KR960002792A - 반도체장치의 커패시터 제조방법 - Google Patents
반도체장치의 커패시터 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
반도체장치의 커패시터 제조방법이 개시되어 있다. 도전물로 스토리지전극을 형성하고, 스토리지전극 상에 유전막을 형성하고, 상기 유전막 상에 WN으로 플레이트전극을 PECVD 방법을 사용하여 증착하여 커패시터를 형성한다.
플라즈마 화학증착법으로 텅스텐 질화막을 플레이트전극으로 형성함으로써 단차도포성을 향상시킬 수 있고, 누설전류를 감소시킬 수 있으며, 커패시터 유효면적을 증가시킬 수 있는 셀 구조에 사용되어 커패시턴스를 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6도 내지 제13도는 본 발명에 의한 커패시터 제조방법의 일 예를 설명하기 위한 단면도들이다.
Claims (6)
- 도전물을 증착하여 스토리지전극을 형성하는 단계; 상기 스토리지전극 상에 유전막을 형성하는 단계 및 상기 유전막 상에 PECVD 방법으로 금속을 증착하여 플레이트전극을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 커패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 도전물은 다결정 실리콘, 알루미늄(Al), 알루미늄합금, 구리(Cu), 금(Au), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 코발트(Co) 및 텅스텐(W)으로 구성된 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 커패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 유전물질은 Ta2O3, Y2O3등인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 커패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 금속은 티타늄 질화물(TiN), 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 질화물(MoN), 텅스텐(W) 및 텅스텐 질화물(WN)로 구성된 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 커패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 플레이트전극은 250∼550℃의 증착온도, 30∼200W의 RF power, 0.05∼5 Torr의 증착압력하에서 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 커패시터 제조방법.
- 제5항에 있어서, 상기 증착온도는 350℃이고, 상기 RF power는 100W이고, 상기 증착압력은 0.1 Torr인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 커패시터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940013122A KR960002792A (ko) | 1994-06-10 | 1994-06-10 | 반도체장치의 커패시터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019940013122A KR960002792A (ko) | 1994-06-10 | 1994-06-10 | 반도체장치의 커패시터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960002792A true KR960002792A (ko) | 1996-01-26 |
Family
ID=66685897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940013122A KR960002792A (ko) | 1994-06-10 | 1994-06-10 | 반도체장치의 커패시터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960002792A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100480574B1 (ko) * | 1997-11-27 | 2005-05-16 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치의금속배선형성방법및이를이용한커패시터제조방법 |
| KR100833394B1 (ko) * | 2002-07-05 | 2008-05-28 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 커패시터 형성방법 |
-
1994
- 1994-06-10 KR KR1019940013122A patent/KR960002792A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100480574B1 (ko) * | 1997-11-27 | 2005-05-16 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치의금속배선형성방법및이를이용한커패시터제조방법 |
| KR100833394B1 (ko) * | 2002-07-05 | 2008-05-28 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 커패시터 형성방법 |
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