KR940022933A - 중합체 광도파관 부품을 가진 반도체 부품을 집적하는 방법 및 이 방법을 통해 이루어진 집적구조로 구성된 전자광학장치 - Google Patents

중합체 광도파관 부품을 가진 반도체 부품을 집적하는 방법 및 이 방법을 통해 이루어진 집적구조로 구성된 전자광학장치 Download PDF

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피터포올
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아크조 노벨 엔. 브이.
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Abstract

본 발명은 중합체 광도파관 부품으로 반도체 부품을 집적시키는 것으로 구성된 전자-광학장치를 제조하는 방법 및 상기 방법을 통해 이루어진 집적 구조로 구성된 전자-광학장치에 관한 것으로, 에피텍셜 리프트-오프(ELO)에 의해 얻어진 반도체 부품이 중합체 광도파관 구조외에 적절한 공동으로 구성된 광도파관 장치내 끼워져서 중합체 광도파관 부품을 가진 반도체 부품을 집적하는 것으로 구성되며, 상기 집적 전자- 광학장치는 ELO기술에 의해 이루어질 수 있으며, 중합체 광도파관 부품 및 반도체 부품이 실리콘과 같은 우수한 열소실을 가진 재료인 반도체 부품의 재료와는 상이한 재로로 만들어진 기판상에 집적되며 중합체 광도파관은 광도파관 채널이 표백에 의해 제공되는 중합체로 구성되는 것을 특징으로 한다.

Description

중합체 광도파관 부품을 가진 반도체 부품을 집적하는 방법 및 이 방법을 통해 이루어진 집적구조로 구성된 전자광학장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 연속적인 층으로 만들어진 광보오드를 나타내는 도면, 제2도는 반도체 부품의 배열에 대한 공동이 금충내 패턴을 정의함에 의해 결정되는 것을 나타내는 도면, 제3도는 패시트를 중합체 광보오드내에서 엣칭하는 것을 나타내는 도면.

Claims (17)

  1. 에피텍셜 리프트-오프(ELO)에 의해 얻어진 반도체 부품이 중합체 광도파관 구조외에 공동으로 구성된 광도파관 장치내 끼워져서 중합체 광도파관 부품을 가진 반도체 부품을 집적하는 것으로 구성된 것을 특징으로 하는 전자광학장치를 제조하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 공동의 지지체의 표면적에 아래에 이르러서 지지체 상에 배치된 중합체 광도파관 구조내 구비되는 것을 특징으로 하는 전자광학장치를 제조하는 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 중합체 광도파관 부품이 광도파관내 반도체 부품의 배열후 중합체 광도파관 부품으로 부터 제조되는 것을 특징으로 하는 전자광학장치를 제조하는 방법.
  4. 제3항에 있어서, 중합체 광도파관 구조가 중합체 광도파관 부품이 표백 공정에 의해 광도파관 패턴을 야기함에 의해 제조되는 표백 가능한 중합체로 구성된 것을 특징으로 하는 전자광학장치를 제조하는 방법.
  5. 제1항 내지 제4항중 어느 한 항에 있어서, 반도체 부품이 중합체 광도파관 부품과 직접 접촉하지 않는 경우, 중간공간이 중합체 광도파관의 굴절율과 같은 크기의 굴절율을 가진 재료로 채워지는 것을 특징으로 하는 전자광학장치를 제조하는 방법.
  6. 제1항 내지 제5항중 어느 한 항에 있어서, 공동이 수직벽에 부여되는 것을 특징으로 하는 전자광학장치를 제조하는 방법.
  7. 제1항 내지 제6항중 어느 한 항에 있어서, 중합체층을 중합체 광도파관 부품 및 반도체 부품상에 코팅하는 것을 특징으로 하는 전자광학장치를 제조하는 방법.
  8. 제1항 내지 제7항중 어느 한 항에 있어서, 끼워지는 반도체 부품이 모놀리식 배열의 반도체 부품으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 전자광학장치를 제조하는 방법.
  9. 약 0.1㎛ 내지 10㎛의 범위의 층 두께를 가진 Ⅲ-Ⅴ부품으로 부터 이식가능한 필름을 제조하고, Ⅲ-Ⅴ부품이 지지체상에 제공된 중합체 광도파관 구조내 적합한 공동을 부여함에 의해 게스트 기판을 만들며, 공동내 Ⅲ-Ⅴ부품의 이식가능한 필름을 배열하고, 중합체 광도파관의 굴절율 크기와 동일한 굴절율을 가진 재료를 사용해서 반도체 부품 및 중합체 광도파관 부품 사이에 임의의 공간을 채우는 단계로 구성되면 적어도 하나의 반도체 부품이 적어도 하나의 중합체 광도파관 부품과 집적되는 것을 특징으로 하는 전자-광학장치를 제조하는 방법.
  10. 제1항 내지 제9항중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 얻어질 수 있는 것을 특징으로 하는 집적된 정자-광학장치.
  11. 반도체 부품이 전체가 중합체 광도파관 부품내 끼워지고, 중합체 광도파관 부품이 납작한 바탕 변형층 및 납작한 상부 변형층에 의해 봉해진 납작한 코어층으로 만들어진 광도파관 구조로 구성되며 있으며 중합체 광도파관 부품 및 반도체 부품으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 집적된 전자-광학장치.
  12. 반도체 부품 및 중합체 광도파관 부품이 반도체 부품의 재료와는 상이한 재료로 만들어진 기판상에 집적되며 중합체 광도파관 부품 및 반도체 부품으로 구성되는 것을 특징으로 하는 집적된 전자-광학장치.
  13. 제12항에 있어서, 기판이 열싱크로 작용하는 것을 특징으로 하는 집적된 전자-광학장치.
  14. 제13항에 있어서, 기판이 실리콘으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 집적된 전자-광학장치.
  15. 제10항 내지 제14항중 어느 한 항에 있어서, 반도체 부품이 레이저 다이오드, 광방출 다이오드, 광증폭기 또는 광탐지기인 것을 특징으로 하는 집적된 전자-광학장치.
  16. 제10항 내지 제15항중 어느 한 항에 있어서, 충합체 광도파관 부품이 광도파고나 채널이 표백에 의해 구비되는 중합체로 구성되는 것을 특징으로 하는 집적된 전자-광학장치.
  17. 제10항 내지 제16항중 어느 한 항에 있어서, 중합체 광도파관 부품이 광학적으로 비선형이거나 비선형이 아닐 수 있는 변형층에 의해 밀봉된 광학적으로 비선형 중합체 코어층으로 구성된 것을 특징으로 하는 집적된 전자-광학장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940005400A 1993-03-19 1994-03-18 중합체 광도파관 부품을 가진 반도체 부품을 집적하는 방법 및 이 방법을 통해 이루어진 집적구조로 구성된 전자광학장치 KR940022933A (ko)

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