KR950024415A - 모스에프이티 소자를 사용한 고주파 증폭방법 - Google Patents
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Abstract
전자기 스펙트럼의 무선 주파수(RF)범위에서 전류 신호 증폭에 있어서 전류 신호 증폭에 있어서의 MOSFET의 사용을 허용하고, 기생 커패시턴스의 영향을 최소화시키는 금속-산화물-실리콘 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)를 사용하는 고주파 전류 신호 증폭 방법이다. 전류신호는 입력 전류 신호의 증폭이 채용된 MOSFET의 채널 폭의 비에 의해 결정되어지도록 증폭단에 베열된 다수의 MOSFET에 공급된다. N-전도도 타임 및 P-전도도 타입 소자로 구성된 교류 증폭단이 채용된다. 신호의 증폭은 MOSFET내의 채널의 폭 및 채용된 전류 신호증폭단의 수에 의해 정확하게 제어될 수 있다. 출력 신호는 레지스턴스 혹은 리액턴스로 접속시킴에 의해 전압 신호로 또한 변환되어질 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 방법에 사용되는 전형적인 입력 신호의 그래프,
제4도는 본 발명의 방법에 따라 사용된 MOSFET에 대한 드레인 전압(볼트) 대 드레인 전류(밀리암페어) 및 동작곡선의 그래프.
Claims (27)
- 금속 산화물 실리콘 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)를 사용하는 고주파 전류 증폭 방법으로, 상기 방법은, 제1전극 라인에서 상기 제1MOSFET의 제2전극까지 제1채널폭을 가진 제1금속 산화물 실리콘 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)를 통해 고주파 전류 신호를 통과시키고, 상기 제1MOSFET의 상기 제1전극 라인을 (i) 상기 제1MOSFET의 제어 전극 라인 및 (ii) 제2채널 폭을 갖는 제2MOSFET의 제어 전극 라인에 접속시키는 단계와, 제1 및 제2MOFET의 제2전극 라인을 사전결정된 기준 전압에 접속시키는 단계로 이루어지고, 여기서 상기 제1 및 제2채널폭 사이의 관계식은 상기 제2MOSFET의 제1전극 라인상의 상기 고주파 전류 신호의 사전결정된 증폭의 결과로 나타나는 것을 특징으로 하는 고주파 전류 증폭 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 고주파 전류 소오스는 무선 안테나를 사용하여 발생되어지는 것을 특징으로 하는 고주파 전류 증폭 방법.
- 제1항에 있어서, 전압 신호를 발생시키기 위하여, 상기 제2MOSFET의 상기 제1전극 라인으로부터의 신호를 레지스턴스 혹은 리액턴스의 소오스에 접속하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 전류 증폭 방법.
- 출력라인을 가지고, 그 증폭단이 제공될 무선 주파수 전류 신호에 대해서 사전결정된 관계식을 갖는 제1증폭된 무선 주파수 전류 신호를 발생시키는 제1금속 산화물 실리콘 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 입력 라인에 무선 주파수 전류 신호를 제공하는 단계와, 출력 라인을 가지고, 제2MSFET 중폭단의 입력 라인에 상기 제1MOSFET 중폭단의 상기 출력 라인을 접속시키는 단계로 구성되어지고, 여기서, 상기 제2MOSFET 증폭단은 상기 제2MOSFET 증폭단의 상기 출력 라인에서 상기 제1중폭된 무선 주파수 전류 신호에 대해서 사전결정된 관계식을 갖는 제2증폭된 무선 주파수 전류 신호를 발생 시키는 것을 특징으로 하는 고주파 전류 증폭방법.
- 제4항에 있어서, 상기 제2MOSFET 중폭단의 출력 라인에서 상기 제2증폭된 전류 신호를 출력 신호를 갖는 제3MSFET 중폭단의 입력 라인에 접속시키는 단계를 포함하고, 상기 제3MSFET 중폭단은 상기 제3MOSFET 증폭단의 상기 출력 라인에서 상기 제2증폭된 무선 주파수 전류 신호에 대해서 사전결정된 관계식을 갖는 제3증폭된 무선 주파수 전류 신호를 발생시키는 것을 특징으로 하는 고주파 전류 증폭방법.
- 제4항에 있어서, 상기 제2MOSFET 증폭단의 상기 출력 라인에서의 신호를 nMOSFET 중폭단의 열의 입력 라인에 접속시키는 단계를 포함하고, 여기서 각각의 MOSFET 증폭단은 n번째 MOSFET 증폭단의 출력 라인에서 상기 제구된 전류 신호의 n번째 증폭을 통해서 제3을 제공하는 것을 특징으로 하는 고주파 전류 증폭방법.
- 제4항 내지 제6항중 어느 한 항에 있어서, 상기 고주파 전류 소오스는 무선 안테나를 사용하여 발생되는 것을 특징으르 하는 고주파 전류 증폭방법.
- 제4항 내지 제6항중 어느 한 항에 있어서, 전압 신호를 발생시키기 위해서 상기n번째 MOSFET증폭단의 상기 출력으로부터 레지스턴스 혹은 리액턴스의 소오스까지 신호를 접속시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 전류 증폭방법.
- 금속 산화물 실리콘 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)를 사용하는 고주파 전류 증폭의 방법으로, 상기 방법은, 제1전극 라인에서 상기 제1 MSFET의 제2전극까지 제1채널폭을 가진 제1금속 산화물 실리콘 전계 효과 트랜지스터(NOSFET)를 통해 고주파 전류 신호를 통과시키고, 상기 제l MOSFET의 상기 제1전극 라인을 (i) 상기 제1 MOSFET의 제어 전극 라인 및 (ii) 제2채널 폭을 갖는 제2MOSFET의 제어 전극 라인에 접속시키는 단계와, 상기 제2 MOSFET의 제1전극 라인에서 상기 제공된 전류 신호의 사전결정된 제1증폭의 결과가 나타나도록 각각 선택된 상기 제1 및 제2 채널 폭을 가지고, 제1선택된 채널 타입인 상기 제1 및 제2 MOSFET의 제2전극 라인을 제1사전결정된 기준 전압으로 접속시키는 단계와, 제1 전극 라인에서 상기 제3 MOSFET의 제2전극 라인까지 제3채널 폭을 가진 제3 MOSFET를 통해 상기 제2 MOSFET의 상기 제1전극 라인에서 상기 증폭된 전류 신호를 통과시키고 상기 제3MSFET의 상기 제1전극 라인을 (i) 상기 제3 MOSFET의 제어 전극 라인 및 (ii) 제4채널 폭을 가진 제4전극 라인의 제어 전극 라인에 접속시키는 단계와, 상기 제4 MOSFET의 제1전극 라인에서 상기 제공된 전류 신호의 사전결정된 제2증폭의 결과가 나타나도록 각각 선택된 상기 제3 및 제4채널폭을 가지고, 상기 제1 선택된 채널 타입과는 상이한 제2선택된 채널 타입인 상기 제3 및 제4 MOSFET의 제2전극 라인을 제2사전결정된 기준 전압으로 접속시키는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 고주파 전류 증폭방법.
- 제9항에 있어서, 상기 제4 MOSFET 제1전극라인을 (i) 제5 채널 폭을 가진 제5 MOSFET의 제어 전극 라인 및 제1전극 라인 및 (ii) 제6채널 폭을 가진 제6 MOSFET의 제어 전극 라인으로 접속시키는 단계와, 상기 제6 MOSFET의 제1전극 라인에서 상기 제공된 전류 신호의 사전결정된 제3증폭의 결과가 나타나도록 각각 선택된 상기 제5 및 제6채널 폭을 가지고, 제1선택된 채널 타입인 상기 제5 및 제6 MOSFET의 제2전극 라인을 제1사전결정된 기준 전압으로 접속시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 전류 증폭방법.
- 제9항에 있어서, n번째 MOSFET의 제1전극 라인에서 상기 제2증폭된 전류 신호의 사전결정된 증폭의 결과가 나타나도록 선택된 채널 폭을 각각 가진 MOSFET로, 제9항에서 설명된 바와 같이, nMOSFET의 열에 상기 제4MOSFET의 제l전극 라인을 접속시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 전류 증폭방법.
- 제9항 내지 제11항중 어느 한 항에 있어서, 상기 고주파전류 소오스는 무선 안테나를 사용하여 발생되어지는 것을 특징으로하는 고주파 전류 증폭방법.
- 9항 내지 제11항중 어느 한 항에 있어서, 전압 신호를 발생시키도록 상기n번째 MOSFET의 상기 제1전극 라인에서 레지스턴스 혹은 리액턴스의 소오스까지 신호를 접속시키는 부가적인 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 전류 증폭방법.
- 드레인 전극 라인에서 제1 MOSFET의 소오스 전극 라인까지 제1채널 폭을 갖는 제1금속 산화물 실리콘 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)를 통해 전류 신호를 통과시키고, 상기 제1 MOSFET의 드레인 전극 라인을 (i) 상기 제1 MOSFET의 게이트 전극 라인 및 (ii) 제2채널 폭을 가진 제2 MOSFET의 게이트 전극 라인으로 접속시키는 단계와 상기 제2 MOSFET의 드레인 전극 라인에서 상기 제공된 전류 신호의 사전결정된 제1증폭의 결과가 나타나도록 각각 선택된 상기 제1 및 제2채널 폭을 가지고 제1선택된 채널 타입인 상기 제1 및 제2 MOSFET를 제1사전결징된 기준 전압으로 접속시키는 단계와, 상기 제2 MOSFET의 상기 드레인 전극 라인을 (i) 제3채널 폭을 가진 제3MOSFET의 게이트 전극 및 (ii) 제4채널 폭을 가진 제4MOSFET의 게이트 전극 라인으로 접속시키는 단계와, 상기 제4 MOSFET의 드레인 전극 라인에서 상기 제공된 전류 신호의 제2사전결정된 증폭의 결과가 나타나도륵 각각 선택되고 제3 및 제4채널 폭을 가지고, 상기 제1선택된 채널 타입과는 상이한 제2선택된 채널 타입인 상기 제3 및 제4 MOSFET를 제2사전결정된 기준 진압으로 접속시키는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 고주파 전류 중폭방법.
- 제14항에 있어서, 상기 제4 MOSFET의 상기 드레인 전극 라인을 (i) 제5채널 폭을 가진 제5 MOSFET의 게이트 전극 라인과 드레인 전극 라인 및 (ii) 제6채널 폭을 가진 제6 MOSFET의 게이트 전극 라인으로 접속시키는 단계와, 상기 제6 MOSFET의 드레인 전극에서 상기 제공된 전류 신호의제3사전결정된 증폭의 결과가 나타나도록 각각 선택되고, 상기 제5 및 제6채널 폭을 가지고 상기 제1선택된 채널 타입인 상기 제5 및 제6 MOSFET를 상기 제1사전결정된 기준 전압으로 접속시키는 단계를 부가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 전류 중폭방법.
- 제14항에 있어서, n번째 MOSFET의 드레인 전극 라인에서 상기 제2증폭된 전류신호의 사전결정된 증폭의 결과를 나타내도록 선택된 채널 폭을 가진 상기 각각의 nMOSFET로 제14항에서 설명된 바와 같이 접속된 nMOSFET의 열로 상기 제4 MOSFET의 상기 드레인 전극 라인을 접속시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 전류 증폭방법.
- 제14항 내지 제16항중 어느 한 항에 있어서, 상기 고주파 전류 소오스는 무선 안테나를 사용하여 발생되어지는 것을 특징으로하는 고주파 전류 증폭 방법.
- 제l4항 내지 제16항중 어느 한 항에 있어서, 전압 신호를 발생시키도록 상기 n번째 MOSFET의 상기 드레인 전극 라인에서 레지스턴스 혹은 리액턴스까지 신호를 접속시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고주파 전류 증폭방법.
- 증폭된 고주파 전류 신호를 발생시키도륵 제1다수의 금속 산화물 실리콘 전계 효과 트랜지수터(MOSFET)를 사용하여 고주파 전류 신호를 증폭시키는 단계와, 제2다수의 MOSFET를 사용하여 상기 증폭된 고주파 전류 신호를 증폭시키는 단계로 구성된 것을 특징으로 하는 전류 증폭방법.
- 제l9항에 있어서, 상기 고주파 전류 신호는 약 900메가헤르츠의 주파수를 갖는 것을 특징으로 하는 전류 증폭방법.
- 제19항에 있어서, 상기 고주파 전류 신호는 약 2.4기가헤르츠의 주파수를 갖는 것을 특징으로 하는 전류 증폭방법.
- 출력 라인을 갖는 제1금속 산화물 실리콘 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 입력 라인으로 전류 신호를 공급하는 단계와, 출력 라인을 갖는 제2 MOSFET의 입력 라인으로 상기 제1 MOSFET 증폭단의 상기 출력 라인을 접속시키는 단계로 구성되고, 상기 제1 MOSFET 증폭단은 상기 제공된 전류신호에 대해 사전결정된 관계를 갖는 제1증폭된 전류를 발생시키고, 상기 제2 MOSFET 증폭단은 상기 제2 MOSFET 증폭단의 상기 출력 라인에서 상기 제1증폭된 전류 신호에 대해 사전결정된 관계를 갖는 제2증폭된 전류 신호를 발생시키는 것을 특징으로 하는 광대역 전류 증폭방법.
- 제22항에 있어서, 상기 제2 MOSFET증폭단의 출력라인에서 상기 제2 증폭된 전류 신호를 출력라인을 갖는 제3 MOSFET 증폭단의 입력 라인으로 접속시키는 단계를 포함하고, 상기 제3 MOSFET 증폭단은 상기 제3 MOSFET증폭단의 상기 출력 라인에서 상기 제2증폭된 전류 신호에 대해 사전결정된 관계를 갖는 제3증폭된 전류 신호를 발생시키는 것을 특징으로 하는 광대역 전류 증폭 방법.
- 제22항에 있어서, 상기 제2 MOSFET 증폭단의 상기 출력 라인에서의 신호를 nMOSFET 증폭단의 열의 입력 라인에 접속시키고, 각각의 MOSFET증폭단으 n번째 MOSFET 증폭단의 출력에서 상기 전류 신호의 n번째 증폭을 통해 세번째를 제공하는 것을 특징으로 하는 광대역 전류 증폭방법.
- 증폭된 전류 신호를 발생시키도록 제1다수의 금속 산화물 실리콘 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)를 사용하여 전류 신호를 증폭시키는 단계와, 제2다수의 MOSFET를 사용하여 상기 증폭된 전류 신호를 증폭시키는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 광대역 전류 증폭방법.
- 제25항에 있어서, 상기 전류 신호는 900메가헤르츠를 포함하는 주파수 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 광대역 전류 증폭방법.
- 제25항에 있어서, 상기 전류 신호는 2.4메가헤르츠를 포함하는 주파수 범위는 갖는 것을 특징으로 하는 광대역 전류 증폭방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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