KR950004420A - 반도체 웨이퍼의 패턴 정렬방법 - Google Patents

반도체 웨이퍼의 패턴 정렬방법 Download PDF

Info

Publication number
KR950004420A
KR950004420A KR1019930014257A KR930014257A KR950004420A KR 950004420 A KR950004420 A KR 950004420A KR 1019930014257 A KR1019930014257 A KR 1019930014257A KR 930014257 A KR930014257 A KR 930014257A KR 950004420 A KR950004420 A KR 950004420A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
alignment
semiconductor wafer
light
wafer
pattern
Prior art date
Application number
KR1019930014257A
Other languages
English (en)
Other versions
KR970000696B1 (ko
Inventor
배상만
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019930014257A priority Critical patent/KR970000696B1/ko
Publication of KR950004420A publication Critical patent/KR950004420A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR970000696B1 publication Critical patent/KR970000696B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 웨이퍼의 패턴 정렬방법을 기술한 것으로, 서로 다른 파수벡터를 갖는 2개의 정렬광을 갖는 정렬계로써 상기 2개의 정렬광에 의한 각각의 반사 회절광 강도 분포중 양호한 분포곡선을 선택 사용하여 최종 정렬할 수 있으므로 인하여 웨이퍼의 정렬도를 높이면서 웨이퍼 정렬실패를 방지할 수 있도록 한 반도체 웨이퍼의 패턴 정렬방법이 기술된다.

Description

반도체 웨이퍼의 패턴 정렬방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 비마크지역과 마크지역에 정렬광을 입사했을 때 정재파조건을 설명하기 위한 정렬마크가 형성된 웨이퍼 단면도. 제2A도 내지 제2C도는 제 1 파수벡터 k를 갖는 제 1 정렬광을 사용했을 때의 반사 회절광 강도 분포도. 제3A도 내지 제3C도는 제 2 파수벡터 k′를 갖는 제 2 정렬광을 사용했을 때의 반사 회절광 강도 분포도. 제 4 도는 정재파 효과에 의한 반사 회절광 강도의 분포도.

Claims (3)

  1. 반도체 웨이퍼의 패턴 정렬방법에 있어서, 제 1 파수벡터를 갖는 제 1 정렬광 및 제 2 파수벡터를 갖는 제 2 정렬광을 임의의 정렬마크가 있는 웨이퍼상에 순차적으로 입사시켜 반사되어 나오는 반사광의 강도를 각각 측정한 후, 그 중 하나의 반사광을 선택하여 상기 정렬마크의 위치를 결정하도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 패턴 정렬방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 및 제 2 정렬광의 파수벡터 차는 1/4π가 되도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 패턴 정렬방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 정렬광 및 제 2 정렬광에 의한 반사광의 강도가 유사할 경우 두개의 파형강도를 합산하고, 평균처리하여 정렬마크의 위치를 결정하도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 패턴 정렬방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930014257A 1993-07-27 1993-07-27 반도체 웨이퍼의 패턴 정렬 방법 KR970000696B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930014257A KR970000696B1 (ko) 1993-07-27 1993-07-27 반도체 웨이퍼의 패턴 정렬 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930014257A KR970000696B1 (ko) 1993-07-27 1993-07-27 반도체 웨이퍼의 패턴 정렬 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950004420A true KR950004420A (ko) 1995-02-18
KR970000696B1 KR970000696B1 (ko) 1997-01-18

Family

ID=19360093

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930014257A KR970000696B1 (ko) 1993-07-27 1993-07-27 반도체 웨이퍼의 패턴 정렬 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR970000696B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040103711A (ko) * 2003-06-02 2004-12-09 주식회사 디드 리모콘 키값 설정방법
US8283679B2 (en) 2003-06-30 2012-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having light-emitting element and light-receiving element for transmitting among circuits formed over the plurality of substrates

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040103711A (ko) * 2003-06-02 2004-12-09 주식회사 디드 리모콘 키값 설정방법
US8283679B2 (en) 2003-06-30 2012-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having light-emitting element and light-receiving element for transmitting among circuits formed over the plurality of substrates

Also Published As

Publication number Publication date
KR970000696B1 (ko) 1997-01-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0592690A4 (en) METHOD FOR IDENTIFYING AN OPTICAL LINE.
SG126706A1 (en) Thin-film inspection method and device
JPS6489430A (en) Position aligning method
EP0397202A3 (en) Encoder
WO2003043064A1 (en) Substrate inspecting device, coating/developing device and substrate inspecting method
KR950015703A (ko) 측정 마크 패턴을 사용하는 반도체 장치의 제조방법
KR950004420A (ko) 반도체 웨이퍼의 패턴 정렬방법
DE69927367D1 (de) Optoelektronische Formerfassung durch chromatische Kodierung mit Beleuchtungsebenen
ATE96902T1 (de) Optischer lagegeber.
KR930003264A (ko) 위상 시프트마스크를 사용한 패턴 형성방법
WO2002039099A3 (en) Measurement of surface defects
KR980003823A (ko) 콘택홀용 위상 반전 마스크
KR970022578A (ko) 자동화된 기판 패턴 인식 시스템
ATE265053T1 (de) Vorrichtung zur breitbandigen diffraktiven streuung und assoziierte verfahren
JPS5617017A (en) Positioning device using bidirectional diffraction grating
KR970017947A (ko) 반도체 제조 방법에 있어서 변형 조명 방법
BR9602127A (pt) Corantes de enxofre processos de preparação ou modificação do mesmo processo de coloração de um substrato e substrato colorido pelo mesmo
KR970012016A (ko) 2차 이상의 노광에 의한 포토레지스트 패턴 형성방법
KR950015687A (ko) 웨이퍼의 패턴결함 검사방법
KR950009937A (ko) 얼라인먼트마크의 구조
KR980003868A (ko) 초점도 측정을 위한 마스크
JPS6411340A (en) Semiconductor wafer
KR970023760A (ko) 반도체 웨이퍼상의 칩 패턴을 최적화하는 방법
JPS6486531A (en) Prober
Cojocaru et al. Interference pattern in photoresist layer on reflecting substrates.

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20091222

Year of fee payment: 14

LAPS Lapse due to unpaid annual fee