KR950008418B1 - 자기저항 소자의 보호막 제조방법 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

자기저항 소자의 보호막 제조방법

제1도는 종래의 자기저항 소자의 보호막 제조공정도,

제2도는 본 발명에 따른 자기 저항소자의 보호막 제조공정도이다.

본 발명은 자기 저항 소자의 보호막 제조방법에 관한 것으로, 특히 SiO₂층의 보호막을 스크린 프린팅 기술로 형성하여 자기저항소자를 보호하는 자기 저항 소자의 보호막 제조방법에 관한 것이다.

일반적으로 자기저항 소자는 자계의 변화에 따라 저항 값이 가변되는 소자로서, 좀더 상세히 언급하면, 자화각도에 따라 변화하는 저항값을 이용하는 소자라 할 수 있다.

상기 자기저항 소자의 대표적인 재료로는 NiCo, NiFe를 들수 있으며 모타의 회전속도를 검출하는데 사용되고 있다.

즉, 모타에 설치되어 있는 마그네트의 회전에 따라 자계가 변화하여 저항값이 가변되고 저항값의 변화에 따라 출력 AC 전압 파형의 주기 및 위상으로 부터 모타의 회전속도를 검출하는 경우에 사용된다.

이러한 자기 저항소자는 하나의 자기 저항 칩과 상기 칩을 고정하는 홀더로 구성된다. 그리고 상기 자기 저항소자는 모타에 조립될때 모타의 FG(Frequency generator) 자석면과 상기 자기 저항 소자의 표면사이의 간격이 통상이 40∼300μm로 조립되면 상기 저기저항 소자의 출력은 최대값을 가지게 된다.

일반적인 자기저항소자의 칩에는 제1도(a)에 도시한 바와같이 유리 또는 실리콘 기판(1)의 표면상에 NiCo 또는 NiFe의 자성막(2)이 형성된다. 이때 상기 자성막(2)은 200∼400℃의 고온에서 진공증착되거나, 통상의 스퍼터링(sputtering) 공정에 의해 형성된다.

이후 상기 기판(1)의 전면에 형성된 자성막(2)은 통상의 사진식각공정에 의하여 자기저항소자를 위한 패턴의 자성막(2)만 남게 된다.

제1도(b)에 도시한 바와같이 통상의 사진공정에 의하여 자기 저항소자를 위한 패턴의 자성막(2)이 형성된 기판의 전면에는 감광막(3)이 도포되고 상기 패턴의 자성막(2)에는 전극부를 위한 영역의 감광막(3)이 제거된다. 이후 통상의 전기도금 공정에 의하여 1∼3μm두께로 전기도금되는 Ni 또는 Cu의 전기도금층(4)이 상기 감광막(3)이 제거된 창을 통하여 전극부를 위한 영역의 자성막(2) 상부에 형성된다.

제1도(c)에 도시한 바와같이, 상기 감광막(3)이 제거된후, SiO₂층(5)의 스퍼터링(sputtering)법 또는 스핀코팅(spin coating)법에 의해 전기 도금층의 전극부와 자기저항소자를 위한 자성막이 형성된 기판의 전면에 형성된다.

제1도(d)에 도시한 바와같이, 통상의 사진 식각 공정에 의하여 상기 전기 도금층(4)의 상부 영역의 상기 SiO₂층(5)이 제거된 콘택홀(contacthole; C)를 통하여 상기 전기도금층(4)이 노출된다.

제1도(e)에 도시한 바와같이, 에폭시 수지(E)가 상기 콘택홀(C)를 제외한 상기 SiO₂층(5)의 상부에 10∼30um의 두께로 도포된다. 이후 땜납(solder)((7)가 콘택홀(C)을 통하여 노출된 상기 전기도금층(4)의 상부에 100∼500μm의 두께로 형성된다.

따라서, 종래의 기술은 스퍼터리법 또는 스핀코팅법에 의하여 SiO₂층을 형성하고 난후 복잡한 사진식각 공정으로 콘택홀의 SiO₂층을 제거하게 되어 자기 저항 소자의 보호막을 제조하는 공정이 복잡하게 되는 문제점을 갖고 있다.

본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 SiO₂층을 스크린 프린팅법으로 도포하여 단순화된 자기저항소자의 보호막 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

본 발명은 상기한 목적을 달성하기 위하여 자기저항소자의 패턴을 갖는 자성막을 기판의 표면상에 형성하는 단계와, 자기 저항소자의 전극부의 상기 자성막의 상부에 전기도금층을 형성하는 단계와, 스크린 프린팅법에 의해 상기 전극부를 제외한 기판의 영역상에 SiO₂층의 보호막을 형성하는 단계와, 상기 SiO₂층의 보호막의 상부에 에폭시 수지를 도포하는 단계와, 상기 전극부의 전기 도금층의 상부에 땜납을 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

이하 본 발명에 따른 실시예를 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

제2도(a)를 참조하면, 먼저 제1도(a)와 (b)의 공정을 동일하게 설치하고 상기 감광막(3)을 제거한후 자기저항소자와 보호막인 SiO₂층(15)을 통상의 스크린 프린팅법에 의해 형성한다.

이를 좀더 상세히 언급하면, SVS stencile의 스크린마스크를 이용하여 테트라 히드록시실란(tetrahydroxy-ilane)계 페이스트(paste)를 상기 전기도금층(4)의 영역을 제외한 나머지 영역에 프린팅한후 상기 테트라히드록시 실란계 페이스트를 300℃이하에서 2시간 동안 베이킹(baking)하여 SiO₂층이 형성되도록 한다. 즉, 300℃이하에서 2시간 동안 베이킹하는 동안 테트라히드록시 실란계에 주성분으로 포함되는 Si(OH)₄가 식(1)과 같이 무수화되어 SiO₂가 형성된다.

Si(OH)₄→SiO₂+2H₂O …………………………………………………(1)

제2도(b)를 참조하면, 콘택홀(C)를 제외한 상기 SiO₂층(15)의 상부에 에폭시 수지(E)를 10∼30μm의 두께로 도포한다. 이후 땜납(7)을 상기 콘택트홀(C)를 통하여 노출된 상기 전기 도금층(4)이 상부에 100∼500μm의 두께로 형성한다.

따라서, 본 발명은 SiO₂층의 보호막을 스크린 프린팅법으로 전극부 이외의 영역에 형성하여 콘택트 홀을 위한 복잡한 사진식각 공정을 생략함으로써 자기저항소자의 보호막 제조방법을 단순화시키는 효과가 있게된다.

Claims (4)

1. 자기저항소자의 보호막을 제조하는 방법에 있어서, 자기저항소자의 패턴을 갖는 자성막을 기판의 표면상에 형성하는 단계와, 자기 저항소자의 전극부의 상기 자성막의 상부에 전기 도금층을 형성하는 단계와, 스크린 프린팅법에 의해 상기 전극부를 제외한 기판의 영역상에 SiO₂층의 보호막을 형성하는 단계와, 상기 SiO₂층의 보호막의 상부에 에폭시 수지를 도포하는 단계와, 상기 전극부의 전기도금층의 상부에 땜납을 형성시키는 단계를 포함하는 자기저항소자의 보호막 제조방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 SiO₂층은 테트라히드록시 실란계의 페이스트를 스크린 프로팅한후 열처리하여 형성되는 것을 특징으로 하는 자기저항 소자의 보호막 제조 방법.
3. 제2항에 있어서, 상기 SiO₂층은 300℃이하에서 열처리되어 형성되는 것을 특징으로 하는 자기저항소자의 보호막 제조방법.
4. 제3항에 있어서, 상기 SiO₂층은 300℃이하에서 2시간 동안 열처리 되어 형성되는 것을 특징으로 하는 자기저항소자의 보호막 제조방법.