KR950001933A - 폴리싱 패드 및 폴리싱 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 수정된 폴리싱 패드(62)를 포함하며, 폴리싱 패드(62)를 어떻게 형성하고 사용하는가에 대한 방법에 관한 것이다. 일실시예에서, 수정된 폴리싱 패드(62)는 수정 압력이 폴리싱 패드(62)의 일부를 기계적으로 변형시키기 위해 충분히 높은 것을 제외하고는 폴리싱 기판(14)과 유사하게 형성된다. 수정 압력은 적어도 0.703kg/㎠(10 파운드/in2)이다. 상기 패드를 수정하기 위해 사용된 재료는 유연한 표면과 함계 단단하게 된다. 이들 재료의 실예는 금속, 유전체 및, 반도체이다. 폴리싱 패드(62)를 수정한 후에, 반도체 기판(14)을 폴리싱하기 위해 사용될 수 있다. 프레쉬 패드와 비교하면, 수정된 폴리싱 패드(62)는 더 높은 평탄화 효율을 가지며, 개구(37)에 인접한 패턴 층(33)의 코너 라운딩을 발생시킬 가능성이 적다.

Description

폴리싱 패드 및 폴리싱 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4 및 제5도는 본 발명에 따른 폴리싱 패드를 수정하는 폴리싱 패드와 물체의 단면도 및 상면도.

Claims (3)

  1. 반도체(14)를 폴리싱하기 위한 폴리싱 패드(62)에 있어서, 상기 폴리싱 패드는 평균 어스퍼러티 반경(76)과 표준 편차 어스퍼러티 높이를 갖는 다수의 어스퍼러티(75)를 포함하며, 상기 폴리싱 패드(62)는 적어도 40 미그론인 평균 어스퍼러티 반경(76)과, 30 미크론보다 많지않은 표준편차 어스퍼러티 높이 및, 30 미크론보다 많지않은 제곱 평균 표면 거칠기를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 패드.
  2. 반도체 기판(14)을 폴리싱하기 위한 방법에 있어서, 반도체 기판(14)을 폴리싱 패드(62)를 갖는 폴리셔(10)에 배치시키는 단계와, 폴리싱 패드(62)를 사용하여 반도체 기판(14)를 폴리싱하는 단계를 포함하고, 상기 폴리싱 패드(62)는 평균 어스퍼러티 반경(76)과 표준 편차 어스퍼러티 높이를 갖는 다수의 어스퍼러티(75)를 포함하며, 상기 폴리싱 패드(62)는 적어도 40 미크론인 평균 어스퍼러티 반경(76), 30 미크론보다 많지않는 표준 편차 어스퍼러티 높이 또는 30 미크론보다 많지않는 제곱 평균 표면 거칠기를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 방법.
  3. 반도체 기판(14)을 폴리싱하기 위한 방법에 있어서, 폴리싱 패드(12) 부근에 물체(44)를 배치시키는 단계와, 수정된 폴리싱 패드(62)를 형성하기 위해 폴리싱 패드(12)에 대해 물체(44)를 가압하는 단계 및, 수정된 폴리싱 패드(62)를 사용하여 반도체 기판(14)을 폴리싱하는 단계를 포함하며, 상기 폴리싱 패드(12)는 제1영역(621)과 제2영역(622)을 포함하고, 제1영역(621)은 평균 어스퍼러티 반경(36과 표준편차 어스퍼러티 높이를 갖는 다수의 어스퍼러티(35)를 구비하며, 제1영역 (621)은 제1측면과 이 제1측면과 대향하는 제2측면을 가지며, 제1측면은 표면에 인접하고, 제2측면은 제2영역(622)에 인접하며, 제2영역(622)은 제1영역(621)과 비교하면 물체(44)로부터 더 멀어지고, 상기 가압 단계는 제1영역(621)이 적어도 40 미크론인 평균 어스퍼러티 반경(76), 30 미크론보다 많지않은 표준 편차 어스퍼러티 높이 또는, 30 미크론보다 많지않은 제곱 평균 표면 거칠기를 포함할때까지 계속 가압하는 것을 특징으로 하는 폴리싱 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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