KR950703079A - 반도체단결정의 결정품질을 예측하는 방법 및 그 장치(method of predicting crystal quality of semiconductor single crystal and apparatus thereof) - Google Patents

반도체단결정의 결정품질을 예측하는 방법 및 그 장치(method of predicting crystal quality of semiconductor single crystal and apparatus thereof)

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KR950703079A
KR950703079A KR1019940703097A KR19940703097A KR950703079A KR 950703079 A KR950703079 A KR 950703079A KR 1019940703097 A KR1019940703097 A KR 1019940703097A KR 19940703097 A KR19940703097 A KR 19940703097A KR 950703079 A KR950703079 A KR 950703079A
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crystal
atomic
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temporal change
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KR1019940703097A
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Inventor
류이찌 하부
Original Assignee
다나까 미노루
신닛뽕세이데쓰 가부시끼가이샤(Nippon Steel Corporation)
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure

Abstract

반도체웨이퍼의 열처리공정 도중에 나타나는 결정결합의 밀도 및 그 분포를, 상기 반도체웨이퍼의 원재료로 사용되는 반도체단결정내로 결정성장 도중 동결되는 격자간원자 및 원자공극의 각각의 밀도 및 그 분포를 토대로 하여, 상기 반도체웨이퍼에 대응하는 상기 반도체단결정의 단면에서 예측하는 방법 및 장치에 있어서, 격자간원자 및 원자공극의 각각의 밀도 및 그 분포를, 용액에서 성장도중에 있는 반도체단결정내의 격자간원자 농도의 시간적인 변화를 결정내의 위치의 함수로 표현한 제1확산 방정식, 그리고 상기 결정내의 원자공극의 농도의 시간적인 변화를 결정내의 위치의 함수로 표현한 제2확산 방정식으로 부터 구하는 단계를 포함하고, 상기 제1확산방정식은, 결정내의 격자간원자 농도의 시간적변화에 대한 격자간원자의 통상확산의 기여를 표시하는 항, 결정내의 격자간원자 농도의 시간적변화에 대한 격자간원자의 과도확산의 기여를 표시하는 항, 그리고 결정내의 격자간원자 농도의 시간적변화에 대한 격자간원자와 원자공극 간의 쌍소멸반응의 기여를 표시하는 항을 포함하고, 상기 제2확산방정식은, 결정내의 원자공극의 농도의 시간적변화에 대한 원자공극의 통상확산의 기여를 표시하는 항, 결정내의 원자공극의 농도의 시간적변화에 대한 원자공극의 과도확산의 기여를 표시하는 항, 그리고 결정내의 원자공극의 농도의 시간적변화에 대한 격자간원자와 원자공극 간의 쌍소멸반응의 기여를 표시하는 항을 포함하는 단계로 이루어진 방법 및 장치.

Description

반도체단결정의 결정품질을 예측하는 방법 및 그 장치(METHOD OF PREDICTING CRYSTAL QUALITY OF SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL AND APPARATUS THEREOF)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 방법이 적용된, 실리콘용액에서 얻어진 실리콘단결정의 형상을 도시한 개략도;
제2도는 본 발명에 따른 방법의 일 실시예를 설명하는 플로우챠트;
제3도는 본 발명의 방법을 실시하기 위한 장치의 구성을 도시한 개략도;

Claims (3)

  1. 반도체웨이퍼의 열처리공정 도중에 나타나는 결정결함의 밀도 및 그 분포를, 상기 반도체웨이퍼의 원재료로 사용되는 반도체단결정내로 결정성장 도중 동결되는 격자간원자 및 원자공극의 각각의 밀도 및 그 분포를 토대로 하여, 상기 반도체웨이퍼에 대응하는 상기 반도체단결정의 단면에서 예측하는 방법에 있어서, 격자간원자 및 원자공극의 각각의 밀도 및 그 분포를, 용액에서 성장도중에 있는 원자공극의 각각의 밀도 및 그 분포를, 용액에서 성장도중에 있는 반도체단결정내의 격자간원자 농도의 시간적인 변화를 결정내의 위치의 함수로 표현한 제1확산 방정식, 그리고 상기 결정내의 원자공극의 농도의 시간적인 변화를 결정내의 위치의 함수로 표현한 제2확산 방정식으로 부터 구하는 단계를 포함하고, 상기 제1확산방정식은, 결정내의 격자간원자 농도의 시간적 변화에 대한 격자간원자의 통상확산의 결정내의 격자간원자 농도의 시간적변화에 대한 격자간원자의 통상확산의 기여를 표시하는 항, 결정내의 격자간원자 농도의 시간적변화에 대한 격자간원자의 과도확산의 기여를 표시하는 항, 그리고 결정내의 격자간원자 농도의 시간적변화에 대한 격자간원자와 원자공극 간의 쌍소멸반응의 기여를 표시하는 항을 포함하고, 상기 제2확산방정식은, 결정내의 원자공극의 농도의 시간적변화에 대한 원자공극의 통상확산의 기여를 표시하는 항, 결정내의 원자공극의 농도의 시간적변화에 대한 원자공극의 과도확산의 기여를 표시하는 항, 그리고 결정내의 원자공극의 농도의 시간적변화에 대한 격자간원자와 원자공극 간의 쌍소멸반응의 기여를 표시하는 항을 포함하는 단계로 이루어진 방법.
  2. 제2항에 있어서, 상기 제1확산방정식 및 상기 제2확산방정식은 각각 하기의 식(1) 및 (2)에 의해 주어지는 방법,
  3. 반도체웨이퍼의 열처리공정 도중에 나타나는 결정결함의 밀도 및 그 분포를, 상기 반도체웨이퍼의 원재료로 사용되는 반도체단결정내로 결정성장 도중 동결되는 격자간원자 및 원자공극의 각각의 밀도 및 그 분포를 토대로 하여, 상기 반도체웨이퍼에 대응하는 상기 반도체단결정의 단면에서 예측하는 장치에 있어서, 격자간원자 및 원자공극의 각각의 밀도 및 그 분포를, 용액에서 성장도중에 있는 반도체단결정내의 격자간원자 농도이 시간적인 변화를 결정내의 위치의 함수로 표현한 제1확산 방정식, 그리고 상기 결정내의 원자공극의 농도의 시간적인 변화를 결정내의 위치의 함수로 표현한 제2확산 방정식으로 부터 구하는 수단을 포함하고, 상기 제1확산방정식은, 결정내의 격자간원자 농도의 시간적변화에 대한 격자간원자의 통상확산의 기여를 표시하는 항, 그리고 결정내의 격자간원자 농도의 시간적변화에 대한 격자간원자의 과도확산의 기여를 표시하는 항, 그리고 결정내의 격자간원자 농도의 시간적변화에 대한 격자간원자이 원자공극 간의 쌍소멸반응의 기여를 표시하는 항을 포함하고, 상기 제2확산방정식은, 결정내의 원자공극의 농도의 시간적변화에 대한 원자공극의 통상확산의 기여를 표시하는 항, 결정내의 원자공극의 농도의 시간적변화에 대한 원자공극의 과도확산의 기여를 표시하는 항, 그리고 결정내의 원자공극의 농도의 시간적변화에 대한 격자간원자와 원자공극 간의 쌍소멸반응의 기여를 표시하는 항을 포함하는 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940703097A 1993-01-06 1994-01-06 반도체단결정의 결정품질을 예측하는 방법 및 그 장치(method of predicting crystal quality of semiconductor single crystal and apparatus thereof) KR950703079A (ko)

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