KR950027009A - 알루미늄 박막의 에칭방법 - Google Patents

알루미늄 박막의 에칭방법 Download PDF

Info

Publication number
KR950027009A
KR950027009A KR1019950001054A KR19950001054A KR950027009A KR 950027009 A KR950027009 A KR 950027009A KR 1019950001054 A KR1019950001054 A KR 1019950001054A KR 19950001054 A KR19950001054 A KR 19950001054A KR 950027009 A KR950027009 A KR 950027009A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
thin film
electrolytic capacitor
atoms
electrode
cathode
Prior art date
Application number
KR1019950001054A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100247101B1 (ko
Inventor
고우드 데이비드
Original Assignee
니시오 사토시
케이디케이 코포레이숀
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 니시오 사토시, 케이디케이 코포레이숀 filed Critical 니시오 사토시
Publication of KR950027009A publication Critical patent/KR950027009A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100247101B1 publication Critical patent/KR100247101B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
    • C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
    • C25F3/02—Etching
    • C25F3/04—Etching of light metals
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12389—All metal or with adjacent metals having variation in thickness
    • Y10T428/12396—Discontinuous surface component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12472—Microscopic interfacial wave or roughness

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Abstract

본 발명은 균일하게 분포된 에칭 터널을 형성함으로써 금속 박막의 표면적을 증대시킨다. 박막은 박막에 대해 음극인 불연속 표면 금속층을 증착한 다음에 증착된 금속 부분을 제거하기 위해서 박막을 화학적으로 에칭함으로서 예비처리된다. 최종적으로 박막은 에칭 터널을 형성하기 위해서 전기화학적으로 에칭된다.

Description

알루미늄 박막의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (25)

  1. 전해질내에서 박막에 대해 음극인 불연속 금속층을 상기 박막 표면상에 증착시키는 단계, 및 상기 전해질내에서 상기 박막을 전기화학적으로 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 알루미늄 박막의 에칭방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전기화학적 에칭 단계 이전에 상기 증착된 금속층을 함유하는 상기 박막을 화학적으로 에칭하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 화학 부식제는 산을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 산은 염산, 황산, 플루오르 수소산, 플루오르 규산, 및 그들의 혼합물들로 구성된 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 전기화학적 에칭은 양극의 직류 전기화학적 에칭인 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 금속 박막 표면상에 증착된 상기 금속은 금, 은, 납, 아연, 주석 및 그들의 혼합물들로 구성된 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 증착된 금, 음, 납, 아연 또는 주석의 양은 각각 0.9×1014내지 8×1014atoms/㎠, 0.9×1014내지 8×1014atoms/㎠, 0.6×1014내지 5×1014atoms/㎠, 1×1014내지 8.5×1014atoms/㎠, 및 0.7×1014내지 5.5×1014atoms/㎠인 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 금속층은 열 증발, 전자빔 증발, 스퍼터링 및 화학적 증기 증착으로 구성된 그룹으로부터 선택된 건식 공정에 의해 증착되는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제8항에 있어서, 금속 증착 이전 및 금속 증착 동안에 상기 금속 박막 표면의 일부를 덮는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 상기 제1항의 방법에 따라 에칭된 표면을 갖는 전해 캐패시터 전극.
  11. 양극과 음극을 포함하는 2개의 전극과 전해질을 갖는 형태의 전해 캐패시터에 있어서, 상기 제1항의 방법에 따라 제조된 최소한 하나의 상기 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 전해 캐패시터.
  12. 화학적 에칭 습식 공정을 사용하지 않는 알루미늄 박막의 에칭 방법에 있어서, 전해질 내에서 박막에 대해 음극인 불연속 금속층을 상기 박막 표면상에 증착시키는 단계, 및 상기 전해질 내에서 상기 박막을 전기화학적으로 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 전기화학적 에칭은 양극의 직류 전기화학적 에칭인 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제12항에 있어서, 상기 금속 박막표면상에 증착된 상기 금속은 금, 은, 납, 아연, 주석, 및 그들의 혼합물들로 구성된 그루붕로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 증착된 금, 음, 납, 아연 또는 주석의 양은 각각 0.9×1014내지 8×1014atoms/㎠, 0.9×1014내지 8×1014atoms/㎠, 0.6×1014내지 5×1014atoms/㎠, 1×1014내지 8.5×1014atoms/㎠, 및 0.7×1014내지 5.5×1014atoms/㎠인 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제1항에 있어서, 상기 금속층은 열 증발, 전자빔 증발, 스퍼터링 및 화학적 증기 증착으로 구성된 그룹으로부터 선택된 건식 공정에 의해 증착되는 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 제16항에 있어서, 금속 증착 이전 및 금속 증착 동안에 상기 금속 박막 표면의 일부를 덮는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 상기 제2항의 방법에 따라 에칭된 표면을 갖는 전해 캐패시터 전극.
  19. 양극과 음극을 포함하는 2개의 전극과 전해질을 갖는 형태의 전해 캐패시터에 있어서, 상기 제12항의 방법에 따라 제조된 최소한 하나의 상기 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 전해 캐패시터.
  20. 제11항에 있어서, 상기 전극은 양음극인 것을 특징으로 하는 전해 캐패시터.
  21. 제11항에 있어서, 상기 전극은 음극인 것을 특징으로 하는 전해 캐패시터.
  22. 제11항에 있어서, 양극 및 음극 양자가 제1항의 방법에 따라 제조되는 것을 특징으로 하는 전해 캐패시터.
  23. 제19항에 있어서, 상기 전극은 양극인 것을 특징으로 하는 전해 커패시터.
  24. 제19항에 있어서, 상기 전극은 응극인 것을 특징으로 하는 전해 커패시터.
  25. 제19항에 있어서, 양극 및 음극 양자가 제12항의 방법에 따라 제조되는 것을 특징으로 하는 전해캐패시터.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950001054A 1994-01-26 1995-01-23 알루미늄박의 에칭방법 KR100247101B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/187,085 US5405493A (en) 1994-01-26 1994-01-26 Method of etching aluminum foil
US08/187,085 1994-01-26
US8/187,085 1994-01-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950027009A true KR950027009A (ko) 1995-10-16
KR100247101B1 KR100247101B1 (ko) 2000-04-01

Family

ID=22687552

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950001054A KR100247101B1 (ko) 1994-01-26 1995-01-23 알루미늄박의 에칭방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5405493A (ko)
EP (1) EP0665310B1 (ko)
JP (1) JP2723478B2 (ko)
KR (1) KR100247101B1 (ko)
DE (1) DE69402820T2 (ko)
TW (1) TW289118B (ko)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6224738B1 (en) 1999-11-09 2001-05-01 Pacesetter, Inc. Method for a patterned etch with electrolytically grown mask
US7578924B1 (en) 2004-07-29 2009-08-25 Pacesetter, Inc. Process for producing high etch gains for electrolytic capacitor manufacturing
US7531078B1 (en) 2005-01-13 2009-05-12 Pacesetter, Inc. Chemical printing of raw aluminum anode foil to induce uniform patterning etching
AR074508A1 (es) * 2008-12-08 2011-01-19 Grace Gmbh & Co Kg Particulas anticorrosivas
US20130248486A1 (en) * 2012-03-23 2013-09-26 Apple Inc. Electron beam polishing of aluminum
US10384299B2 (en) 2013-06-26 2019-08-20 Apple Inc. Electron beam conditioning
CN104357886B (zh) * 2014-10-30 2017-10-17 广西贺州桂海铝业科技有限公司 中高压阳极用高纯铝箔表面化学沉积弥散锡、锌晶核的方法
US10072349B2 (en) 2016-01-05 2018-09-11 Pacesetter, Inc. Etch solutions having bis(perfluoroalkylsulfonyl)imides, and use thereof to form anode foils with increased capacitance
US10309033B2 (en) 2016-12-02 2019-06-04 Pacesetter, Inc. Process additives to reduce etch resist undercutting in the manufacture of anode foils
US10240249B2 (en) 2016-12-02 2019-03-26 Pacesetter, Inc. Use of nonafluorobutanesulfonic acid in a low pH etch solution to increase aluminum foil capacitance
US10422050B2 (en) 2016-12-02 2019-09-24 Pacesetter, Inc. Process for using persulfate in a low pH etch solution to increase aluminum foil capacitance

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL282834A (ko) * 1961-09-15
JPS5452637A (en) * 1977-10-05 1979-04-25 Iwatsu Electric Co Ltd Electrolytic etching method
DE2758155A1 (de) * 1977-12-27 1979-06-28 Siemens Ag Verfahren zur herstellung eines elektrolytkondensators
US4437955A (en) * 1983-07-05 1984-03-20 U.S. Philips Corporation Combined AC and DC etching of aluminum foil
US4676879A (en) * 1985-04-12 1987-06-30 Becromal S.P.A. Method for the production of an aluminum foil for electrolytic _capacitors, and electrolytic capacitors thus produced
DD247990A1 (de) * 1986-04-07 1987-07-22 Gera Elektronik Veb Verfahren zum aetzen von aluminiumfolie fuer elektrolytkondensatoren
DE3917425A1 (de) * 1989-05-29 1990-12-06 Siemens Ag Verfahren zum herstellen von elektrodenfolien fuer insbesondere hochvolt-elektrolytkondensatoren
JPH061688A (ja) * 1992-06-22 1994-01-11 Nkk Corp 粒状ドープ剤供給装置及び方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE69402820T2 (de) 1997-09-04
EP0665310A1 (en) 1995-08-02
JPH0841698A (ja) 1996-02-13
KR100247101B1 (ko) 2000-04-01
EP0665310B1 (en) 1997-04-23
DE69402820D1 (de) 1997-05-28
US5405493A (en) 1995-04-11
JP2723478B2 (ja) 1998-03-09
TW289118B (ko) 1996-10-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4897168A (en) Process and arrangement for production of printing plate support
US5901032A (en) Method of producing aluminum foil for electrolytic capacitors and product thereof
US20010006735A1 (en) Method for producing high surface area foil electrodes
KR950027009A (ko) 알루미늄 박막의 에칭방법
KR860004170A (ko) 양극 알루미늄 산화물 필름 및 그 형성방법
KR850005739A (ko) 전기화학 전지
KR840004462A (ko) 전해용 이온 교환막의 제조방법
US2755237A (en) Electrolytically etched condenser electrode
JP2004186696A (ja) 電解コンデンサ用電極およびその製造方法
US2661388A (en) Primary cells
US6440288B1 (en) Method for preparing anode electrode for high voltage electrolytic capacitor
US6865071B2 (en) Electrolytic capacitors and method for making them
KR910013329A (ko) 고체전해콘덴서 및 그 제조방법
KR970008416A (ko) 선택적 구리 증착방법
US3619387A (en) Technique for the fabrication of thin film capacitor including lead dioxide conductive films
JP2864477B2 (ja) 電解コンデンサ用アルミニウム電極
US6678148B2 (en) Method for producing electrodes as well as electrodes produced by the method
JP2811915B2 (ja) 固体電解コンデンサの製造方法
US2726279A (en) Anode for primary cells and method for making same
JPH0536267Y2 (ko)
SU635540A1 (ru) Способ изготовлени решетки дл электрода свинцоыого аккумул тора
KR100273391B1 (ko) Al 전해캐패시터의 유전체층을 형성하는 방법
KR100271321B1 (ko) Al 전해콘덴서의 제조방법
JPS6184066A (ja) 薄膜トランジスタの製造方法
JP2523654B2 (ja) アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20081201

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee