KR960008697A - 고주파 플라즈마 화학증착법을 이용한 원형기판용 코팅층의 대량 합성장치 및 합성방법 - Google Patents

고주파 플라즈마 화학증착법을 이용한 원형기판용 코팅층의 대량 합성장치 및 합성방법 Download PDF

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Abstract

각기 독립된 전원이 연결된 전원 인가 전극과 접지 전극을 한쌍으로 하여 이들을 다수 진공 반응기 내에 설치하므로써 대용량의 드럼을 한꺼번에 코팅할 수 있는, 원형 형상을 한 다이아몬드상 경질 카본 필름을 고주파 플라즈마 화학 증착법에 의해 코팅하는 장치에 관하여 기술되어 있다.

Description

고주파 플라즈마 화학증착법을 이용한 원형기판용 코팅층의 대량 합성장치 및 합성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도(a)는 본 발명에 따른 다전극 고주파 화학 증착 장치의 수직 단면도이고,
제2도(b)는 본 발명에 따른 다전극 고주파 화학 증착 장치의 반응기의 수평 단면도.

Claims (8)

  1. 진공 반응기, 전원 공급계, 원료 가스의 도입을 위한 가스 공급계 및 진공 상태의 유지와 압력 조절을 위한 진공계를 포함하고, 상기 전원 공급계, 가스 공급계 및 진공계가 진공 반응기와 협동하도록 연결되어 있는 플라즈마 화학 증착법을 이용한 원형의 기판용 합성 장치에 있어서, 상기 전원 공급계는 다수의 고주파전원 및 그 다수의 고주파 전원에 연결된 1개의 제어기를 포함하고, 상기 반응기는 상기 전원 공급계 내의 상기 서로 다른 고주파 전원에 각기 연결된 다수의 전극과, 원형의 피코팅체가 적층되고 상기 다수의 전극에 각각 부착되어 전극과 함께 전원 전극으로 작용하는 양도체로 이루어진 다수의 시편 지지대와, 상기 다수의 전극과 그 각각에 부착된 시편 지지대를 반응기로부터 절연시키기 위한 절연체 및 상기 다수의 시편 지지대 각각에 대해 적층된 피코팅체 표면으로부터 선정된 거리만큼 멀어진 동심원 상에 배치되고 반응기와 전기적으로 연결된 원형의 접지 전극을 포함하고, 상기 전원 전극의 상호 반응이 최소로 되도록 하여 대량 생산시 전극의 길이 증가를 억제하면서도 대용량의 원형 피코팅체를 균일하게 코팅할 수 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학 증착법을 이용한 원형 기판용 합성 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반응기는 상기 접지 전극의 외곽에 등간격으로 설치된 가스 배기구와, 상기 가스공급계로부터 상기 반응기에 합성 가스를 도입하기 위해 상기 반응기의 하단으로부터 상단까지 연장되는 가스도입관 및 균일하게 가스를 공급하기 위한 가스 공급 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학증착법을 이용한 원형 기판용 합성 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 가스 공급 수단이 가수를 반응기 내에 균일하게 공급할 수 있는 링 형태인 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학 증착법을 이용한 원형 기판용 합성 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 원형의 접지 전극이 쉴드 형태인 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학 증착법을 이용한 원형 기판용 합성 장치.
  5. 제1항 내지 재4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 피코팅체의 표면으로부터 상기 동심원 상의 상기 접지전극까지의 거리가 1-10㎝ 범위 내의 한 값인 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학 증착법을 이용한 원형 기판용 합성 장치.
  6. 제1항 내지 제5항 기재의 장치를 이용하여 고주파 플라즈마 화학 증착법에 의해 대용량의 원형의 기판을 코팅함에 있어서, 코팅될 원형 기판들을 다수의 시편 지지대에 적층하여 이들을 각각 전극에 부착하는 단계와, 코칭층의 접착력을 증진시키기 위해 아르곤 플라즈마를 이용하여 상기 원형 기판을 세척하는 단계와, 가스공급계로부터 반응 가스를 반응기에 도입하는 단계와, 전원 공급계 내의 단일 제어기를 조절하여 각 전극에 독립적으로 연결되어 있는 고주파 전원으로부터 전원 전극에 균일한 전류 및 전압을 인가하는 단계 및 진공계를 이용하여 반응기의 합성 압력을 일정하게 유지시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 플라즈마화학 증착법을 이용하는 대량 코팅 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 고주파 전원의 주파수 범위가 100kHz 내지 10MHz인 것을 특징으로 하는 고주파 플라스마 화학 증착법을 이용하는 대량 코팅 방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 합성 압력이 0.1Torr 내지 1Torr 것을 특징으로 하는 고주파 플라즈마 화학 증착법을 이용하는 대량 코팅 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0136632B1 (ko) * 1994-07-26 1998-05-15 김은영 다이아몬드상 경질 카본 필름이 이중 코팅된 vtr 헤드 드럼과 그 코팅층 형성방법 및 장치
JPH09320352A (ja) * 1996-05-24 1997-12-12 Nissin Electric Co Ltd 電線及びその製造方法
US5766362A (en) * 1996-09-30 1998-06-16 Becton Dickinson And Company Apparatus for depositing barrier film on three-dimensional articles
JP4306218B2 (ja) * 2002-10-18 2009-07-29 株式会社Ihi 薄膜形成システム
WO2004072322A1 (ja) * 2003-02-12 2004-08-26 Toyoda Koki Kabushiki Kaisha アモルファス炭素膜の成膜方法および成膜装置
US20070259184A1 (en) * 2006-05-04 2007-11-08 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Method of mounting objects for chemical vapour deposition
JP5280784B2 (ja) * 2007-11-21 2013-09-04 日本碍子株式会社 成膜装置
US10879085B2 (en) * 2016-12-19 2020-12-29 Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation Gas generation apparatus

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4438188A (en) * 1981-06-15 1984-03-20 Fuji Electric Company, Ltd. Method for producing photosensitive film for electrophotography
US4501766A (en) * 1982-02-03 1985-02-26 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Film depositing apparatus and a film depositing method
JPS59193265A (ja) * 1983-03-14 1984-11-01 Stanley Electric Co Ltd プラズマcvd装置
JPS6021382A (ja) * 1983-07-15 1985-02-02 Canon Inc プラズマcvd装置
JPS60191269A (ja) * 1984-03-13 1985-09-28 Sharp Corp 電子写真感光体製造装置
JPS6137968A (ja) * 1984-07-31 1986-02-22 Canon Inc プラズマcvd装置
JP3115015B2 (ja) * 1991-02-19 2000-12-04 東京エレクトロン株式会社 縦型バッチ処理装置

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