KR950003859B1

KR950003859B1 - 내식성 Nd-Fe-B계 소결자석의 제조방법

Info

Publication number: KR950003859B1
Application number: KR1019920014478A
Authority: KR
Inventors: 한종수; 김동엽; 송한식
Original assignee: 쌍용양회공업주식회사; 우덕창
Priority date: 1992-08-12
Filing date: 1992-08-12
Publication date: 1995-04-20
Also published as: KR940004669A

Abstract

내용 없음.

Description

내식성 Nd-Fe-B계 소결자석의 제조방법

제1도는 내식성 Nd-Fe-B계 소결자석을 제조하는데 사용되는 장치의 개략도이고,

제2도는 Nd-Fe-B계 소결자석의 Nd-리치상을 부분적으로 제거하기 위한 Fe 분말형체 위에 소결자석이 적재된 상태도이다.

제3도는 Nd-리치상이 제거된 부위에 내식성이 강한 재질을 침투시키기 위해 자석을 알루미나도가니에 적재시킨 상태도이고,

제4도는 본 발명에 따른 내식성의 재질을 Nd-리치상이 부분적으로 제거된 부위에 침투시켜서 제조한 Nd-Fe-B계 소결자석의 단면도이다.

제5도는 본 발명의 실시예와 비교예 1의 자속손실 변화를 각 노출시간별로 나타낸 그래프이다.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 텅스텐디스크 2 : 가스드레인밸브

3 : 잠금장치 4 : 급냉가스공급용밸브

5 : 훠라인밸브 6 : 라핑밸브

7 : 로타리펌프 8 : 확산펌프

9 : 메인밸브 10 : 열원

11 : 진공로 12 : 급냉가스공급로드

13 : Ar 가스탱크 14 : 스페이서

21,31 : 소결자석 22 : Fe 분말성형체

32 : 합금분말 33 : 알루미나도가니

42 : 내식성재질 43 : Nd-리치상이 제거된 부위

본 발명은 내식성 Nd-Fe-B계 소결자석의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 n상이 없는 조성으로 자석을 제조하고, 표면에 노출된 Nd-리치상을 부분적으로 제거한 후 다시 내식성이 강한 재질을 침투시켜서 제조되는 내식성이 우수한 Nd-Fe-B계 소결자석의 제조방법에 관한 것이다.

종래방법으로 제조된 Nd-Fe-B계 소결자석은, 지. 슈나이더(G. Schneider)와, 티. 헤닉(T. Hening)이 발표한 "Nd-Fe-B와 이와 관련된 시스템에서의 상평형과 Nd-Fe-B계 소결자석의 미세구조"[p.339, Concerted European Action on Magnets, 1989]에 의하면, 강자성을 갖는 정방계구조의 Nd₂Fe₁₄B₂(이하, Φ상이라 함), 상자기성인 Nd_1.4Fe₄B₄(이하, n상이라함)과 약 1000℃의 소결온도에서 액상(液狀)인 Nd-리치상으로 구성되어 있다.

그리고, Φ상 및 n상은 1000℃ 내지 1100℃의 소결온도에서 고체상(固體狀)으로 남아있으나, Nd-리치상은 액상으로 되어 소결시 치밀화되며, 강자성인 Φ상 입자(grain)들 사이에 편재되어 Φ상 입자를 고립시켜 자석의 보자력을 갖게하는 매우 중요한 기능을 나타내고 있다.

한편, 티. 미노와(T.Minowa)와 엠.요시카와(M.Yoshikawa)등이 발표한 "니켈도금에 의한 Nd-Fe-B계 자석의 내식성 개선"(p3778, Vol. 25. No. 5, IEEE Transactions on Magnets, 1989)에서 내식성은 n상<Nd-리치상<Φ상인 것으로 기재하고 있는데, 이것은 Nd-Fe-B계 소결자석의 부식이 n상과 Nd-리치상에 의해 기인되는 것을 입증하고 있는 것이다.

따라서, 이러한 단점을 보완하기 위해 소결자석 표면에 내식성이 강한 재질을 코팅하게 되는데, 종래의 코팅방법으로는 전기도금, 증착법, 증착후 전기도금법으로 처리하는 방법이 있다.

전기도금법으로 코팅하는 재질로는 니켈(Ni), 주석(Sn), 아연(Zn), 에폭시수지등이 있는데, 티. 미노와, 엠. 요시카와 등은 상기 문헌에서 니켈(Ni)을 도금한 자석은 내식성을 향상시켜 자석의 자속손실을 적게 한다고 언급하고 있으나, 전기도금법으로 제조된 코팅층은 자식과 층간의 접촉면(계면)에서 접착력이 불량하여 외부에서 힘을 가하게 되면 쉽게 분리(박리)되며, 도금액이 매우 유독하고, 공정이 까다로우며, 도금용액이 수질 오염에 심각한 영향을 주는 단점이 있다.

일본특개소 제59-252,678호에는 내식성 재질로 에폭시수지를 사용하여 전기도금법에서 코팅하는 방법을 기재하고 있지만, 내식성 재질을 수지로 코팅하는 경우에도 계면의 접착력이 불량하고, 도금액이 공해물질이며 또한 코팅층이 치밀하지 못하여 내식효과가 좋지 못한 단점이 있다.

일본특개소 제59-218,489호에는 이온도금법으로 알루미늄(Al)을 코팅하는 방법을 기재하고 있는데, 이 방법은 내식성 재질을 고진공중에서 코팅하기 때문에 전기도금법과 같은 문제점이 없으나 대량생산이 불가능하며, 이로인해서 자석의 생산비용이 많이 들어 산업적으로 분리한 단점이 있다.

이온도금법으로 알루미늄을 코팅한 후에 다시 전기도금법(크롬염용액)으로 처리(알루미늄을 크롬과 반응케 함)하여 내식성 재질을 코팅하는 방법을 피. 미첼(P.Mitchell)의 "Nd-Fe-B자석의 부식방지"(p1935, Vol.26, No 5, IEEE Transaction on Magnets, 1990)에서 소개하고 있으나, 상기한 니켈(Ni)도금법과 알루미늄에 의해 이온도금법에서의 문제점을 동시에 갖고 있기 때문에 역시 바람직한 코팅법은 될 수 없다.

본 발명자들은 종래의 방법으로 제조된 Nd-Fe-B계 소결자석은 주로 n상, Nd-리치상 및 Φ상으로 구성되어 있고, n상→Nd-리치상-Φ상 순으로 부식이 진행되므로 결국, 부식은 N상 및 Nd-리치상에 의한 것임을 착안하여, n상이 없는 조성으로 자석을 제조하고, 표면에 노출된 Nd-리치상을 부분적으로 제거하고, 제거된 Nd-리치상부위에다 저융점의 내식성이 강한 재질을 침투시키게 되면 종래 방법에서 발생하는 문제점들을 완전히 해소시킬 수 있음을 알게 되어 본 발명에 이르게 되었다.

이에 본 발명은 내식성이 강한 Nd-Fe-B계 소결자석을 제조하는 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

이하, 본 발명을 상세히 설명한다.

본 발명은 통상의 방법으로 n상이 없는 Nd-Fe-B계 소결자석을 제조하는 단계와; 상기 자석을 진공 및 불활성분위기 하에서 열처리시켜 Nd-리치상상이 액상이 되는 온도에서 고체상으로 되는 재질의 성형체내로 Nd-리치상을 침투시켜서 제거시키는 단게와; 그리고 Nd-리치상이 제거된 자석을 내식성 재질로 엠베딩시키고 진공 및 불활성분위기하에서 열처리시켜서 Nd-리치상이 제거된 부위에 내식성의 재질을 침투시키는 단계로 이루어진 내식성의 Nd-Fe-B계 소결자석을 제조하는 방법임을 특징으로 한다.

이와 같은 본 발명을 첨부한 도면에 의거 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.

본 발명의 Nd-Fe-B계 소결자석은 먼저, 제1단계로 n상이 없는 소결자석을 얻기 위해서, Nd-Fe-B를 일정한 조성으로 하여 주괴를 만들고, 통상적인 방법인 분말야금법으로 소결자석으로 제조한다.

즉, Nd:Fe:B의 조성을 몰비로 10.3 내지 30:58 내지 81.2:8 내지 12로 하여 주괴를 제조한 다음, 질소가스분위기하에서 분쇄하여 1차로 1.0mm 이하의 입자크기로 만들고, 2차 평균입경이 2 내지 5μm인 입자크기로 만든다.

상기 과정에서 얻어진 분말을 압력하에서 성형하여 직경이 20mm이고, 3 내지 10mm의 두께를 갖는 성형체로 제조한 다음, 이 성형체를 진공하에서 분당 5℃ 내지 20℃씩 승온시켜서 약 1000℃ 내지 약 1100℃에서 1시간 내지 1.5시간 유지시킨 후에 진공로 내부로 Ar 가스를 주입시켜 상온까지 급냉시키고 자석을 꺼낸다.

이 자석을 다시 진공하에서 분당 5℃ 내지 20℃로 온도를 상승시켜서 550℃ 내지 650℃의 온도하에서 1시간 내지 1.5시간 동안 유지시킨다.

이 시간이 완료되면 앞선 공정에서와 같이 자석을 꺼낸 후, 표면에 산화된 부위를 제거시키게 되면, n이 없는 소결자석이 얻어지게 된다.

본 발명에 따른 Nd-Fe-B계 소결자석을 제조하는 제2단계는 상기 제1단계에서 제조된 n상이 없는 소결자석의 Nd-리치상을 부분적으로 제거하기 위한 단계이다.

즉, 첨부도면 제2도에 도시한 바와 같이, n상이 없는 소결자석(21)의 밑면에다 Nd-리치상이 액상이 되는 온도에서도 고체상으로 되는 Fe 분말성형체(22)를 놓는다. 여기서 사용되는 분말성형체는 Nd-리치상이 액상이 되는 온도에서도 고체상으로 남아있어야 되는데 이는 첫번째 분말성형체가 액상이 된다면 모세관 현상이 나타날 수 없게 되어 Nd-리치상은 밖으로 빠져나올 수 없으며 오히려 분말 성형체의 액상이 자석표면에 있는 기공(pore)으로 스며들게 되어 자석의 성능이 크게 저하되는 악영향을 주게되며 두번째, 분말성형체가 기상이 되다면 이 역시 모세관 현상이 나타날 수 없게 되어 Nd-리치상이 밖으로 빠져 나오는 것은 절대 불가능하며 오히려 기상이 자석의 표면이 자유로이 붙게되어 자석의 성능을 악화시키는 단점을 갖게 되기 때문이다. 그후, Nd-리치상이 액상이 되는 온도까지 올리면, 이 액상이 모세관현상에 의해서 성형체 내부로 스며들게되어 부분적으로 Nd-리치상이 제거되게 된다.

상기에서, Fe분말 성형체(22)는 평균입경이 3μm 내지 5μm인 Fe 분말을 단위면적당 1톤 내지 2톤의 압력으로 성형하여서 만든 직경이 30mm이고, 두께가 3mm 내지 10mm인 것이다.

상기와 같은 n상이 없는 소결자석에는 Nd-리치상을 제거하는데는 첨부도면 제1도의 장치가 사용될 수 있다.

상기와 같이 철(Fe) 분말 성형체(22)위에다 자석(21)을 올려놓고, 이것을 텅스텐디스크(1) 위에 올려 놓는다. 그런 다음에 가스드레인 밸브(2), 잠금장치(3), 급냉가스공급용 밸브(4), 훠라인 밸브(5)를 잠그고, 라핑밸브(6)를 개방한 후, 로타리펌프(7)를 작동시켜, 장치의 내부진공도가 10^-1내지 10^-2토크가 되게 한 후, 라핑밸브(6)를 닫고, 훠라인 밸브(5)를 열어 로타리 펌프(7)와 확산펌프(8) 간의 공기를 대기로 배출시킨 다음, 메인밸브(9)를 열고 확산 펌프(8)를 작동시키면 10^-5내지 10^-6토르의 진공이 얻어진다.

이때, 열원(10)에 전기를 인가하여 분당 5℃ 내지 20℃씩 온도를 상승시켜 700℃ 내지 1100℃가 되게 한후, 이 온도에서 10분 내지 30분 정도 유지시킨 다음에, 급냉가스공급용 밸브(4)와 가스드레인 밸브(2)의 밸브를 열어 Ar 가스를 진공로(11) 내에 주입시켜 급냉시킨다. 이렇게 급냉이 완료되면 대기중으로 소결자석(21)을 꺼낸다.

그 결과 Nd-리치상이 부분적으로 제거된 자석이 얻어지게 된다.

첨부도면 제1도에서 미설명부호 12는 급냉가스공급로드이고, 부호 13은 Ar 가스탱크이며, 부호 14는 스페이서이다.

본 발명에 따른 제3단계는 상기와 같은 과정을 통해 얻어진 부분적으로 Nd-리치상이 제거된 내식성이 강한 재질을 침투시켜서 내식성이 강한 소결자석을 얻는 단계이다.

즉, 첨부도면 제3도에 도시한 바와 같이, 상기 제2단계에서 얻어진 부분적으로 Nd-리치상이 제거된 소결자석(31)을 700℃ 내지 1100℃에서 용융되면서도 내식성이 우수한 재질의 합금분말(32)이 담겨있는 알루미나(Al₂O₃) 도가니(33)내에 배치된다.

본 발명에 따른 상기 내식성 재질의 합금분말(32)로는, Co-CoB, Ni-NiB 또는 Zr-ZrB등이 적합하며, 이 합금분말의 평균 입경은 2μm 내지 5μm이고, 합금중에서, CoB, NiB 및 ZrB의 함유량은 3중량%이하로 하는 것이 바람직하다.

상기와 같이 소결자석(31)을 합금분말에 위치시키는 것을 통상 엠베딩이라 부른다.

필요에 따라선, 자석의 특성치중 보자력, 큐리온도 또는 열적안정성을 향상시키기 위해, 상기 합금분말에 희토류 금속, 예를 들면, Dy, Pr 또는 Sm를 하나 또는 그 이상을 첨가시켜서 사용할 수 있으며, 전이금속, 예를 들면, Al, Co 또는 Ga중에서 적어도 하나를 더추가해서 사용할 수도 있다.

제3도와 같이 배치가 완료된 후에는 도가니(33)를 첨부도면 제1도의 텅스텐디스크(1)상에 올려놓고, n상이 없는 소결자석에서 Nd-리치상을 제거하는 과정과 동일하게, 가스드레인밸브(2), 잠금장치(3), 급냉가스공급원용 밸브(4), 훠라인 밸브(5)를 잠그고, 라핑밸브(6)를 개방한 후, 로타리펌프(7)를 작동시켜, 장치의 내부 진공도가 10^-1내지 10^-2토르가 되게 한후, 라핑밸브(6)가 닫고, 훠라인 밸브(5)를 열어 로타리펌프(7)와 확산펌프(8)간의 공기를 대기로 배출시킨 다음, 메인밸브(9)를 열고 확산 펌프(8)를 작동시켜 10^-5내지 10^-6토르의 진공을 만든다.

이때, 열원(10)에 전기를 인가하여 분당 5℃ 내지 20℃씩 온도를 상승시켜 700℃ 내지 1100℃가 되게 한후, 이 온도에서 10분 내지 30분 정도 유지시킨 다음에, 급냉가스공급원 밸브(4)와 가스드레인 밸브(2)를 열어 Ar 가스를 진공로(11)내에 주입시켜 급냉시킨다. 이렇게 급냉이 완료되면 대기중으로 소결자석을 꺼낸다.

그 결과, 첨부도면 제4도에서와 같이 내식성 재질(42)이 용융되면서 Nd-리치상이 제거된 부위(3)로 스며들게 되어 내식성이 강한 소결자석(41)이 얻어지게 된다.

따라서, 본 발명에 의해 제조된 Nd-Fe-B계 소결자석(41)은 내식성을 향상시키기 위해 반드시 코팅을 해야만하는 종래의 자석에 사용하는 코팅과정이 전혀 필요없으며, 또한, 종래의 코팅법에서 나타난 문제점인 수질오염 및 대량생산이 불가능한 점 등을 완전히 해결할 수 있는 효과가 있다.

이하, 본 발명을 실시예에 의거 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.

[실시예 1]

Nd:Fe:B의 조성물 몰비로 20:60:10으로 하여 고주파 유도로에서 용해하여 주괴를 제조하였다. 이 주괴를 원판분쇄기를 사용하여 N가스분위기하에서 분쇄하여 입자크기가 1.0mm이하가 되도록 하였다. 분쇄된 분말을 젯트분쇄기를 사용하여 N가스분위기하에서 분쇄하여 평균입경이 2 내지 5μm가 되도록 하였다. 이렇게 얻어진 분말을 자장중 성형기를 이용하여 단위면적당 1.5톤의 압력으로 성형하여 20mm의 직경에 6mm의 두께를 갖는 성형체로 제조하였다.

상기 성형체를 진공로에 넣어 진공도를 10^-5토르로 한 후에 열원에 전기를 인가하여 분당 10℃로 온도를 증가시켜 온도를 1000℃가 되도록 하고, 이 온도에서 1시간 동안 유지시켰다. Ar 가스를 진공로내로 주입시켜 상온까지 급냉시켜 다음 자석을 꺼냈다.

상기 얻어진 자석을 다시 진공로에 넣어 진공도를 10^-5토르로 한 후, 열원에 전기를 인가하여 분당 10℃로 온도를 상승시켜 600℃가 되도록하고, 이 온도에서 1시간 동안 유지시켰다. 그런 다음 Ar가스를 진공로 내로 주입시켜서 상온까지 급냉한 후에 자석을 꺼내고, 산화된 부위를 가공기를 이용하여 제거시켰다(제1단계).

한편, 평균입경이 4μm인 철(Fe) 분말을 단위면적당 2톤의 압력으로 성형하여 30mm의 직경에 8mm의 두께를 갖도록 성형체를 제작하였다.

상기에서 얻어진 자석을 제2도에서와 같이, 상기의 철분말 성형체에 올려놓고, 이를 제1도의 텅스텐디스크에 올려 놓는다. 그런 다음에 가스드레인밸브(2), 잠금장치(3), 급냉가스공급용 밸브(4), 훠라인 밸브(5)를 잠그고, 라핑밸브(6)를 개방한 후, 로타리펌프(7)를 작동시켜, 장치의 내부진공도가 10^-2토르가 되게 한후, 라핑밸브(6)를 닫고, 훠라인 밸브(6)를 열어 로타리 펌프(7)와 확산펌프(8)간의 공기를 대기로 배출시킨 다음, 메인밸브(9)를 열고 확산 펌프(8)를 작동시키면 10^-6토르의 진공을 얻었다.

이때, 열원(10)에 전기를 인가하여 분당 10℃씩 온도를 상승시켜 900℃가 되게 한 후, 이 온도에서 20분정도 유지시킨 다음에, 급냉가스공급용 밸브(4)와 가스드레인 밸브(2)의 밸브를 열어 Ar가스를 진공로(11)내에 주입시켜 급냉시켰다. 그 다음에 대기중에 소결자석을 꺼냈다(제2단계).

Nd-리치상이 부분적으로 제거된 자석을 제3도와 같이 알루미나 도가니에 평균입경 3μm인 Zr-ZrB합금분말(ZrB의 양은 3중량%이하)이 30g 담긴 내부에 넣었다. 이것을 진공로에 넣고, 상기 제2단계와 동일한 과정으로 실시한 후에 자석을 꺼냈다(제3단계).

[실시예 2]

실시예 1의 제3단계 공정에서, 엠베딩 분말로서 Ni-NiB(NiB의 양은 3중량% 이하)로 실시하는 것 이외에는 상기 실시예 1과 동일하게 하여 자석을 제조하였다.

[실시예 3]

실시예 1의 제3단계 공정에서, 엠베딩 분말로서 Co-CoB(CoB의 양은 3중량% 이하)로 실시하는 것 이외에는 상기 실시예 1과 동일하게하여 자석을 제조하였다.

[실시예 4]

실시예 1의 제3단계 공정에서, 엠베딩 분말에 희토류 금속인 Dy를 2몰비로 첨가시켜서 실시하는 것 이외에는 상기 실시예 1과 동일하게 하여 자석을 제조하였다.

[실시예 5]

실시예 1의 3단계 공정에서, 엠베딩 분말에 전이금속인 Al을 2몰비로 첨가시켜서 실시하는 것 이외에는 상기 실시예 1과 동일하게 하여 자석을 제조하였다.

[실시예 6]

실시예 1의 제3단계 공정에서, 엠베딩 분말에 희토류 금속인 Pr인 전이 금속인 Co를 각각 2몰비로 첨가시켜서 실시하는 것 이외에는 상기 실시예 1과 동일하게 하여 자석을 제조하였다.

[비교실시예 1]

Nd-Fe-B계 소결자석에다 Ni를 전기도금하여 자석을 제조하였다.

[비교실시예 2]

Nd-Fe-B계 소결자석에다 에폭시수지를 코팅하여 자석을 제조하였다.

[비교실시예 3]

Nd-Fe-B계 소결자석에다 이온플레이팅법으로 Al을 코팅하여 자석을 제조하였다.

[비교실시예 4]

Nd-Fe-B계 소결자석에다 Al으로 이온플레이팅법으로 코팅을 한 후에 Cr염용액에서 전기도금하여 자석을 제조하였다.

본 발명으로 제조한 내식성 Nd-Fe-B계 소결자석의 특성치와 종래 방법으로 제조된 자석의 특성치 비교를 표 1,2 및 제5도에 나타내었다.

첨부도면 제5도는 본 발명의 실시예와 비교예 1에 의해 제조된 최종적인 자석의 노출시간별 자속손실의 변화를 그래프로 나타낸 것이다.

자속손실의 측정방법은 최종적으로 제조한 자석을 착자장치에 넣어 1.5테슬라(1테슬라는 10²가우스)의세기로 자장을 인가한 후 자석의 표면에다 가우스미터를 위치시켜서 표면으로 나오는 자속을 시간별로 측정하였다.

제5도에서의 그래프는 상대습도가 90%인 상태에 노출시켜서 측정한 것이며, 초기 자석을 100%로 하고 노출시간별 감소량을 백분율한 데이타이다. 제5도에 따르면, 자석의 표면에서 나온는 자속은 습기가 있는 분위기에서 노출시간별로 측정하면, 점점 감소하지만 비교예 1에 의해 제조된 자석의 자속 손실을 짧은 노출시간에 자속의 손실이 현저한 대신에 본 발명의 실시예에 따라 제조된 자석의 자속손실은 상당한 노출시간에서도 자속손실이 완만함을 볼 수 있다. 따라서, 본 발명의 자석이 내식성면에서 비교예보다 우수함을 알 수 있다.

다음 표 1은 본 발명의 실시예와 비교예 2와 3에서 제조한 자석의 특성치를 비교한 데이타로서, 본 발명의 실시예와 비교예에서 제조한 자석을 120℃, 상대습도 90%의 조건에서 350시간 노출시킨 후의 특성치 변화를 B-H루프트레셔 장치를 이용하여 측정한 것이다.

다음 표 1에서 Br(잔류자속밀도)은 착자후 자석으로부터 나오는 단위면적당 자속양이고, 단위는 KG이다. iHc(고유보자력)는 착자된 자석에다 외부에서 자장을 인가(착자된 방향의 반대방향으로)하면 어느 특정한 자장의 세기에서 자속이 0이 되는데 이 특정한 외부 자장이 세기를 의미하며, 단위는 kOe이다. BHmax(최대에너지적)은 자석의 단위 체적당 외부에 일을 할 수 있는 에너지로서, 단위는 MGOe이다.

[표 1]

상기 표 1에 의하면, 상기 특성치의 값은 클수록 좋은 것이므로(자석의 특성치는 부식에 의하여 시간이 지남에 따라 떨어지게 된다) 본 발명의 실시예에 따라 제조된 자석이 비교예에 따른 제조된 자석보다 특성치가 우수함을 알 수 있다.

다음 표 2는 본 발명의 실시예에 의해 제조된 자석을 100℃, 상대습도 90%의 조건에서 노출시간별 결점율 변화(코팅층이 부식에 얼마나 강한지의 효과를 나타냄)를 비교예 4에 의해 제조한 자석과 비교평가한 결과를 나타낸 것이다.

다음 표 2의 값은 노출시간별로 자석표면에 부식부위의 면적을 자석 면적으로 나눠 백분율한 값이다.

[표 2]

상기 표 2에서 나타난 것과 같이 실시예로 제조한 자석이 비교예에 비해 노출시간별로 결점율이 별로 나타나지 않음을 알 수 있어 내식성이 훨씬 우수하다.

Claims

통상의 방법으로 n상이 없는 Nd-Fe-B계 소결자석을 제조하는 단계와; 상기 자석을 진공 및 불활성분위기 하에서 열처리시켜 Nd-리치상에 액상이 되는 온도에서 고체상으로 재질의 성형체내로 Nd-리치상을 침투시켜서 제거시키는 단계와; 그리고 상기 Nd-리치상이 제거된 자석을 내식성 재질에 엠베딩시키고 진공 및 불활성분위기하에서 열처리시켜서 Nd-리치상이 제거된 부위에 내식성의 재질을 침투시키는 단계로 이루어진 내식성의 Nd-Fe-B계 소결자석의 제조방법.
제1항에 있어서, 액상의 Nd-리치상을 제거하기 위한 재질로는 철을 사용하여서 되는 방법.
제1항에 있어서, 열처리는 10^-5내지 10^-6의 진공상태와 700 내지 1100℃의 온도하에서 실시하는 방법.
제1항에 있어서, 불활성가스는 Ar가스를 사용하여서 되는 방법.
제1항에 있어서, 내식성 재질은 합금분말을 사용하여서 되는 방법.
제1항 또는 제5항에 있어서, 내식성의 재질은 Co-CoB, Ni-NiB 또는 Zr-ZrB의 합금분말을 사용하여서 되는 방법.
제6항에 있어서, 합금분말중 CoB, NiB 및 ZrB의 함유량은 각각 3중량% 이하로 하여서 되는 방법.