Claims (14)
반도체기판상에 제1절연막 및 제2절연막을 순차적으로 형성하는 공정, 상기 제2절연막을 식각하여 개구부를 형성하는 공정, 상기 개구부의 내벽에 스페이서를 형성하는 공정, 상기 스페이서를 마스크패턴으로 적용하여 반도체기판을 식각함으로써 트렌치를 형성하는 공정, 및 상기 트렌치 내부를 산화시키는 공정을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 소자분리방법.Sequentially forming a first insulating film and a second insulating film on a semiconductor substrate; forming an opening by etching the second insulating film; forming a spacer on an inner wall of the opening; applying the spacer as a mask pattern. Forming a trench by etching the semiconductor substrate; and oxidizing the inside of the trench.
제1항에 있어서, 상기 트렌치 형성공정후, 이 개구부를 통하영 반도체기관 표면에 불순물을 이온주입함으로써 제1채널저지층을 형성하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 소자분리방법.2. The method of claim 1, further comprising, after the trench forming step, forming a first channel blocking layer by implanting impurities into the surface of the semiconductor engine through the opening.
제2항에 있어서, 상기 트렌치 형성공정후, 이 트렌치의 저부에 불순물을 이온주입함으로써 제2채널저지층을 형성하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 소자분리방법.3. The method of claim 2, further comprising, after the trench forming step, forming a second channel blocking layer by ion implanting impurities into the bottom of the trench.
제1항에 있어서, 상기 제2절연막은 상기 개구부 폭의 1/2이상의 두께를 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 소자분리방법.2. The method of claim 1, wherein the second insulating film is formed to have a thickness of at least 1/2 of the width of the opening.
제1항 혹은 제2항에 있어서, 상기 제2절연막은 질화막인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 소자분리방법.The method of claim 1 or 2, wherein the second insulating film is a nitride film.
제5항에 있어서, 상기 제2절연막의 두께는 4000A 이상인 것을 특징으로 한는 반도체장치의 소자분리방법.6. The method of claim 5, wherein the second insulating film has a thickness of 4000 A or more.
제1항에 있어서, 상기 개구부 내벽의 스페이서는, 질화막을 3500A 이상의 두께를 도포한 후, 전면을 에치백함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 소자분리방법.The method of claim 1, wherein the spacer of the inner wall of the opening is formed by applying a thickness of 3500 A or more to the nitride film and then etching back the entire surface.
제1항 혹은 제7항에 있어서, 하나의 트렌치를 형성하기 위한 상기 개구부 내벽의 스페이서는, 상호 간격이 0.1㎛이하가 되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 소자분리방법.8. The method of claim 1 or 7, wherein the spacers of the inner wall of the opening for forming one trench are formed so as to have a mutual gap of 0.1 mu m or less.
제1항에 있어서, 상기 트렌치는, 폭이 0.1㎛이하, 깊이가 0.5㎛이하가 되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 소자분리방법.The device isolation method of claim 1, wherein the trench is formed to have a width of 0.1 μm or less and a depth of 0.5 μm or less.
제9항에 있어서, 상기 트렌치 내부를 산화시키는 공정은 산화조건을 500A이하로 하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 소자분리방법.10. The method of claim 9, wherein the step of oxidizing the inside of the trench comprises an oxidation condition of 500 A or less.
제1항에 있어서, 상기 트렌치 내부를 산화시키는 공정후, 마스크패턴을 형성하여 상기 트렌치 주위의 반도체기판 표면에 불순물을 이온주입함으로써 채널저지층을 형성하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 소자분리방법.The semiconductor device according to claim 1, further comprising a step of forming a channel blocking layer by forming a mask pattern and implanting impurities into the surface of the semiconductor substrate around the trench after the step of oxidizing the inside of the trench. Device isolation method.
제11항에 있어서, 상기 마스크패턴을 제거한 후 결과물 전면에 제3절연막을 형성하고 패터닝하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 소자분리방법.The device isolation method of claim 11, further comprising forming and patterning a third insulating layer on the entire surface of the product after removing the mask pattern.
제12항에 있어서, 상기 제3절연막은 CVD산화막이니 것을 특징으로 하는 반도체장치의 소자분리방법.13. The method of claim 12 wherein the third insulating film is a CVD oxide film.
제13항에 있어서, 상기 CVD산화막의 두께는 1000A정도인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 소자분리방법.The method of claim 13, wherein the CVD oxide film has a thickness of about 1000 A.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.