KR960008697A - 고주파 플라즈마 화학증착법을 이용한 원형기판용 코팅층의 대량 합성장치 및 합성방법 - Google Patents
고주파 플라즈마 화학증착법을 이용한 원형기판용 코팅층의 대량 합성장치 및 합성방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR960008697A KR960008697A KR1019940020259A KR19940020259A KR960008697A KR 960008697 A KR960008697 A KR 960008697A KR 1019940020259 A KR1019940020259 A KR 1019940020259A KR 19940020259 A KR19940020259 A KR 19940020259A KR 960008697 A KR960008697 A KR 960008697A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- reactor
- vapor deposition
- high frequency
- chemical vapor
- supply system
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/255—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features comprising means for protection against wear
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B15/00—Driving, starting or stopping record carriers of filamentary or web form; Driving both such record carriers and heads; Guiding such record carriers or containers therefor; Control thereof; Control of operating function
- G11B15/60—Guiding record carrier
- G11B15/61—Guiding record carrier on drum, e.g. drum containing rotating heads
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
- G11B5/52—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed with simultaneous movement of head and record carrier, e.g. rotation of head
- G11B5/53—Disposition or mounting of heads on rotating support
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
각기 독립된 전원이 연결된 전원 인가 전극과 접지 전극을 한쌍으로 하여 이들을 다수 진공 반응기 내에 설치하므로써 대용량의 드럼을 한꺼번에 코팅할 수 있는, 원형 형상을 한 다이아몬드상 경질 카본 필름을 고주파 플라즈마 화학 증착법에 의해 코팅하는 장치에 관하여 기술되어 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도(a)는 본 발명에 따른 다전극 고주파 화학 증착 장치의 수직 단면도이고,
제2도(b)는 본 발명에 따른 다전극 고주파 화학 증착 장치의 반응기의 수평 단면도.
Claims (8)
- 진공 반응기, 전원 공급계, 원료 가스의 도입을 위한 가스 공급계 및 진공 상태의 유지와 압력 조절을 위한 진공계를 포함하고, 상기 전원 공급계, 가스 공급계 및 진공계가 진공 반응기와 협동하도록 연결되어 있는 플라즈마 화학 증착법을 이용한 원형의 기판용 합성 장치에 있어서, 상기 전원 공급계는 다수의 고주파전원 및 그 다수의 고주파 전원에 연결된 1개의 제어기를 포함하고, 상기 반응기는 상기 전원 공급계 내의 상기 서로 다른 고주파 전원에 각기 연결된 다수의 전극과, 원형의 피코팅체가 적층되고 상기 다수의 전극에 각각 부착되어 전극과 함께 전원 전극으로 작용하는 양도체로 이루어진 다수의 시편 지지대와, 상기 다수의 전극과 그 각각에 부착된 시편 지지대를 반응기로부터 절연시키기 위한 절연체 및 상기 다수의 시편 지지대 각각에 대해 적층된 피코팅체 표면으로부터 선정된 거리만큼 멀어진 동심원 상에 배치되고 반응기와 전기적으로 연결된 원형의 접지 전극을 포함하고, 상기 전원 전극의 상호 반응이 최소로 되도록 하여 대량 생산시 전극의 길이 증가를 억제하면서도 대용량의 원형 피코팅체를 균일하게 코팅할 수 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학 증착법을 이용한 원형 기판용 합성 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 반응기는 상기 접지 전극의 외곽에 등간격으로 설치된 가스 배기구와, 상기 가스공급계로부터 상기 반응기에 합성 가스를 도입하기 위해 상기 반응기의 하단으로부터 상단까지 연장되는 가스도입관 및 균일하게 가스를 공급하기 위한 가스 공급 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학증착법을 이용한 원형 기판용 합성 장치.
- 제2항에 있어서, 상기 가스 공급 수단이 가수를 반응기 내에 균일하게 공급할 수 있는 링 형태인 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학 증착법을 이용한 원형 기판용 합성 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 원형의 접지 전극이 쉴드 형태인 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학 증착법을 이용한 원형 기판용 합성 장치.
- 제1항 내지 재4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 피코팅체의 표면으로부터 상기 동심원 상의 상기 접지전극까지의 거리가 1-10㎝ 범위 내의 한 값인 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학 증착법을 이용한 원형 기판용 합성 장치.
- 제1항 내지 제5항 기재의 장치를 이용하여 고주파 플라즈마 화학 증착법에 의해 대용량의 원형의 기판을 코팅함에 있어서, 코팅될 원형 기판들을 다수의 시편 지지대에 적층하여 이들을 각각 전극에 부착하는 단계와, 코칭층의 접착력을 증진시키기 위해 아르곤 플라즈마를 이용하여 상기 원형 기판을 세척하는 단계와, 가스공급계로부터 반응 가스를 반응기에 도입하는 단계와, 전원 공급계 내의 단일 제어기를 조절하여 각 전극에 독립적으로 연결되어 있는 고주파 전원으로부터 전원 전극에 균일한 전류 및 전압을 인가하는 단계 및 진공계를 이용하여 반응기의 합성 압력을 일정하게 유지시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 플라즈마화학 증착법을 이용하는 대량 코팅 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 고주파 전원의 주파수 범위가 100kHz 내지 10MHz인 것을 특징으로 하는 고주파 플라스마 화학 증착법을 이용하는 대량 코팅 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 합성 압력이 0.1Torr 내지 1Torr 것을 특징으로 하는 고주파 플라즈마 화학 증착법을 이용하는 대량 코팅 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019940020259A KR0131987B1 (ko) | 1994-08-17 | 1994-08-17 | 고주파 플라즈마 화학 증착법을 이용한 원형 기판용 코팅층의 대량합성장치 및 합성방법 |
US08/515,429 US5611862A (en) | 1994-08-17 | 1995-08-15 | Method and apparatus for manufacturing head drums coated with diamond-like carbon coating film using high-frequency plasma |
JP7209392A JP2801565B2 (ja) | 1994-08-17 | 1995-08-17 | 高周波プラズマ化学蒸着装置、及び円形基板上にコーティング層を形成する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019940020259A KR0131987B1 (ko) | 1994-08-17 | 1994-08-17 | 고주파 플라즈마 화학 증착법을 이용한 원형 기판용 코팅층의 대량합성장치 및 합성방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR960008697A true KR960008697A (ko) | 1996-03-22 |
KR0131987B1 KR0131987B1 (ko) | 1998-04-18 |
Family
ID=19390527
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019940020259A KR0131987B1 (ko) | 1994-08-17 | 1994-08-17 | 고주파 플라즈마 화학 증착법을 이용한 원형 기판용 코팅층의 대량합성장치 및 합성방법 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5611862A (ko) |
JP (1) | JP2801565B2 (ko) |
KR (1) | KR0131987B1 (ko) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR0136632B1 (ko) * | 1994-07-26 | 1998-05-15 | 김은영 | 다이아몬드상 경질 카본 필름이 이중 코팅된 vtr 헤드 드럼과 그 코팅층 형성방법 및 장치 |
JPH09320352A (ja) * | 1996-05-24 | 1997-12-12 | Nissin Electric Co Ltd | 電線及びその製造方法 |
US5766362A (en) * | 1996-09-30 | 1998-06-16 | Becton Dickinson And Company | Apparatus for depositing barrier film on three-dimensional articles |
JP4306218B2 (ja) * | 2002-10-18 | 2009-07-29 | 株式会社Ihi | 薄膜形成システム |
WO2004072322A1 (ja) * | 2003-02-12 | 2004-08-26 | Toyoda Koki Kabushiki Kaisha | アモルファス炭素膜の成膜方法および成膜装置 |
US20070259184A1 (en) * | 2006-05-04 | 2007-11-08 | Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation | Method of mounting objects for chemical vapour deposition |
JP5280784B2 (ja) * | 2007-11-21 | 2013-09-04 | 日本碍子株式会社 | 成膜装置 |
US10879085B2 (en) * | 2016-12-19 | 2020-12-29 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | Gas generation apparatus |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4438188A (en) * | 1981-06-15 | 1984-03-20 | Fuji Electric Company, Ltd. | Method for producing photosensitive film for electrophotography |
US4501766A (en) * | 1982-02-03 | 1985-02-26 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Film depositing apparatus and a film depositing method |
JPS59193265A (ja) * | 1983-03-14 | 1984-11-01 | Stanley Electric Co Ltd | プラズマcvd装置 |
JPS6021382A (ja) * | 1983-07-15 | 1985-02-02 | Canon Inc | プラズマcvd装置 |
JPS60191269A (ja) * | 1984-03-13 | 1985-09-28 | Sharp Corp | 電子写真感光体製造装置 |
JPS6137968A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-22 | Canon Inc | プラズマcvd装置 |
JP3115015B2 (ja) * | 1991-02-19 | 2000-12-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型バッチ処理装置 |
-
1994
- 1994-08-17 KR KR1019940020259A patent/KR0131987B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1995
- 1995-08-15 US US08/515,429 patent/US5611862A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-08-17 JP JP7209392A patent/JP2801565B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2801565B2 (ja) | 1998-09-21 |
US5611862A (en) | 1997-03-18 |
KR0131987B1 (ko) | 1998-04-18 |
JPH0885876A (ja) | 1996-04-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10424465B2 (en) | Plasma polymerization coating apparatus | |
CN111020534B (zh) | 镀膜设备 | |
JPH059517B2 (ko) | ||
EP1424405A3 (de) | Verfahren und Anlage zur Herstellung beschichteter Werkstücke | |
KR960008697A (ko) | 고주파 플라즈마 화학증착법을 이용한 원형기판용 코팅층의 대량 합성장치 및 합성방법 | |
FR2397067A1 (fr) | Dispositif d'injection de gaz pour gravure ou depot reactifs sous decharge luminescente | |
KR100483282B1 (ko) | 화학기상증착장치 | |
CN211814641U (zh) | 镀膜设备 | |
CN211897109U (zh) | 镀膜设备 | |
CN211645379U (zh) | 镀膜设备 | |
US11898248B2 (en) | Coating apparatus and coating method | |
KR100457455B1 (ko) | 박막 증착 속도를 조절하는 샤워헤드를 구비한 화학 기상증착 장치. | |
CN100479111C (zh) | 等离子处理装置 | |
CN101235488A (zh) | 在放置于射频等离子体之外的衬底上形成薄膜的技术 | |
US9957618B2 (en) | Single-unit reactor design for combined oxidative, initiated, and plasma-enhanced chemical vapor deposition | |
JPH07278822A (ja) | 炭素膜形成のためのプラズマcvd法及び装置 | |
CN110965049A (zh) | 电极支架和电极支架的工作方法 | |
JPS62185879A (ja) | アモルフアスカ−ボン膜の成膜方法 | |
JP6329935B2 (ja) | プラズマ発生方法及びそのための装置 | |
CN111235553A (zh) | 一种一体化电极及在等离子体增强化学气相沉积设备中的应用 | |
US20230009866A1 (en) | Electrode support, supporting structure, support, film coating apparatus, and application | |
JPS62210623A (ja) | 気相反応装置用電極 | |
JPS643338B2 (ko) | ||
KR20080082222A (ko) | 라디칼 증착 장치 및 방법 | |
JPS62174383A (ja) | 薄膜堆積装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20081201 Year of fee payment: 12 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |