KR950000509B1 - 반도체 제조장치 - Google Patents

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다이또오 산소 가부시끼가이샤
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Abstract

내용 없음.

Description

반도체 제조장치
제 1(a) 도는 본 발명의 한 실시예의 반도체 제조장치를 나타내는 종단면도.
제 1(b) 도는 그 히터의 평면도.
제 2 도는 제 1(a) 도의 중요부의 확대도.
제 3 도는 그 반응실의 사시도.
제 4 도는 기판 공급장치를 포함하는 평면적 단면도.
제 5 도는 반응실의 노즐 구멍 및 공급관의 분포상태를 나타내는 평면도.
제 6 도는 종래예의 단면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 반응실 12 : 바닥판
14 : 노즐구멍 16 : 벽
18 : 상판 20 : 배기구
22,28 : 원료주입관 24,30 : 혼합실
26,42a,42b : 구멍 32 : 덕트
36 : 배기밸브 44 : 히터
44c : 균열판 200 : 진공실
300 : 기판
본 발명은 진공실내, 특히 진공화학 에피택시-(VCE)계에 있어서, 화합물 반도체층을 성장시키는 반도체 제조장치에 관한 것이다.
최근 화합물 반도체 특히 Ⅲ-Ⅴ족 화합물(예를 들어 GaAs)이 종래의 규소 반도체 보다도 뛰어난 성능을 가지므로 그 수요가 증대되고 있다.
이러한 화합물 반도체의 제조방법으로서 초고진공 중에서 에피택셜 성장시키는 화합물에 필요한 원자를 고체재료로부터 히터 건에 의해 증발시켜, 이것을 분자선의 형태로 기판에 충돌시켜 기판위에 막을 성장시키는 분자선 에피택셜([MBE]Molecular Beam Epitaxy)법이나 금속의 메틸 또는 에틸 화합물의 증기를 H2등의 운반체 가스로 보내어 상압(常壓) 내지 강압된 반응실로 도입하여 거기서 V족의 수소 화합물과 혼합한 후 가열한 기판 위에서 반응시켜 결정을 성장시키는 유기금속 CVD ([MOCVD]Metalorganic chemical Vapor Deposition)법등이 있다.
그러나 상기의 것중에서 분자선 에피택셜법은 대량생산이 어려워 시장의 수요에 맞출만큼 공급할 수 없다고 하는 문제점을 갖고 있다.
또 유기금속 CVD법은 생산능력은 상기 분자선 에피택셜법보다도 높지만, 사용하는 반응가스가 비싸며 또한 그 성장 기구를 위한 반응가스의 이용효율이 나빠진다고 하는 문제점을 갖고 있다.
그 때문에 가격에 구애받지 않는 특수한 용도의 것이외에 일반적으로 사용하는 것에는 곤란하다.
또 상기 유기금속 CVD법은 상기와 같은 반응가스의 이용효율이 나쁘기 때문에 대량의 미반응가스(독성가스)가 생기며 증기압이 낮은 Ⅲ족 화합물을 가스화하여 반송할 목적으로 대량 사용되는 H2등의 운반체 가스가 상기 미반응 가스에 가해지기 때문에 대량의 독성가스가 생기며 이 독성 가스의 폐기등에 커다란 문제가 생긴다.
이와 같이 유기금속 CVD법에 의한 종래의 장치는 제 6 도에 나타나 있는 것과 같다.
즉 진공실(1) 내에 설치된 히터(2) 위에 기판(3)을 얹어놓고 이 기판(3)으로 향해 진공실(1)내의 상부에 설치된 노즐(4)로부터 반도체 성장용의 가스상태 화합물을 화살표(A)와 같이 토출하도록 되어있다.
이 장치는 1회 처리때마다 용적이 큰 진공실(1)에 처리때마다 용적이 큰 진공실(1)에 반도체 성장용의 가스상태 화합물(반응가스)을 충만시켜 처리후에 그것을 폐기하기 때문에 폐기가스 중에 반도체 성장에 관여하고 있지 않은 미반응 가스가 꽤 다량으로 포함되어 있으며 반응가스의 이용효율이 나쁘다.
또 상기 장치는 기판(3)을 히터(2) 위에 얹어 기판(3)을 아래쪽부터 가열하기 때문에 기판(3)의 위쪽에서 화살표(B)와 같이 열대류가 생기며 히터(2)에 의해 가열된 기판(3)으로부터 방산되는 열이 기판(3)의 윗면 근방에서 화살표(C)와 같이 생긴다.
그 결과 노즐(4)로부터 토출되는 가스상태 화합물이 상기 화살표(B)의 열대류, 화살표(C)의 방산열에 의해 밀어올려져 그 흐름이 흩어지기 때문에 기판(3)의 윗면에 균일한 막성장이 행하여지지 않게된다.
따라서 상기 장치에는 얻어진 반도체막(반도체층)의 표면을 평탄하게 처리할 수 없는 커다란 결점이 있다.
이 결점은 상기 화살표(B)의 열대류에 의해 기판(3)면에 도달되지 않고 공중에서 접촉 반응하여 생성된 Ga, As 입자 플라그가 공간을 부유하며 랜덤으로 반도체막에 부착하므로서 성장에 도움을 준다.
본 발명은 이와 같은 사정을 감안하여 행하여진 것으로 상기 MBE와 MOCVD의 장점을 합함으로서 반도체층 표면이 평활하며 양질의 반도체를 효율성있게 생산할 수 있는 반도체 제조장치의 제공을 목적으로 하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명의 반도체 제조장치는 고도의 진공상태를 갖는 진공실과 이 진공실내에 설치된 기판 지지용의 기판 지지구와 반응 가스공급 장치와 기판의 가열장치를 갖춘 반도체 제조장치에 있어서, 저면부와 그 바깥 가장자리로부터 세워지는 벽과, 이 벽으로 둘러싸인 반응 공간을 자유롭게 개폐하는 상판으로 형성되는 반응실을 상기 진공실내에 설치하며 상기 반응실의 상판에 기판을 상기 반응 공간에 접한 상태로 유지하는 유지부를 설치하는 동시에 반응실의 저면부에 상기 유지부에 유지된 기판에 대하여 반응 가스를 토출하는 반응가스 공급장치를 설치하며, 반응실의 벽 또는 이 벽과 상판과의 사이에 반응가스 배출로를 설치하며 또한 상기 반응실의 상판의 위쪽에 가열장치의 위치를 정해 설치하는 구성을 취하고 있다.
즉 본 발명의 반도체 제조장치는 진공실을 고도로 진공시켜 반응가스 분자의 평균 자유행정을 크게하여 가스 분자를 분자선으로 기판에 효율성있게 충돌시키도록 함과 동시에 진공실내에 진공실보다 소용량의 반응실을 새롭게 설치하여, 이 반응실에 기판을 넣으며 그 상태에서 반응실에 반응가스를 공급하여 반도체층을 성장시키기 때문에 반응가스의 이용효율이 크게 향상하게 된다.
또 이 장치는 진공실이 고도의 진공상태로 되어 있어 증기압이 낮은 Ⅲ족 화합물로도 그대로 가스화하여 사용할 수 있기 때문에 Ⅲ족 화합물의 가스화 및 반송용의 운반체 가스가 불필요하게 된다.
그 때문에 사용후의 가스의 폐기 처리도 소량으로 끝낼 수 있게 된다.
게다가 반응실을 구성하는 상판에 기판을 유지시키며 또한 반응실의 저부에 반응가스 토출부를 설치함과 동시에 반응실의 상판의 위쪽에 히터를 설치하며 반응실내에 토출된 반응가스가 열대류등에 의해 영향을 받지 않도록 하고 있기 때문에 표면 평활성이 대단히 양호한 반도체층을 형성할 수 있게 된다.
본 발명을 실시예에 의거하여 상세히 설명한다.
제 1 도 내지 제 4 도는 본 발명의 한 실시예의 반도체 제조장치를 나타내고 있다.
이 도면에 있어서 "200"은 진공화학 에피택시 (Vacuum chemical Epitaxy)계에 있어서의 진공실이며 그 진공실(200)내의 반응실(10)이 설치되어 있다.
이 반응실(10)은 사각판형의 바닥판(12)과 그 사각판형의 바닥판(12)의 사방 주위 가장자리로부터 위쪽으로 향해 뻗은 벽(16)과 그 벽(16)의 상단에 한쪽방향으로 자유로운 슬라이드 상태에서 얹어진 상판(18)으로 구성되어 있다.
이 상판(18)에는 그 중앙부에 2개의 구멍(18a)이 설치되며 이 구멍(18a)에 각각 원형판의 GaAs기판(300)이 표면을 밑으로 한 상태에서 구멍(18a)의 안쪽 주위 가장자리에 설치된 단부(18b)에 지지되어 붙이고 떼기가 자유롭게 부착되어 있다.
상기 상판(18)은 그 좌우 양측 가장자리가 아래쪽으로 완곡하게 되어 있으며 그 완곡부분이 상기 사방의 벽(16) 중에 대치하는 좌우 한쌍의 벽(16)의 안쪽에 설치된 슬라이드 단부(16a)에 지지되므로서 진공실(200)에 연이어 설치된 기판 착탈실(50)(제 4 도 참조)로 향해 슬라이딩할 수 있도록 되어 있다.
제 4 도에 있어서, "52"은 기판 착탈식(50)로부터 밸브(52)를 열고 진공실(200) 안으로 뻗은 매직 핸드로서 상기 상판(18)의 만곡부를 끼운 상태에서 슬라이드 이동하며, 상판(18)을 반응실(10)에 적절하게 떼고 붙인다.
"53"은 밸브(52)를 열기전에 기판 착탈식(50)을 진공실(200)과 같은 진공 상태로 하는 진공 펌프이다.
상기 반응실(10)이 벽에는 외부 주위를 따라 소정의 간격으로 배기구(20)가 설치되며 반응실(10)내의 미 반응가스 내지 잉여 반응가스를 진공실(10)로 배출하도록 되어 있다.
이들 배기구(20)의 전체의 면적은 반응실(10)의 상판 면적의 약 4%로 설정되어 있다.
"14"는 각각 바닥판(12)에 있어서 상기 기판(300)의 바로 밑의 위치에 일정간격(25.4mm)으로, 또한 상기 기판(300)에 대하여 수직이 되도록 뚫어 설치한 직경 3.2mm의 노즐구멍(아래쪽으로부터 윗쪽에 걸쳐 역방향의 원추형으로 되며 반응가스를 균일하게 토출하도록 되어있다)이며 반응실(10)의 아래쪽에 설치된 제 1의 혼합실(24)의 천정부에 뚫어 설치되어 있는 구멍(26) 또는 (34)에 연이어 통해 있다.
이 구멍(26) 및 (34)은 제 5 도에 나타나듯이 동일 개수가 교대로 설치되어 있으며 구멍(26)은 제 1의 혼합실(24)내에 연이어 통하며 구멍(34)은 제 1의 혼합실(24)내를 관통하고 있는 덕트(32)를 통하여 혼합실(24)의 아래쪽에 설치된 제 2의 혼합실(30)에 연이어 통해 있다.
제 1의 혼합실(24) 내에는 제 2 도에 나타나 있듯이 측벽을 관통하여 원료 주입관(22)이 연이어 통해 있으며 이 원료 주입관(22)으로부터 트리메틸 갈륨(TMGa)이나 트리에틸 갈륨(TEGa)등의 Ⅲ족 화합물(반응가스)이 제 1의 혼합실(24)에 보내지며 또 n형 및 p형 도우펀트가 단독으로 또는 상기 Ⅲ족 화합물과 동시에 제 1의 혼합실(24)로 보내지도록 되어있다.
이 화합물등은 제 1의 혼합실(24)내에서 균일하게 혼합된 후 구멍(26) 및 노즐구멍(14)을 통하여 위쪽에 설치되어 있는 기판(300)을 향해 균일한 분포상태로 토출된다.
또 제 2의 혼합실(30)은 아래쪽에 개구부를 가지며 그 개구부에, 개구부를 개폐하기 위한 포핏(poppet)밸브로부터 되는 배기밸브(36)가 자유롭게 나가고 물러날 수 있게 설치되어 있다.
그리고 상기 제 2의 혼합실(30)의 측벽에는 원료주입관(28)이 연결되어 있다.
이 원료 주입관(28)으로부터 n형, p형 도우핀트 또는 트리에틸 알루미늄(TEAl) 등의 Ⅲ족 화합물등이 제 2의 혼합실(30)에 보내지도록 되어 있다.
상기 Ⅲ족 화합물은 제 2의 혼합실(30) 및 덕트(32)내에서 균일한 상태로 혼합된 후 구멍(34)을 통해 노즐구멍(14)으로부터 기판(300)으로 향해 균일한 분포상태로 토출된다.
또한 덕트(32)는 제 1의 혼합실(24) 내에서 반응가스의 유통저항이 되며 휘저어 섞는 작용을 하게 되기 때문에 제 1의 혼합실(24)내에 있어서의 반응가스의 혼합성 향상에 기여한다.
또 상기 제 1 및 제 2의 혼합실(24),(30)은 하나로 형성된 스텐레스강제의 블록으로 되어 있으며 스텐레스 강제의 지지제(40)로 지지되고 있다.
"42"는 AsH3등의 V족 화합물(반응가스)을 반응실(10)내에 공급하기 위한 공급관이며, 제 5 도의 같이 바닥판(12)상의 구멍(26)(34)을 좌우 동수로 2등분하는 위치에 설치되어 있다.
그리고 이 공급관(42)에는 복수의 구멍(42a) 및 구멍(42b)이 각각 일정한 간격을 유지한 상태로 좌우 2열로 뚫어 설치되어 있다.
이로 인해 상기 V족 화합물이 반응실(10) 내에서 균일한 분포상태로 공급된다.
"44"는 반응실(10)의 바닥판(18)의 위쪽에 설치된 히터, "44c"는 균열판(均熱板)이며 기판(300)을 위로부터 주로 복사열로 가열하므로서 기판(300)을 그 표면에서 반도체 화합물이 성장할 수 있는 온도까지 가열함과 동시에 그 가열에 의해 열대류등의 영향을 받지 않고 반도체가 기판(300)의 표면에 균일하게 성장할 수 있도록 하고 있다.
상기 히터(44)는 제 1 도(b)에 나타나 있듯이 판형 카본 그래파이프에 선모양으로 잘라낸 부분(44a)을 교대로 설치하며 양쪽단에 전극(44b)을 부착하여 구성되어 있다.
이 히터(44)는 면형상으로 균일하게 가열 가능하지만 히터(44)의 아래쪽에 설치된 균열판(44c)에 의해 면형상 가열이 더욱더 균일하게 행해지도록 된다.
동작에 있어서 MESFET 에피택시층의 성장형성에는 제 1 도와 같이 반응실(10)에 기판(300)(표면이 아래로 되어 있다)이 붙은 상판(18)을 장착하며, 계속하여 진공실(200)내를 진공도가 10-7도트의 진공상태로 함과 동시에 히터(44)에 전하를 부하하여 히터(44)를 발열시켜 분위기 온도를 650℃로 가열한다.
그 상태에서 기판(300)을 약 15분간 가열한다. 계속하여 반응실(10)의 원료주입관(22)으로부터 트리메틸 갈륨(TMGa)이나 트리에틸 갈륨(TEGa) 등의 Ⅲ족 화합물(반응가스)을 제 1의 혼합실(24)내에 보내 혼합실(24)내에서 균일한 상태로 혼합한 후 노즐구멍(14)으로부터 기판(300)의 표면으로 향해 균일한 분포상태로 토출시킴과 동시에 공급관(42)에 AsH3또는 알킬 아르세닉 등의 V족 화합물(반응가스)예를들어 트리에틸 아르세닉(TEAs)을 보내며 이것을 구멍(42a) 및 구멍(42b)으로부터 반응실(10)내로 과잉으로 토출시킨다.
그 결과 반응실(10)내로 공급되는 V족 화합물은 상기 Ⅲ족 화합물등과 동시에 기판(300)의 표면을 가로질러 배기구(20)로 확산하면서 흘러간다.
그 사이에 AsH3나 TEAs는 열분해하여 As2로 되며 기판(300)의 표면에 상기 갈륨 화합물의 갈륨과 동시에 접촉하며 무도우프 비화갈륨(GaAs)층등으로 성장한다.
또 기판(300)에 접촉하지 않는 미반응의 화합물은 배기구(20)로부터 외부로 배출되며 진공실(200)쪽에 배기장치에 의해 들어가게 된다.
상기 GaAs층은 매시간마다 약 2μm의 성장속도로 성장시키는 것이 바람직하며 두께를 약 104Å로 형성시키는 것이 가장 적합하다.
이 경우 상기 무 도우프 GaAs층 내의 불순분의 농도는 1×1015원자/cm3이하가 되도록 설정하는 것이 바람직하다.
계속하여 n형 도우펀트를 상기 Ⅲ족, Ⅴ족 화합물과 동시에 또는 단독으로 제 2의 혼합실(30)으로부터 반응실(10)로 토출시킴으로서 상기 무 도우프 GaAs층의 표면에 n형 활성층을 성장시킨다.
이 n형 활성층은 매시간마다 2μm의 성장속도로 성장시키는 것이 바람직하며, 그 두께가 2×103Å로 그 중에 n형 도우펀트의 농도가 약 2×1017원자/cm3이 되도록 하는 것이 바람직하다.
그때 가스의 공급을 모두 정지한 상태로 약 15분 유지한다. 그리고 기판(300)을 냉각한 후 반응실(진공실 200)(10)로부터 꺼낸다.
이 꺼내는 방법은 다음과 같이 행한다.
즉 기판 착탈식(50) 내의 진공도를 진공실(200)과 같은 정도로 높이며 계속하여 밸브(52)를 열어 매직핸드(51)를 뻗쳐 반응실(10)의 상판(18)(기판 (300)을 갖는다)을 잡게하며 그 상태로 매직핸드(51)를 후퇴시키며 상판(18)을 슬라이딩시켜 반응실(10)의 벽(16)으로부터 떼어내어 기판 착탈식(50) 내에 수용하므로서 행하여진다.
그리고 꺼내어진 기판(300)에는 기존의 장치에 의해 신호원 전극, 드레인 전극 및 게이트 전극이 설치된다.
이렇게 하여 균일한 MESFET 반도체층을 갖는 Ⅲ-Ⅴ화합물 반도체를 얻을 수 있다. 계속하여 HEMT 에피택시층의 성장형성은 전술한 것과 같이 반응실(10)내에 제 1의 혼합실(24)로부터 Ⅲ족 화합물을 토출시킴과 동시에 공급관(42)으로부터 V족 화합물을 토출시켜 기판(300)위에 무 도우프의 GaAs층을 성장시킨후 상기 Ⅲ족 화합물 V족 화합물을 가하여 제 2의 혼합실(30)로부터 트리에틸 알루미늄(TEAl) 등의 Al을 함유하는 Ⅲ족 화합물을 공급하며 AlGaAs로부터 되는 HEMT 에피택시 층을 성장시킨다.
계속하여 n형 도우펀트를 상기 Al함유 Ⅲ족 화합물과 동시에 반응실(10)로 토출시키며 상기 Al GaAs층의 위에 n형 AlGaAs층을 성장시킨다.
그때에 Al함유 Ⅲ족 화합물의 공급을 정지시켜 n형 도우펀트를 함유하는 n형 GaAs층을 성장시킨다.
이와 같이 하여 HEMT 에피택시층의 성장형성이 행해진다.
또한 상기의 장치에서 노즐구멍(14)으로부터 기판(300)까지의 거리를 그 진공상태에서의 Ⅲ족 화합물의 가스분자의 평균 자유 행정(가스 분자가 다른 분자와 충돌하여 반응하기까지의 진행거리보다도 가까우며 또한 기판(300)의 표면에의 화합물의 분산상태가 균일하게 되도록 설정하여 둔다.
이것을 보다 상세하게 설명하면 각 노즐구멍(14)으로부터 원추형으로 확산하는 Ⅲ족 화합물 등의 선단에 형성되는 각 원이 서로 교차하는 위치에 기판(300)을 설치하여 둠과 동시에 기판(300)에 도달하는 가스분자의 분포상태 및 그 충돌속도가 가스분자가 기판(300)의 표면에 적당한 속도로 성장하기 때문에 충분하도록 설정하여 둔다.
또는 미리 설정된 노즐 구멍(14)으로부터 기판(300)까지의 거리에 대응시켜 진공실(200)내의 진공도나 가스상태 화합물의 토출속도를 조절한다든지, 구멍(26)(34) 및 노즐구멍(14)의 개수, 직경등을 조절한다.
이에따라 규정두께 ±5%의 범위내의 두께, 보다 바람직하게는 규정두께 ±1%의 범위의 두께를 갖는 반도체층을 얻을 수 있다.
또 TEGa 및 AsH3등으로부터 GaAS를 얻을 경우의 반응속도는 일반적으로 기판(300)의 온도가 높을수록 빨리 진행하도록 되어 있지만 기판(300)의 온도가 너무 높으면 층 모양으로 형성된 것이 재증발하여 층의 성장속도를 저하시킨다.
이 때문에 기판(300)의 온도는 500-700℃가 바람직하며 특히 바람직하게는 600-650℃이다.
또 반응실(10)내의 진공상태는 10-6토르 이하가 바람직하다.
또 상기 실시예의 장치에 있어서 혼합실을 추가하는 경우 배기 밸브(36)는 최하단의 혼합실에 설치하든지 또는 각각의 혼합실에 설치해도 좋다.
또 상기의 실시예에는 반응실(10)의 벽(16)에 배기구(20)를 설치하고 있지만 벽(16)에 배기구(20)를 설치하지 않고 벽(16)과 상판(18)과의 틈새를 배기로로 하여도 좋다.
또 상기 실시예의 장치 및 제 1 도의 장치에서는 혼합실(24)과 (30)을 격리한 것으로 하며 각각의 혼합실에 연이어 통한 노즐구멍(14)으로부터 다른 원료가스를 반응실(10)로 보내도록 되어 있지만 혼합실(24) 및(30)을 구멍등에 의해 연이어 통하게 하며 각각의 원료 주입관(22)(28)으로부터 보내져 오는 원료가스를 혼합실(24)내에서 혼합한후 반응실(10)로 보내도록 하여도 좋다.
더욱이 혼합실에 냉각용의 자켓등을 설치하며 그곳에 냉각수등을 보내므로 인해 가스상태 화합물을 적정온도로 냉각할 수 있도록 해도 좋다.
이에의해 가스상태 화합물의 온도가 과잉으로 높게되는 것을 방지하며 가스상태 화합물의 조기 반응을 방지하도록 된다.
이상과 같이 상기 실시예의 장치는 히터(44)를 상판(18)의 위쪽에 설치하며 위쪽으로부터 기판(300)을 가열함과 동시에 반도체 성장용의 가스상태 화합물을 기판(300)의 아래쪽으로부터 기판(300)으로 향해 윗방향으로 토출시키기 때문에 히터(44)의 발열에 의한 기체의 대류에 좌우되지 않고 적정하게 처리할 수 있으며 표면 평활성이 풍부한 반도체층을 균일하게 성장시킬 수 있다.
또 상기 반도체 제조장치는 혼합실(24) 및 혼합실(30)으로부터 기판(300)을 향해 종류가 다른 가스상태의 Ⅲ족 화합물들을 토출할 수 있도록 되어 있기 때문에 종래의 장치와 같이 밸브의 교환등의 작업을 하지 않아도 되는 효율 높은 반도체를 제조할 수 있다.
또 노즐구멍(14)에 종류가 다른 가스상태 화합물이 잔유하여 그것이 불순물로 되어 생기는 반도체의 품질의 저하도 없다.
거기에 혼합실(24)(30)로 연이어 통하는 복수의 노즐구멍(14)을 동일 평면상에 일정한 간격으로 설치함과 동시에 상기 복수개의 노즐구멍(14)을 동일 평면상에 일정한 간격으로 설치함과 동시에 상기 복수개의 노즐구멍(14)을 2등분하는 위치에 설치한 공급관(42)으로부터 V족 화합물을 반응실(10)내에 공급하도록 하며 또한 미반응의 반응가스를 배출구(20)로부터 반응실(10)의 외부로 배출하므로서 반응실(10)내에 일정한 속도로 흐르는 반응가스의 흐름을 발생시키도록 하고 있기 때문에 기판(300)의 표면에 균일한 상태로 반응가스를 보낼 수 있으며 Ⅲ-Ⅴ족 화합물로부터 되는 반도체층을 균일한 상태에서 성장시킬 수 있다.
또 제 2의 혼합실(30)에 배기밸브(36)를 설치하고 있기 때문에 가스상태 화합물의 기판(300)에의 연속적인 공급도 가능하게 된다.
더욱이 반응가스의 이용효율이 높고 또한 운반체 가스를 사용할 필요가 없기 때문에 사용 가스가 소량으로 되며 폐기할 때 처리가 용이하게 된다.

Claims (3)

  1. 고도의 진공상태인 진공실과, 이 진공실내에 설치된 기판지지용의 기판지지구와, 반응가스 공급장치와, 기판의 가열장치를 겸비한 반도체 제조장치에 있어서, 저면부와 그 바깥 가장자리로부터 세워지는 벽과 이벽에 싸여진 반응 공간을 자유롭게 개폐하는 상판으로 형성되는 반응실을 상기 진공실내에 설치하며, 상기 반응실의 상판에, 기판을 상기 반응 공간에 접한 상태로 유지하는 유지부를 설치함과 동시에 반응실의 저면부에 상기 유지부에 유지된 기판에 대하여 반응가스를 토출하는 반응가스 공급장치를 설치하며, 반응실의 벽 또는 이 벽과 상판과의 사이에 반응 가스 배출로를 설치하며 또한 상기 반응실의 상판의 위쪽에 가열 장치의 위치를 정해 배치하여서 된 것을 특징으로 한 반도체 제조장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 반응실의 저면부에 반응가스 토출용의 복수의 노즐 구멍을 설치함과 동시에, 반응실의 아랫쪽에 제 1 및 제 2의 혼합실을 계단식으로 설치하며, 이들 제 1 및 제 2의 혼합실에 각각 다른 종류의 반응가스를 주입하도록 주입장치를 설치하며, 상기 제 1의 혼합실의 천정부에 그 혼합실내의 반응가스를 상기 반응실의 저면부의 소정의 노즐 구멍으로 인도하는 출구를 설치하며 또한 상기 제 2의 혼합실의 천정부에 그 혼합실내의 반응가스를 꺼내는 출구를 설치함과 동시에 이 출구로부터 상기 제 1의 혼합실을 빠져나와 상기 반응실의 저면부의 소정의 노즐구멍으로 뻗어나는 반응 가스 유로(流路)를 설치하여서 된 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 반응실의 저면부에 설치된 반응가스 토출용의 복수의 노즐구멍을 실질적으로 동수로 형성되는 노즐 구멍군에 좌우로 분할하도록 상기 반응실의 저면부에 설치된 반응가스 토출용의 토출원을 설치하여서 된 것을 특징으로 하는 반도체의 제조장치.
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