KR940012514A - 내열성 전극재료와 그것을 이용한 전극 및 그 전극을 이용한 플라스마 생성부를 갖는 장치 - Google Patents

내열성 전극재료와 그것을 이용한 전극 및 그 전극을 이용한 플라스마 생성부를 갖는 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 내식, 내열성이 뛰어나고 수명이 긴 내열성 전극재료를 제공하고, 플라즈마 분위기중에서도 손상을 받기 어려운 전극을 제공하고, 또한 전극 혹은 전극을 제공하는 챔버의 플라즈마에 의한 손상을 억제하고, 이에의해 보수빈도를 감소시켜서 가동율을 향상시킬수 있는 플라즈마 발생부를 갖는 장치를 제공하기 위한 것으로, ZrB2및 TiB2의 적어도 1종, 40∼60중량％ BN：20∼50중량％, AIN：30중량％ 이하로 구성되는 내열성 전극재료가 개시된다. 이 내열성 전극재료는 이온원, 플라즈마 에칭장치 및 플라즈마 CVD 장치등의 플라즈마 생성부를 갖는 장치의 전극을 적어도 플라즈마가 접촉하는 부분에 사용되는 것을 특징으로 하는 내열성 전극재료와 그것을 이용한 전극 및 그 전극을 이용한 플라즈마 생성부를 갖는 장치에 관한 것이다.

Description

내열성 전극재료와 그것을 이용한 전극 및 그 전극을 이용한 플라즈마 생성부를 갖는 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 1상태에 관한 이온원(源)의 일부를 단면으로 도시하는 사시도.

Claims (19)

  1. ZrB2및 TiB2의 적어도 1종, 40∼60중량％ BN：20∼50중량％, AIN：30중량％ 이하로 구성되는 것을 특징으로 하는 내열성 전극재료.
  2. 제1항에 있어서, 상기 내열성 전극재료는 고온프레스 소결체로 구성되는 것을 특징으로 하는 내열성 전극재료.
  3. 제1항에 있어서, 상기 내열성 전극재료는 비저항이 1×105μΩㆍm 이하인 것을 특징으로 하는 내열성 전극재료.
  4. ZrB2및 TiB2의 적어도 1종, 40∼60중량％ BN：20∼50중량％, AIN：30중량％ 이하로 구성되는 재료를 포함하고, 플라즈마 분위기에서 사용되는 것을 특징으로 하는 전극.
  5. 제4항에 있어서, 상기 재료는 고온프레스 소결체로 구성되는 것을 특징으로 하는 내열성 전극재료.
  6. 제4항에 있어서, 상기 재료는 비저항이 1×105μΩㆍm 이하인 것을 특징으로 하는 전극.
  7. 가스를 전기적으로 프라즈마화하는 플라즈마 생성부를 갖는 장치에 있어서, 챔버(61)와, 챔버(61)내에 플라즈마 생성용 가스를 도입하는 수단과, 전계를 형성하여 상기 가스의 플라즈마를 생성하기 위한 한쌍의 전극을 갖고, 상기 전극의 적어도 플라즈마와 접촉하는 부분이 ZrB2및 TiB2의 적어도 1종, 40∼60중량％ BN：20∼50중량％, AIN：30중량％ 이하로 구성되는 재료로 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 생성부를 갖는 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 전극에 사용되는 상기 재료는 고온 프레스 소결체로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 생성부를 갖는 장치.
  9. 제7항에 있어서, 상기 전극에 사용되는 상기 재료는 비저항이 1×105μΩㆍm 이하인 것을 특징으로 하는 플라즈마 생성부를 갖는 장치.
  10. 제7항에 있어서, 상기 장치는 이온원(1)인 것을 특징으로 하는 플라즈마 생성부를 갖는 장치.
  11. 제7항에 있어서, 상기 장치는 이온원(1)을 갖는 이온 주입장치인 것을 특징으로 하는 플라즈마 생성부를 갖는 장치.
  12. 제7항에 있어서, 상기 장치는 플라즈마 에칭장치(70)인 것을 특징으로 하는 플라즈마 생성부를 갖는 장치.
  13. 제7항에 있어서, 상기 장치는 플라즈마 성막장치인 것을 특징으로 하는 플라즈마 생성부를 갖는 장치.
  14. 가스를 전기적으로 플라즈마화하는 플라즈마 생성부를 갖는 장치에 있어서, 챔버(61)와, 챔버(61)내에 플라즈마 생성용 가스를 도입하는 수단과, 전계를 형성하여 상기 가스의 플라즈마를 생성하기 위한 한쌍의 전극을 갖고, 상기 전극의 적어도 플라즈마와 접촉하는 부분이 고온프레스 소결체로 구성되고, 상기 소결체는 고온프레스의 가압방향에 평행한 면이 플라즈마 분위기에 접하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 생성부를 갖는 장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 소결체는 ZrB2및 TiB2의 적어도 1종, 40∼60중량％ BN：20∼50중량％, AIN：30중량％ 이하로 구성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 생성부를 갖는 장치.
  16. 제14항에 있어서, 상기 장치는 이온원(60)인 것을 특징으로 하는 플라즈마 생성부를 갖는 장치.
  17. 제14항에 있어서, 상기 장치는 이온원(60)을 갖는 이온주입장치인 것을 특징으로 하는 플라즈마 생성부를 갖는 장치.
  18. 제14항에 있어서, 상기 장치는 플라즈마 에칭장치(70)인 것을 특징으로 하는 플라즈마 생성부를 갖는 장치.
  19. 제14항에 있어서, 상기 장치는 플라즈마 성막장치인 것을 특징으로 하는 플라즈마 생성부를 갖는 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930024345A 1992-11-16 1993-11-16 내열성 전극재료와 그것을 이용한 전극 및 그 전극을 이용한 플라스마 생성부를 갖는 장치 KR100272044B1 (ko)

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