KR950021820A - 단일 전고분자계 광도파로 소자의 구조 및 그 제조방법 - Google Patents

단일 전고분자계 광도파로 소자의 구조 및 그 제조방법 Download PDF

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KR950021820A
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정태형
김장주
황월연
정상돈
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양승택
재단법인 한국전자통신연구소
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Abstract

본 발명은 광도파로 소자 제작 과정중 완충층을 도파층과 동일한 물질을 광표백하여 얻어지는 단일 전고분자계로 된 소자의 구조 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 완충층을 광표백하여 여러 층이 단일 전고분자계로 된 광도파로 소자의 제조공정은 특정 활성층에 대한 완충층의 물질 선택과 공정조건의 적정화 등의 복잡한 문제를 피할 수 있을 뿐만 아니라 도파특성이 좋은 소자를 제작할 수 있다.

Description

단일 전고분자계 광도파로 소자의 구조 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 구조도.
제3a도~제3f도의 공정은 본 발명에 따른 제조공정도.

Claims (3)

  1. 실리콘 기판(1)위에 감광제 존재하에서 광표백된 도파층과 동일한 물질의 하부 완충층(2)을 형성하고, 그 위에 소정의 광표백 안된 채널 도파로(5)가 포함된 감광제 존재하에서 광표백된 클래딩 영역(3)을 형성하고, 이 위에 감광제 존재하에서 광표백된 상부 완충층(4)이 형성되는 것을 특징으로 하는 단일 전고분자계 광도파로 소자의 구조.
  2. 실리콘 기판(1)위에 소정의 광학 비선형 고분자 물질 용액을 떨어뜨려 감광제가 포함된 비선형 고분자 박막(4)을 형성하는 공정(a)과, 상기 형성된 비선형 고분자 박막(4)을 자외선에 쪼여 광표백하는 공정(b)과, 상기 광표백이 완전히 된 후 같은 고분자용액을 떨어뜨려 광표백된 완충층(2)을 형성하는 공정(c)과, 상기 비선형 고분자 박막(4)위에 소정의 도파로를 형성하기 위하여 설계된 마스크를 덮고, 이 위를 자외선에 의해서 소정의 채널 도파로 이외의 부분을 광표백하여 광표백 소정의 채널 도파로 이외의 부분을 광표백하여 광표백 안된 채널 도파로(3)가 포함되는 광표백된 클래딩 영역(3)을 형성하는 공정(d)과, 상기 공정(d)후 열처리를 한 후 감광제가 포함된 비선형 고분자 박막(4)을 형성하는 공정(e)과, 상기 공정(e)후에 상기 감광제가 포함된 비선형 고분자 박막(4)을 광표백한 뒤 열처리를 하는 공정(f)을 포함하는 단일 전고분자계 광도파로 소자의 제조방법.
  3. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930026786A 1993-12-08 1993-12-08 단일 전고분자계 광도파로 소자의 구조 및 그 제조방법 KR970006613B1 (ko)

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KR100860701B1 (ko) * 2007-03-14 2008-09-26 한양대학교 산학협력단 장거리 표면 플라즈몬 이중 금속 광도파로 센서

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