KR940004003A - 원 팩 자기 경화성 에폭시 수지 조성물 - Google Patents

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KR940004003A
KR940004003A KR1019930015815A KR930015815A KR940004003A KR 940004003 A KR940004003 A KR 940004003A KR 1019930015815 A KR1019930015815 A KR 1019930015815A KR 930015815 A KR930015815 A KR 930015815A KR 940004003 A KR940004003 A KR 940004003A
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epoxy
tetrabromobisphenol
solvent
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줄리아 조오지프 브루옌시일즈 마리아
안토니 야이안니 폴
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알베르투스 빌헬무스.요아네스 째스트라텐
셀 인터나쵸 나아레 레사아치 마아츠샤피 비이부이
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    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins

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Abstract

본 발명은 하기로 구성된 원 팩 자기 경화성 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다.
i)에폭시 성분(a)로서 분자당 평균 하나 이상의 에폭시 기를 갖는 적어도 하나의 1. 2-에폭시 수지 화합물 및 ii)경화 성분(b)로서 높은 온도에서 디시안디아미드를. 에폭시 당량 3330내지 1500및 브롬 함량 10내지 50중량%를 갖는 테트라브로모비스페놀-A 타입 에폭시 수지와 반응시킴으로써 얻을 수 있는 적어도 하나의 반응 생성물, 및 iii)용매 (c)로성 하기 일반(Ⅰ)에 의해 나타내어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 화합물
상기 식에서 R1,R2,R4및 R 각각은 수소 또는 Cl-3알킬을 개별적으로 나타내며, 단 그들 중 적어도 하나는 Cl-3일킬이고, R3Cl-3알킬을 나타낸다.

Description

원 팩 자기 경화성 에폭시 수지 조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (13)

  1. 하기로 구성된 원 팩 자기 경화성 에폭시 수지 조성 :
    i)에폭시 성분(a)로서 분자당 평균 하나 이상의 에폭시 기를 갖는 적어도 하나의 1, 2-에폭시 수지 화합물 및 ii)경화 성분(b)으로서 높은 은도에서 디시안디아미드를, 에폭시 당량 330내지 1500및 브롬 함량 10내지 50중량%를 갖는 테트라브로모비스페놀-A 타입 에폭시 수지와 반응시킴으로써 얻을 수 있는 적어도 하나의 반응 생성물.및 iii)용매 (c)로성 하기 일반(I )에 의해 나타내어진 근으로부터 선택되는 적어도 하나의 화합물
    상기 식에서 R1,R2,R4및 R5각각은 수소 또는 Cl-3알킬을 개별적으로 나타내며, 단 그들 중 적어도 하나는 Cl-3일킬이고, R3는 Cl-3알킬을 나타낸다.
  2. 제1항에 있어서, 성분(a)가 적어도 임의로 할로겐화된 에폭시 노보락, 레조르시놀, 비스페놀-A, 비스페놀-F 및 비스페놀의 임의로 할로겐화된 폴리글리시딜에떼트 또는 이들의 융합 생성물로 구성된 군으로 부터 선택된 화합물 또는 전술한 화합물의 블랜드로 구성된 조성뭍.
  3. 제 1또는 2항에 있어서, 성분 (a)가 비스페놀-.4 타입 또는 테트라브로모지스페놀-A 타입 에폭시 수지 또는 이들의 융합 생성물로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 화합물로 구성되는 조성물.
  4. 제1내지 3항중 임의 항에 있어서, 성분(a)가 에폭시기 함량 7900-2200 mmol/kg 및 브롬 함량 20내지 22중량%를 갖는 테트라브로모비스페놀-.4 에폭시 수지 화합물로 구성되는 조성물.
  5. 제1내지 4항중 임의 항에 있어서, dicy및 테트라브로모비스페놀-A타입 에폭시 수지 사이의 반응이 용매 (c)의 존재하에, 50내지 160℃ 범위에 놓인 온도에서 실행되고 dicy와 테트라브로모비스페놀-.1 타입 에폭시 수지는 에폭시 기 당 아민기 (들) 0. 5내지 1. 5을 제공하기 위한 상대량으로 반응되는 조성물
  6. 제1내지 5항중 임의 항에 있어서, dicy 및 테트라브로모비스페놀-.7타입 에폭시 수지 사이의 반응이 용매의 존재하게, 50내지 160℃벙위에 놓인 온도에서 실행되고, dicy와 테트라브로모비스페놀-.4 타입 에폭시 수지는 에폭시기 당 아민기 (들) 0. 5내지 4. 0을 제공하기 위한 상대량으로 반응되고, 형성된 반응 생성물은 뜨거운 반응 혼합물로 부터 분리되는 조성물.
  7. 제1내지 6항중 임의 항에 있어서, 경화 성분(b)의 제조에 사용된 테트라브로모비스페놀-A 타입 에폭시 수지가 분자당 에폭시 기 1내지 4, 브롬 함량 18내지 22중량% 및 에폭시기 함량 1739내지 3030mmo1/kg을 갖는 조성물.
  8. 제1내지 6항중 임의 항에 있어서, 용매 (c)가 프로필렌글리콜모노메틸에테르인 조성물.
  9. 제1내지 8항중 임의 항에 있어서, 용매 (c)대 그 밖의 용매 (들)의 중량비가 5보다 높도록 하는 양의 하나 이상의 비위험성 용매(들)을 포함하는 조성물.
  10. 제1내지 9항중 임의 항에 따른 경화성 조성물로 함침된 지지체.
  11. 제10항에 있어서, 상기 지지체가 직물, 매트 또는 섬유 형태의 혹연이 유리인 함침 지지체.
  12. 제10 또는 11항의 함침 지지체의 하나 이상의 층으로 부터 제조된 적층판.
  13. 인쇄 회로판을 생산하기 위한 방법에서 제1내지 9항중 임의 항에 따른 조성물의 사용.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930015815A 1992-08-18 1993-08-14 원 팩 자기 경화성 에폭시 수지 조성물 KR940004003A (ko)

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