KR940002644A - 액정표시소자 및 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 액정표시소자 및 제조방법에 관한 것으로 종래에는 게이트 절연막 형성시 대기압 화학 기상증착법(APCVD) 또는 저기압 화학 기상증착법(LPPCVD)으로 제조하여 기판이 고온에 손상되며 화소전극이 공정끝까지 노출되어 소자의 특성을 저하시키는 문제점이 있었다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 감안하여 게이트, 화소전극의에 양극산화가 가능한 물질을 증착후 양극산화하여 화소전극을 보호하며 게이트 전극과 화소전극사이를 비정질 실리콘으로 형성하여 화소간의 광누설을 방지하여 소자의 특성을 개선하는 효과가 있다.

Description

액정표시소자 및 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2도의 (가) 내지 (사)는 본 발명에 따른 액정표시소자 제조공정도 및 단면도,

제3도의 (가) 내지 (마)는 본 발명의 제조공정에 따른 전극 배선도 및 평면도.

Claims (7)

1. 기관(1) 상부에 게이트전극(2), 화소전극(3)을 형성하고, 그 게이트, 화소전극(2)(3)사이에 비정질 실리콘층(5')을 형성하며 상기 게이트, 화소전극(2)(3) 위 에 양극산화막(6)과 게이트 절연막(4)을 형성하고, 그 게이트 절연막(4)위 트랜지스터 영역에 비정질 실리콘층(5)과 도핑된 실리콘층(7)을 형성하며, 그 도핑된 실리콘층(7) 및 상기 화소전극(3)위에 소스, 드레인전극(8)이 구비된 구조의 액정표시소자.
2. 기관(1)위에 게이트전극(2)을 증착후 패턴을 형성한 다음 화소전극(3)을 증착후 패턴을 형성하며 , 그 게이트, 화소전극(2),(3)위에 비정질 실리콘층(5')을 증착후 양극산화하여 양극산화막(6)을 형성한 다음 게이트 절연막(4)을 증착하며, 그 게이트 절연막(4)위에 비정질 실리콘층(5)과 도핑된 비정질 실리콘층(7)을 증착후 패턴을 형성하고, 그 도핑된 실리콘층(7)과 상기의 과정으로 도출된 화소전극 (3)위에 소스, 드레인전극(8)을 증착한 후 선택식각으로 패턴을 형성하여 제조하는 액정표시소자 제조방법.
3. 제2항에 있어서 비정질 실리콘층(5')을 부분적으로 양극산화하여 제조하는 액정표시소자 제조방법.
4. 제2항에 있어서 비정질 실리콘층(5')을 양극산화간 가능한 물질로 제조하는 액정표시소자 제조방법.
5. 제2항에 있어서 게이트 절연막(4)은 플라즈마 화학기상 증착방법으로 제조하는 액정표시소자 제조방법.
6. 제2항에 있어서 게이트 절연막(4)은 탄탈륨 산화물(Ta₂O₃)로 제조하는 액정표시소자 제조방법.
7. 제2항에 있어서 게이트 절연막(4)은 산화 알루미늄(Aℓ₂O₃)로 제조하는 액정표시소자 제조방법.

   ※ 참고사항：최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.