KR950021468A - 고유전체 커패시터의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 실리콘 반도체 기억소자 및 갈륨비소화합물 반도체 소자의 고유전체 커패시터 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 기판전극으로 텅스텐질화막/텅스텐막을 사용하거나 텅스텐막/백금, 텅스텐질화막/백금, 텅스텐질화막/텅스텐막/백금을 사용하고 그 위에 스퍼터링 또는 화학증착법으로 600~700℃에서 1~2시간 동안 BaTiO3, PbTiO3및 Zr, Ln, Mg, Nb 등이 첨가된 BaTiO3, PbTiO3을 증착하여 고유전체박막을 형성하는 과정으로 이루어진다.
본 발명은 종래의 고유전체 캐피시터의 구조에서 기판전극의 재료와 구성을 변화시킴으로서 고유전체 커패시터 물리·전기적 특성을 향상시킨 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 기억소자의 평면형(planar)스토리지 커패시터 구조를 보인 종단면도.
제2도는 기억소자의 참호형(trench) 스토리지 커패시터 구조를 보인 종단면도.
제3도는 고유전체 커패시터의 고유전체 박막의 결정구조를 보인 X선 회절무늬로서, (a)는 본 발명의 일실시예에 의해 얻어진 고유전체 박막이고, (b)는 종래의 방법에 의해 얻어진 고유전체 박막.
제4도와 제5도는 고유전체 커패시터에 대한 Rutherford 산란분광분석기를 이용한 계면손상과 각 원소의 원자농도의 분포상태를 보인 그래프로서, 제4도는 본 발명의 일실시에 커패시터이고, 제5도는 종래의 방법에 의해 얻어진 커패시터.
제6도는 본 발명의 일실시예로 얻어진 고유전체 커패시터의 전기적 특성을 보인 그래프.
Claims (2)
- 실리콘 반도체 기억소자의 스토리지 커패시터의 제조방법에 있어서, 실리콘 기판위에 기판전극으로 텅스텐질화막/텅스텐막을 형성하거나, 텅스텐막/백금, 텅스텐질화막/백금, 텅스텐질화막/텅스텐막/백금을 사용하고 그 위에 스퍼터링 또는 화학증착법으로 BaTiO3, PbTiO3및 Zr, Ln, Mg, Nb 등이 첨가된 BaTiO3, PbTiO3박막을 증착하여 고유전체막을 형성함을 특징으로 하는 고유전체 커패시터의 제조방법.
- 갈륨비소화합물 반도체 소자의 커패시터의 제조방법에 있어서, 갈륨비소기판 위에 기판전극으로 텅스텐질화막/텅스텐막을 형성하거나, 텅스텐막/백금, 텅스텐질화막/백금, 텅스텐질화막/텅스텐막/백금을 사용하고 그 위에 스퍼터링 또는 화학증착법으로 BaTiO3, PbTiO3및 Zr, Ln, Mg, Nb 등이 첨가된 BaTiO3, PbTiO3을 증착하여 고유전체막을 형성함을 특징으로 하는 고유전체 커패시터의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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