KR950000856B1 - Tem시편의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
제 1 도는 종래의 기술로 제조하는 공정도.
제 2 도는 본 발명에 의한 제조공정도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 기판 2 : SiO2층
3 : 박막
본 발명은 TEM(투과 전자 현미경)의 시편(Specimen)을 제조하는 새로운 방법에 관한 것이다.
TEM은 분해능이 높아서 광학현미경의 1000배의 능력이 있으며 미세 결정구조까지도 측정할 수 있으나, 전자선이 일단 시편을 투과하여야 되므로 통상의 반사형 광학현미경 보다 시료를 매우 얇게(Thin) 만들어야 하는 문제점이 있고, 전자선이 통과하지 않은 물체면을 보기 위해서는 복잡한 복재 조작법으로 시료를 만들어 간접적으로 표면구조를 관찰하였다.
특히 이러한 종래의 방법으로는 실질적으로 반도체 분야에서 사용되는 각종 금속막 및 금속산화막의 시편은 제조가 불가능하였다.
따라서, 새롭고 간편한 시편의 제작방법이 요구되어 왔다.
종래의 TEM시편의 제조방법은 제 1 도(a)에서와 같이, 측정하고자 하는 물질을 벌크형(Bulk type)으로 만들고 (b)와 같이 통상의 연마방법으로 두께를 얇게 한 후에 (c)와 같이 식각 공정에서 식각용액으로 중심부로 부터 식각하여 중심부에 홀이 생기도록 한 후 (d)와 같이 절단공정에서 뚫어진 부분의 가장자리를 잘라내어서 (E)와 같이 TEM시편으로 사용하여 왔으나, 이는 첫째로 조작이 복잡하며, 또한 연마등으로 인한 외력의 스트레스 작용으로 인하여 손상(Damage)내지는 외곡(Distortion) ; 그리고 내부의 디스로케이션(Dislocation)등의 결함이 일어나서 시편이 그 물질을 정확히 대표하지 못하는 경우가 많다.
특히, 반도체 공업에서 사용되는 스퍼터링, CVD법 등으로 만든 박막을 측정하기 위한 시편의 제작은 실질적으로 불가능하였다.
본 발명은 이러한 종래의 결점을 해결하기 위한 것으로, 측정코저 하는 물질, 즉 Al, Au, Ni 또는 이들의 합금으로 되는 TEM시편을 외적 스트레스를 가하지 않고 제조하는 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
이하에서 본 발명의 실시예를 제 2 도에 따라 상세히 설명하면 다음과 같다.
먼저 (a)(b)같이 물리적 강도가 유지될 수 있는 두께의 실리콘 기판(웨이퍼)(1)를 통상의 방법으로 만든 다음 (b)(c)같이 노내에서 실리콘기판(1)상에 SiO2층(2)를 10,000∼20,000Å정도로 성장시킨다.
그리고 (c)(d)같이 상기 SiO2층(2) 위에 측정하고자 하는 금속 또는 합금의 박막(3)을 스퍼터링 또는 증착방법에 의해 200∼1000Å정도로 형성시킨다.
이어서, (d)와 같이 HF용액으로 SiO2층(2)을 식각하여 박막(3)을 분리하고, (E)와 같이 떼어낸 박막(3) 시편의 필요한 크기로 절단하거나, 또는 측정할 부분을 에칭용액으로 식각하여 더욱더 얇은 시편을 만든다.
이상과 같이 본 발명은 방법으로 제조된 시편은 물리적 외적 스트레스를 가하지 않으므로 결함이 없고, 종래의 기술에 비해 공정이 단순하며 스트레스에 의한 시편의 변화를 방지할 수 있으므로 그간 불가능하였던 반도체 박막의 검사를 가능하게 하며, 그리고 아주 간편한 방법인 것이다.
Claims (2)
- 실리콘 기판위에 SiO2층을 형성하는 공정과, SiO2층 위에 금속박막을 형성하는 공정과, SiO2층을 식각하여 실리콘 기판과 금속박막을 분리하는 공정과, 금속박막을 TEM시편으로 사용하는 공정을 포함하는 TEM시편의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 분리된 금속박막을 절단하거나, 또는 얇게 식각하여 TEM시편으로 사용하는 공정을 포함하는 TEM시편의 제조방법.
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