벨상태의 신호에 의하여 상기 전계효과트랜지스터(15)는 온 상태로 된다.The field effect transistor 15 is turned on by a low level signal transmitted to the gate terminal of the first field effect transistor 15.
한편, 상기 수광트랜지스터(14)의 컬렉터단의 'P'지점으로 출력되는 로우레벨상태의 신호는 제2의 피(P)채널(CHANNEL)전계효과트랜지스터(17)의 게이트단자로 전송되고, 상기 게이트단자로 전송된 로우레벨상태의 신호에 의하여 상기 제2의 전계효과트랜지스터(17)는 차단(CUT OFF)상태로 되며, 상기 차단상태로 된 제2전계효과트랜지스터(17)에 의하여 중앙처리장치(CENTRAL PROCESSING UNT : CPU)는 작동하지 않게 된다.On the other hand, the low level signal output to the 'P' point of the collector terminal of the light receiving transistor 14 is transmitted to the gate terminal of the second channel (CHANNEL) field effect transistor (17), The second field effect transistor 17 is cut off by the low level signal transmitted to the gate terminal, and the central processing unit is turned on by the second field effect transistor 17 in the blocked state. (CENTRAL PROCESSING UNT: CPU) will not work.
또한, 상기 전자오르간을 사용하는 사용자가 제4도의 (b)도에 도시된 바와 같이 건반누름장치(A)의 건반(21)을 강하게 누르게 될 경우에는 상기 건반누름장치(A)의 건반(21)은 순간적으로 전자오르간의 내부로 들어가게 되는데, 이때 상기 건반누름장치(A)의 건반(21)에 형성되어 있는 제1감지공(19)과 제2감지공(20)중에서 제1감지공(19)이 먼저 전자오르간의 내부로 들어가게 된다.In addition, when the user who uses the electronic organ is to strongly press the key 21 of the key pressing device A as shown in FIG. 4 (b), the key 21 of the key pressing device A is used. ) Is instantaneously entered into the electronic organ, wherein the first sensing hole (19) and the second sensing hole (20) formed in the key 21 of the key pressing device (A) ( 19) first enters the organ.
상기 발광상태를 유지하고 있는 각각의 발광다이오드(11, 12)중 발광다이오드(11)로 부터 발광된 빛의 신호는 전자오르간의 내부로 들어간 제1감지공(19)에 의하여 차단되고, 상기 발광다이오드(11)로 부터 발광되는 빛의 신호는 수광트랜지스터(13)의 베이스단으로 전송되지 않게되며, 상기 수광트랜지스터(13)의 베이스단으로 발광되는 빛의 신호가 전송되지 않게 되어 수광트랜지스터(13)는 턴 오프(TURN OFF)된다.Signals of light emitted from the light emitting diodes 11 among the light emitting diodes 11 and 12 maintaining the light emitting state are blocked by the first sensing hole 19 that enters the electron organ, The signal of the light emitted from the diode 11 is not transmitted to the base end of the light receiving transistor 13, and the signal of the light emitted from the base end of the light receiving transistor 13 is not transmitted, thus receiving the light receiving transistor 13 ) Is turned OFF.
상기 턴 오프된 수광트랜지스터(13)의 컬렉터단은 제2도에 도시된 바와같이 기준전압(Vcc)에서 공급되는 신호전압에 의하여 로우레벨의 상태에서 하이레벨(HIGH LEVEL)의 상태로 변환된다.As shown in FIG. 2, the collector stage of the turned-off light receiving transistor 13 is converted from the low level state to the high level state by the signal voltage supplied from the reference voltage Vcc.
따라서, 상기 수광트랜지스터(13)의 걸렉터단(즉, 'S'지점)으로 부터 출력되는 하이레벨 상태의 신호는 콘덴서(C1)와 제1의 전계효과트랜지스터(15)의 게이트단자로 전송된다.Accordingly, the high level signal output from the collector terminal (ie, 'S' point) of the light receiving transistor 13 is transmitted to the gate terminal of the capacitor C 1 and the first field effect transistor 15. do.
상기 콘덴서(C1)로 전송되는 하이레벨상태의 신호에 의하여 콘덴서(C1)는 전송되어 오는 신호를 충전하게 되고, 상기 콘덴서(C1)에 충전된 신호의 전압은 제2도에 도시된 바와같이 서서히 방전되며 버퍼회로(16)의 비반전입력단(+)(즉, 'V1'지점)으로 전송되는 신호는 버퍼회로(16)에 의하여 버퍼링되어 제2의 피채널전계효과트랜지스터(17)의 드레인단자(DRAIN)로 전송된다.The capacitor (C 1) the high level by the signal capacitor (C 1) of the state is sent to is to charge the signal from the transmission, the voltage of the signal charge to said capacitor (C 1) is illustrated in FIG. 2 As described above, the signal is gradually discharged and transmitted to the non-inverting input terminal (+) of the buffer circuit 16 (that is, the point 'V 1 ') is buffered by the buffer circuit 16 to form the second channel-effect transistor 17. Is transferred to the drain terminal DRAIN.
한편, 상기 제1의 전계효과트랜지터(15)의 게이트단자로 전송된 하이레벨상태의 신호에 의하여 제1의 전계효과트랜지스터(15)는 차단상태로 된다.On the other hand, the first field effect transistor 15 is blocked by the high level signal transmitted to the gate terminal of the first field effect transistor 15.
이때, 상기 건반누름장치(A)의 건반(21)에 형성되어 있는 제2감지공(20)은 전자오르간의 내부에 들어가지 않은 상태로 있게 되어 발광다이오드(12)에서 발광되는 빛의 신호는 제2감지공(20)을 통하여 전송되는 발광된 빛의 신호에 의하여 수광트랜지스터(14)는 턴온 상태를 유지하게 되며, 상기 턴온될 수광트랜지스터(14)의 컬렉터단(즉, 'P'지점)은 로우레벨의 상태를 유지하게 된다.At this time, the second sensing hole 20 formed in the keyboard 21 of the key pressing device A does not enter the inside of the electron organ so that the light signal emitted from the light emitting diode 12 is The light receiving transistor 14 remains turned on by the signal of the emitted light transmitted through the second sensing hole 20, and the collector stage (ie, 'P' point) of the light receiving transistor 14 to be turned on. Will remain at the low level.
상기 수광트랜지스터(14)의 컬렉터단(즉, 'P'지점)으로 부터 출력되는 로우레벨상태의 신호는 제2의 전계효과트랜지스터(17)의 게이트단자로 전송되어 상기 제2의 전계효과트랜지스터(17)는 차단상태를 유지하게 된다.The low-level signal output from the collector terminal (ie, 'P' point) of the light receiving transistor 14 is transmitted to the gate terminal of the second field effect transistor 17 to transmit the second field effect transistor ( 17) will remain blocked.
이때, 상기 건반누름장치(A)의 건반(21)이 완전히 눌려진 상태로 되면 상기 건반누름장치(A)의 건반(21)에 형성되어 있는 제2감지공(20)은 전자오르간의 내부로 들어가게 된다.At this time, when the key 21 of the key pressing device A is completely pressed, the second sensing hole 20 formed in the key 21 of the key pressing device A enters into the interior of the electronic organ. do.
상기 발광상태를 유지하고 있는 각각의 발광다이오드(11, 12)중에서 발광다이오드(12)로 발광되는 빛의 신호는 전자오르간의 내부로 들어간 제2감지공(12)에 의하여 차단되고, 상기 발광다이오드(12)로 부터 발광되는 빛의 신호는 수광부의 수광트랜지스터(14)의 베이스단으로 전송되지 않게 되며, 상기 수광트랜지스터(14)의 베이스단으로 발광되는 빛의 신호가 전송되지 않게 되어 상기 수광트랜지스터(14)는 턴 오프된다.The light signal emitted from the light emitting diodes 12 among the light emitting diodes 11 and 12 maintaining the light emitting state is blocked by the second sensing hole 12 that enters the electron organ, and the light emitting diodes The signal of the light emitted from 12 is not transmitted to the base end of the light receiving transistor 14 of the light receiving unit, and the signal of the light emitted from the base end of the light receiving transistor 14 is not transmitted. 14 is turned off.
상기 턴 오프된 수광트랜지스터(14)의 컬렉터단(즉, 'P'지점)은 제2도에 도시된 바와같이 기준전압(Vcc)에서 공급되는 신호전압에 의해 로우레벨의 상태에서 하이레벨의 상태로 번환된다.The collector stage (ie, 'P' point) of the turned-off light receiving transistor 14 is in a high level state in a low level state by a signal voltage supplied from a reference voltage Vcc as shown in FIG. Is returned.
상기 수광트랜지스터(13, 14)의 컬렉터단(즉, 'P'지점)으로 부터 출력되는 하이레벨상태의 신호는 제2의 전계효과트랜지스터(17)의 게이트단자로 전송되고, 상기 게이트단자로 전송된 하이레벨상태의 신호에 의하여 제2의 전계효과트랜지스터(17)는 온상태로 된다.The high level signal output from the collector terminals (ie, 'P' point) of the light receiving transistors 13 and 14 is transmitted to the gate terminal of the second field effect transistor 17 and is transmitted to the gate terminal. The second field effect transistor 17 is turned on by the high level signal.
상기 온상태로 된 제2의 전계효과트랜지스터(17)에 의하여 상기 버퍼회로(16)의 비반전입력단(+)(즉, 'V1'지점)으로 전송되는 현재상태의 신호전압은 버퍼회로(16)와 제2의 전계효과트랜지스터(17)의 드레인단(DRAIN)과 소오스(SOURCE)을 통하여 콘덴서(C1)로 전송되고, 상기 콘덴서(C1)로 전송된 신호는 제2도에 도시된 바와같이 상기 콘덴서(C1)에 의하여 급격하게 충전되며, 상기 콘덴서(C1)에 충전된 신호는 버퍼회로(18)의 비반전입력단(+)(즉, 'V1'지점)으로 전송된다.The signal voltage in the current state transmitted by the second field effect transistor 17 in the on state to the non-inverting input terminal (+) (ie, 'V 1 ' point) of the buffer circuit 16 is a buffer circuit ( 16) and to the capacitor C 1 via the drain terminal DRAIN and the source SOURCE of the second field effect transistor 17, the signal transmitted to the capacitor C 1 is shown in FIG. As described above, the capacitor C 1 is rapidly charged, and the signal charged in the capacitor C 1 is transmitted to the non-inverting input terminal (+) (ie, 'V 1 ' point) of the buffer circuit 18. do.
상기 버퍼회로(18)의 비반전입력단(+)(즉, 'V1'지점)으로 전송된 신호는 버퍼회로(18)에 의하여 버퍼링되고, 상기 버퍼링된 신호는 버퍼회로(18)의 출력단을 통하여 중앙처리장치(CPU)로 전송된다.The signal transmitted to the non-inverting input terminal (+) (ie, 'V 1 ' point) of the buffer circuit 18 is buffered by the buffer circuit 18, and the buffered signal is connected to the output terminal of the buffer circuit 18. To the central processing unit (CPU).
한편, 상기 전자오르간을 사용자가 건반누름장치(A)의 건반(21)를 원 위치로 복귀시키게 되면 상기 건반누름장치(A)의 건반에 형성되어 있는 제1감지공(19)와 제2감지공(20)중에서 먼저 제2감지공(20)이 전자오르간의 내부로 부터 나오게 되고, 상기 전자오르간의 내부로 부터 나오게 된 제2감지공(20)에 의하여 발광상태를 유지하고 있는 발광다이오드(12)의 발광되는 빛의 신호는 제2감지공(20)을 통하여 수광부의 수광트랜지스터(14)의 베이스단으로 전송되고, 상기 베이스단으로 전송된 빛의 신호에 의하여 수광트랜지스터(14)는 턴 온되며, 상기 턴온된 수광트랜지스터(14)의 컬렉터단(즉, 'P'지점)에 접속되어 있는 저항을 통하여 공급되는 기준전압(Vcc)은 수광트랜지스터(14)의 에미터단들 통하여 그라운드로 흐르게 된다.On the other hand, when the user returns the key 21 of the key pressing device A to its original position, the first sensing hole 19 and the second sensing hole formed in the key of the key pressing device A are detected. Among the balls 20, the second sensing hole 20 is first emitted from the inside of the electron organ, and the light emitting diode is maintained in the light emitting state by the second sensing hole 20 coming out of the inside of the electron organ ( 12 is transmitted to the base end of the light receiving transistor 14 of the light receiving unit through the second sensing hole 20, and the light receiving transistor 14 is turned by the signal of the light transmitted to the base end. On, the reference voltage Vcc supplied through a resistor connected to the collector terminal (ie, 'P' point) of the turned-on light receiving transistor 14 flows to the ground through the emitter ends of the light receiving transistor 14. do.
따라서, 상기 수광트랜지스터(14)의 컬렉터단의 전위는 로우레벨의 상태로 된다.Therefore, the potential of the collector terminal of the light receiving transistor 14 is in a low level state.
상기 수광트랜지스터(14)의 컬렉터단('P'지점)으로 부터 출력되는 로우레벨상태의 신호는 제2의 전계효과트랜지스터(17)는 차단상태로 되며, 상기 차단상태로 된 제2의 전계효과트랜지스터(17)에 의하여 상기 버퍼회로(16)로 부터 출력되는 신호는 중앙처리장치(CPU)로 전송되지 않게 된다.The low-level signal output from the collector terminal ('P' point) of the light receiving transistor 14 is the second field effect transistor 17 is a blocking state, the second field effect in the blocking state The signal output from the buffer circuit 16 by the transistor 17 is not transmitted to the CPU.
상기 건반누름장치(A)의 건반(21)에 형성되어 있는 제1감지공(19)이 전자오르간의 내부로 부터 나오게 되면 상기 발광상태를 유지하고 있는 발광다이오드(11)로 부터 발광되는 빛의 신호는 제1감지공(19)을 통하여 수광부의 수광트랜지스터(13)의 베이스단으로 전송되고, 상기 베이스단으로 전송된 빛의 신호에 의하여 수광트랜지스터(13)는 턴온되며, 상기 턴온된 수광트랜지스터(13)의 베이스단으로 전송되고, 상기 베이스단으로 전송된 빛의 신호에 의하여 수광트랜지스터(13)는 턴온되며, 상기 턴온된 수광트랜지스터(13)의 베이스단으로 전송되고, 상기 베이스단으로 전송된 빛의 신호에 의하여 수광트랜지스터(13)는 턴온되며, 상기 턴온된 수광트랜지스터(13)의 컬렉터단으로 공급되는 기준전압(Vcc)은 에미터단을 통하여 그라운드로 흐르게 된다When the first sensing hole 19 formed in the key 21 of the key pressing device A exits from the inside of the electron organ, the light emitted from the light emitting diode 11 maintaining the light emitting state is The signal is transmitted to the base end of the light receiving transistor 13 of the light receiving unit through the first sensing hole 19, and the light receiving transistor 13 is turned on by the light signal transmitted to the base end, and the turned on light receiving transistor The light receiving transistor 13 is turned on by the signal of light transmitted to the base end of the base 13 and is transmitted to the base end of the turned on light receiving transistor 13, and is transmitted to the base end. The light receiving transistor 13 is turned on by the received light signal, and the reference voltage Vcc supplied to the collector terminal of the turned on light receiving transistor 13 flows to the ground through the emitter end.
상기 수광트랜지스터(13)의 컬렉터단(즉, 'S'지점)의 전위는 하이레벨의 상태에서 로우레벨의 상태로 변환된다.The potential of the collector terminal (ie, 'S' point) of the light receiving transistor 13 is converted from a high level state to a low level state.
상기 수광트랜지스터(13)의 컬렉터단(즉, 'S'지점)으로 부터 출력되는 로우레벨상태의 신호는 콘덴서(C1)와 제1의 전계효과트랜지스터(15)의 게이트단자로 전송된다.The low level signal output from the collector terminal (ie, 'S' point) of the light receiving transistor 13 is transmitted to the capacitor C 1 and the gate terminal of the first field effect transistor 15.
상기 게이트단자로 전송된 로우레벨상태의 신호에 의하여 제1의 전계효과트랜지스터(15)는 턴온되고, 상기 턴온된 제1의 전계효과트랜지스터(15)의 드레인단자에 접속되어 있는 콘덴서(C1)의 충전전압은 제1의 전계효과트랜지스터(15)의 드레인단자와 소오스단자를 통하여 그라운드로 방전된다.The first field effect transistor 15 is turned on by the low level signal transmitted to the gate terminal, and the capacitor C 1 is connected to the drain terminal of the turned on first field effect transistor 15. Is charged to ground through the drain terminal and the source terminal of the first field effect transistor 15.
즉, 상기 건반누름장치(A)의 건반(21)을 강하게 누르면 건반(21)의 누름초기로 부터 완전히 눌리는데 까지의 시간이 짧게 걸리게 되고, 상기 건반누름장치(A)의 건반(21)을 약하게 누르면 건반(21)의 누름초기로 부터 완전히 눌리는데 까지의 시간이 길게 걸리게 된다.That is, when the key 21 of the key press device A is pressed strongly, the time from the initial press of the key 21 to the complete press is shortened, and the key 21 of the key press device A is held down. Pressing lightly takes a long time from the initial press of the keyboard 21 to the complete press.
따라서, 상기 건반누름장치(A)의 건반(21)을 강하게 누르면 콘덴서(C1)에 전압이 낮게 충전되어 버퍼회로(16)의 비반전입력단(+)(즉, 'V1'지점)으로 높은 전압이 출력되어 중앙처리장치(CPU)로 전송되므로, 상기 중앙처리장치(CPU)는 전송된 전압의 크기(예컨대, '5,6'V)에 따라 음의 강약을 결정할 수 있게 된다.Therefore, when the key 21 of the key pressing device A is strongly pressed, the capacitor C 1 is charged with low voltage to the non-inverting input terminal (+) (ie, 'V 1 ' point) of the buffer circuit 16. Since a high voltage is output and transmitted to the CPU, the CPU may determine negative strength and weakness according to the magnitude of the transmitted voltage (eg, '5, 6'V).
반면, 상기 건반누름장치(A)의 건반(21)을 약하게 누르면 콘덴서(C1)에 전압이 높게 충전되어 버퍼회로(16)의 비반전입력단(+)(즉, 'V1'지점)으로 낮은 전압이 출력되어 중앙처리장치(CPU)로 전송되므로, 상기 중앙처리장치(CPU)는 전송된 전압의 크기(예컨대, '2,5' V)를 판단하게 되어 그 전압의 크기(예컨대, '2,5' V)에 따라 음의 강약을 결정할 수 있게 된다.On the other hand, when the key 21 of the key press device A is weakly pressed, the capacitor C 1 is charged with a high voltage to the non-inverting input terminal (+) (ie, 'V 1 ' point) of the buffer circuit 16. Since a low voltage is output and transmitted to the CPU, the CPU determines the magnitude of the transmitted voltage (for example, '2,5' V), and thus the magnitude of the voltage (for example, ' 2,5 'V) can determine the negative intensity.
상술한 바와 같이 본 고안은 전자오르간의 건반을 누르는 가압속도에 따라 섬세한 음질을 발생할 수 있어 전자오르간의 품질에 대한 신뢰성을 향상시킬 수 있도록 한 것이다.As described above, the present invention may generate delicate sound quality according to the pressing speed of pressing the key of the electronic organ, thereby improving the reliability of the quality of the electronic organ.
Claims (1)
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR2019900011942U KR960008771Y1 (en) | 1990-08-08 | 1990-08-08 | Volume strength and weakness detecting circuit of electronic organ |
Applications Claiming Priority (1)
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KR2019900011942U KR960008771Y1 (en) | 1990-08-08 | 1990-08-08 | Volume strength and weakness detecting circuit of electronic organ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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KR920005128U KR920005128U (en) | 1992-03-26 |
KR960008771Y1 true KR960008771Y1 (en) | 1996-10-09 |
Family
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Family Applications (1)
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KR (1) | KR960008771Y1 (en) |
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1990
- 1990-08-08 KR KR2019900011942U patent/KR960008771Y1/en not_active IP Right Cessation
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Publication number | Publication date |
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KR920005128U (en) | 1992-03-26 |
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