KR960006105A - 자기센서 및 그 제조방법 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 13
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims 8
- 239000010408 film Substances 0.000 claims 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Abstract
전계 방출 현상에 의해 냉음극으로부터 방출되는 전자가 자기장에서 원을 그리는 성질을 이용하기 위해 실리콘기판 상부에 냉음극 팁과, 그 주위의 게이트 및 저항띠를 형성하여, 냉음극팁으로부터 방출되는 전자의 2차원적 방향 및 세기를 측정한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 자기센서의 평면도.
제5도는 본 발명의 자기센서의 동작을 전기적 등가회로로 설명하기 위한 도해도.
Claims (8)
- 전자방출기능을 가진 실리콘기판과, 상기 실리콘기판을 사진식각공정을 이용하여 비등방성 식각함으로써 형성되는 냉음극팁과, 상기 냉음극팁이 형성된 실리콘기판상부에 형성되는 절연층과, 상기 절연층상부에 금속박막을 증착시킨 후 사진식각공정에 의해 형성되는 게이트와, 전체구조 상부에 다결정 실리콘을 증착하고 원하는 저항값을 갖도록 이온주입 공정을 행한 후, 사진식각공정으로 형성되는 저항띠와, 상기 저항띠 양단에 금속박막을 증착시킨 후, 사진식각공정으로 형성되는 양의 전극 및 음의 전극과, 상기 양의 전극 양단에 이온주입공정으로 형성되는 저항체를 포함하여, 상기 냉음극팁으로 부터 방출되는 전자의 2차원적 방향과 자기장의 세기를 측정할 수 있는 자기센서.
- 제1항에 있어서, 상기 실리콘기판에 형성되는 냉음극팁은 출력신호를 높이기 위해 중앙에 두개이상 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 자기센서.
- 제1항에 있어서, 측정가능한 자기장의 세기영역을 확대시킬 수 있도록, 상기 게이트에 가해지는 전압이 가변 전압인 것을 특징으로 하는 자기센서.
- 제1항에 있어서, 상기 실리콘기판 상부의 절연체상에 형성되는 저항띠와 양의 전극사이에 형성되는 저항체 부분에 형광체를 도포하여 육안으로 출력을 감지할 수 있도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 자기센서.
- 제4항에 있어서, 상기 형광체로부터 출력된 신호를 증폭시켜, 상기 신호를 더욱 용이하게 감지할 수 있도록 촬상관을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자기센서.
- 제1항 또는 4항에 있어서, 상기 저항띠의 재질은 다결정 실리콘, 비정질 실리콘 또는 이에 불순물이 함유되어 있는 실리콘인 것을 특징으로 하는 자기센서.
- 실리콘기판상부에 실리콘 산화막을 증착시키는 단계와, 상기 실리콘 산화막 상부에 포토레지스터층을 형성시킨 후 사진식각공정으로 포토마스크를 형성하고 하부의 실리콘 산화막을 식각하여 마스크를 형성하는 단계와, 상기 마스크 하부의 실리콘기판을 비등방성식각하여 냉음극팁을 형성하는 단계와, 상기 냉음극팁이 형성된 실리콘기판 상부에 절연층을 형성하는 단계와, 상기 절연층상부에 금속박막을 증착시킨 후, 사진식각공정으로 게이트를 형성하는 단계와, 상기 냉음극으로부터 게이트까지의 부분에 산화막을 도포한 후, 전체구조 상부에 다결정 실리콘을 증착하고 원하는 저항값을 갖도록 이온주입 공정을 행한 후, 사진식각공정으로 저항띠를 형성하는 단계와, 상기 저항띠 양단에 금속박막을 증착시킨 후 사진식각공정으로 양의 전극 및 음의 전극과 금속 배선을 형성시킨 후, 양의 전극 양단에 이온 주입 공정으로 저항체를 형성하는 단계와, 상기 냉음극팁과 게이트 사이에 형성되어 있는 산화막을 제거하는 단계를 포함하는 자기센서 제조방법.
- 제7항에 있어서, 상기 냉음극팁이 형성된 실리콘기판 상부에 형성되는 절연층은 실리콘 산화막, 알루미늄 산화막 또는 질화막인 것을 특징으로 하는 자기센서 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940016828A KR0136210B1 (ko) | 1994-07-13 | 1994-07-13 | 자기센서 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940016828A KR0136210B1 (ko) | 1994-07-13 | 1994-07-13 | 자기센서 및 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960006105A true KR960006105A (ko) | 1996-02-23 |
| KR0136210B1 KR0136210B1 (ko) | 1998-04-24 |
Family
ID=19387875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940016828A KR0136210B1 (ko) | 1994-07-13 | 1994-07-13 | 자기센서 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0136210B1 (ko) |
-
1994
- 1994-07-13 KR KR1019940016828A patent/KR0136210B1/ko not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0136210B1 (ko) | 1998-04-24 |
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