KR960002818A - 반도체소자의 트랜지스터 형성방법 - Google Patents
반도체소자의 트랜지스터 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 트랜지스터를 형성방법에 관한 것으로, 반도체소자의 고집적화에 따른 게이트산화막의 막질저하를 방지하기 위하여, 반도체기판 상부에 게이트전극을 형성하되, 게이트전극용 다결정실리콘막, 비정질 다결정실리콘막 및 전이금속막으로 형성하고 고온열공정으로 상기 전이금속막을 실리사이드로 변화시켜 게이트전극을 형성함으로써 게이트산화마그이 막질저하를 방지하여 반도체소자의 신뢰성 및 생산성을 향상시킬 수 있어 반도체소자의 고집적화를 가능하게 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래기술에 의해 형성된 반도체소자의 트랜지스터를 도시한 단면도,
제2A도 내지 제2D도는 본 발명의 제1실시예에 의한 반도체소자의 트랜지스터 형성공정을 도시한 단면도,
제3A도 내지 제3C도는 본 발명의 제2실시예에 의한 반도체소자의 트랜지스터 형성공정을 도시한 단면도.
Claims (7)
- 반도체소자의 트랜지스터를 형성방법에 있어서, 반도체기판 상부에 게이트산화막, 게이트전극용 다결정실리콘막 및 진성 다결정실리콘막을 순차적으로 증착하는 공정과, 게이트전극 마스크를 이용하여 상기 진성 다결정실리콘막과 일정 두께의 게이트전극용 다결정실리콘막을 식각함으로써 게이트전극을 형성하고 저농도의 불순물이온을 주입하여 저농도의 불순물영역을 형성하는 공정과, 상기 게이트전극의 측벽에 절연막 스페이서를 형성하고 상기 절연막 스페이서를 마스크로하여 상기 게이트전극용 다결정실리콘막 게이트산화막을 식각한 다음, 고농도의 불순물이온을 주입하여 고농도의 불순물영역을 형성하는 공정과, 상기 노출된 반도체기판과 비정질 다결정실리콘막 상부에 전이금속막을 선택증착하고 고온 열공정을 실시하여 상기 전이금속막을 실리사이드로 변화시켜 트랜지스터를 형성하는 공정을 포함하는 반도체 소자의 트랜지스터 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 진성 다결정실리콘막은 이온주입 공정시 손상에 의해 비정질 다결정실리콘막으로 변화하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터 형성방법.
- 상기 제1항에 있어서, 상기 절연막 스페이서는 산화막 또는 질화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터 형성방법.
- 반도체소자의 트랜지스터를 형성방법에 있어서, 반도체기판 상부에 게이트산화막, 게이트 전극용 다결정실리콘막, 진성 다결정실리콘막 및 전이금속막을 순차적으로 증착하는 공정과, 게이트전극 마스크를 이용하여 상기 전이금속막, 진성 다결정실리콘막 및 일정두께의 게이트전극용 다결정실리콘막을 순차적으로 식각함으로써 게이트전극을 형성하고 저농도의 불순물이온을 주입하여 저농도의 불순물영역을 형성하는 공정과, 상기 게이트전극의 측벽에 절연막 스페이서를 형성하고, 상기 절연막 스페이서를 마스크로하여 상기 게이트전극용 다결정실리콘막과 게이트산화막을 식각한 다음, 고농도의 불순물이온을 주입하여 고농도의 불순물영역을 형성하는 공정과, 고온열처리공정을 실시하여 상기 전이금속막을 실리사이드로 변화시켜 트랜지스터를 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 트랜지스터 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 진성 다결정실리콘막은 이온주입 공정시 손상에 의해 비정질 다결정실리콘막으로 변화하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 트랜지스터 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 절연막 스페이서는 산화막 또는 질화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 트랜지스터 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 고온 열공정은 산소가스를 이용함으로써 TiSix 침투 방지용 경계막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 트랜지스터 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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