KR960004316A - 1, 4-비스(2-시아노스티릴)벤젠의 제법 - Google Patents

1, 4-비스(2-시아노스티릴)벤젠의 제법 Download PDF

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KR960004316A
KR960004316A KR1019940018098A KR19940018098A KR960004316A KR 960004316 A KR960004316 A KR 960004316A KR 1019940018098 A KR1019940018098 A KR 1019940018098A KR 19940018098 A KR19940018098 A KR 19940018098A KR 960004316 A KR960004316 A KR 960004316A
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박수열
정재윤
석일곤
김주혜
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강박광
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Abstract

본 발명은 전량 수입에 의존하고 있는 하기 구조식(Ⅰ)의 고내광성 합성섬유용 형광증백제 CI 형광 199를 구입이 용이하고 가격이 저렴한 원료를 사용하는 간단한 반응공정에 의해 고순도 및 고수율을 제조하는 새로운 방법에 관한 것이다.

Description

1,4-비스(2-시아노스티릴)벤젠의 제법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (12)

  1. 하기 구조식(Ⅶ)의 화합물을 용매 존재하게 구리(Ⅰ)시안화물과 반응시킴을 특징으로 하는 하기 구조식(Ⅰ)의 화합물을 제조하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 용매는 N-메틸피롤리디논임을 특징으로 하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 반응 온도는 240 내지 255℃임을 특징으로 하는 방법.
  4. 제3항에 있어서, 250℃에서 7시간동안 반응시킴을 특징으로 하는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 구조식(Ⅶ)의 화합물이 하기 구조식(Ⅵ)의 화합물을 유기용매 존재하에 o-클로로벤즈알데히드와 축합 반응시켜 제조됨을 특징으로 하는 방법.
  6. 제5항에 있어서, 80 내지 90℃의 온도에서 2 내지 3시간동안 반응시킴을 특징으로 하는 방법.
  7. 제5항에 있어서, 구조식(Ⅵ)의 화합물이 하기 구조식(Ⅲ)의 화합물을 트리에틸포스파이트로 포스폰화시켜 제조됨을 특징으로 하는 방법.
  8. 제7항에 있어서, 140 내지 150℃의 온도에서 4 내지 5시간동안 반응시킴을 특징으로 하는 방법.
  9. 제7항에 있어서, 트리에틸포스파이트를 구조식(Ⅲ)의 화합물에 대해 3 내지 3.5몰배량 사용하여 반응시킴을 특징으로 하는 방법.
  10. 제7항에 있어서, 구조식(Ⅲ)의 화합물의 p-크실렌을 용매 존재하에 자유라디칼 반응조건에서 염소화시켜 제조됨을 특징으로 하는 방법.
  11. 제10항에 있어서, 반응 온도는 80 내지 100℃임을 특징으로 하는 방법.
  12. 제10항에 있어서, 용매는 사염화탄소 임을 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100385667B1 (en) * 1995-01-25 2003-08-21 Sony Corp Receiver
KR100410792B1 (ko) * 1998-11-30 2003-12-18 산요덴키가부시키가이샤 라디오 수신기

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