Claims (10)
반도체 기판 상에 제1절연막을 형성하는 단계; 소자분리영역과 활성영역을 한정하는 트랜치를 형성하기 위하여 소자분리영역의 제1절연막과 반도체 기판을 식각하는 단계; 상기 결과물 상에 다결정실리콘을 도포하여 상기 트랜치를 매립한 다음 에치백하는 단계; 소자분리영역 상에 일정 두께의 산화막을 형성하는 단계; 산화막이 형성된 상기 결과물 상에 제2절연막을 일정한 두께로 증착하는 단계; 상기 제2절연막을 에치백하여 소자분리영역이외의 상기 제2절연막을 제거하는 단계; 및 상기 제1절연막을 제거하는 단계를 구비하는 것을 특징으로하는 반도체 장치의 소자분리 방법.Forming a first insulating film on the semiconductor substrate; Etching the first insulating film and the semiconductor substrate of the device isolation region to form a trench defining the device isolation region and the active region; Applying polycrystalline silicon on the resultant to bury the trench and then etch back; Forming an oxide film having a predetermined thickness on the device isolation region; Depositing a second insulating film to a predetermined thickness on the resultant oxide film; Etching back the second insulating layer to remove the second insulating layer other than the device isolation region; And removing the first insulating layer.
제1항에 있어서, 상기 제1절연막은 산화막 및 질화막의 2층으로 형성되거나, 산화막, 다결정실리콘층, 및 질화막의 3층으로 형성하는 것을 특징으로하는 반도체 장치의 소자분리 방법.The method of claim 1, wherein the first insulating film is formed of two layers of an oxide film and a nitride film, or is formed of three layers of an oxide film, a polycrystalline silicon layer, and a nitride film.
제1항에 있어서, 상기 다결정실리콘층은 상기 기판과 동일도전형의 불순물이 도우프되어, P-웰이 형성되었거나 될 영역에서는 P-형으로 도우프된 다결정실리콘을 사용하고, N-웰이 형성되었거나 될 영역에서는 N-형으로 도우프된 다결정리리콘을 사용하는 것을 특징으로하는 반도체 장치의 소자분리 방법.The polysilicon layer of claim 1, wherein the polysilicon layer is doped with impurities of the same conductivity type as that of the substrate, so that polycrystalline silicon doped with P-type is used in the region where the P-well is formed or will be formed. And a polycrystalline silicon doped with N-type in the region to be formed or to be formed.
제1항에 있어서, 상기 제1절연막을 스토핑층으로 사용하여 도우핑된 다결정실리콘층을 에치백하는 것을 특징으로하는 반도체 장치의 소자분리 방법.2. The method of claim 1, wherein the doped polysilicon layer is etched back using the first insulating film as a stopping layer.
반도체 기판 상에 제1절연막을 형성하는 단계; 소자분리영역과 활성영역을 한정하는 트랜치를 형성하기 위하여 소자분리영역의 절연막과 일정 깊이의 반도체 기판을 식각하는 단계; 상기 결과물 상에 다결정실리콘을 일정한 두께로 증착하여 소자분리 영역의 상기 기판 내부를 다결정실리콘으로 매몰시키는 단계; 상기 절연막을 스토핑층으로 사용하여 다결정실리콘층을 에치백하는 단계; 및 상기 제1절연막보다 더 두꺼운 제2절연막을 소자분리영역내에 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로하는 반도체 장치의 소자분리 방법.Forming a first insulating film on the semiconductor substrate; Etching the insulating film and the semiconductor substrate having a predetermined depth to form a trench defining the device isolation region and the active region; Depositing polysilicon to a predetermined thickness on the resultant to bury the inside of the substrate of the isolation region with polysilicon; Etching back the polysilicon layer using the insulating film as a stopping layer; And forming a second insulating film thicker than the first insulating film in the device isolation region.
제5항에 있어서, 상기 절연막은 산화막 및 질화막의 2층으로 형성하거나, 산화막, 다결정실리콘층, 및 질화막의 3층으로 형성하는 것을 특징으로하는 반도체 장치의 소자분리 방법.6. The method of claim 5, wherein the insulating film is formed of two layers of an oxide film and a nitride film, or is formed of three layers of an oxide film, a polycrystalline silicon layer, and a nitride film.
제5항에 있어서, 상기 제2절연막은 산화비(oxidation rate)의 차이를 이용하여 형성하는 것을 특징으로하는 반도체 장치의 소자분리 방법.The method of claim 5, wherein the second insulating layer is formed using a difference in oxidation rate.
제5항에 있어서, 상기 제2절연막은 선택산화방법을 이용하여 형성하는 것을 특징으로하는 반도체 장치의 소자분리 방법.The device isolation method of claim 5, wherein the second insulating layer is formed by a selective oxidation method.
반도체 기판상에 제1절연막을 형성하는 단계; 소자분리영역과 활성영역을 한정하는 트랜치를 형성하기 위하여 소자분리영역의 상기 제1절연막과 일정 깊이의 반도체 기판을 식각하는 단계; 상기 결과물 상에 다결정실리콘을 일정한 두께로 증착하여 소자분리영역의 상기 기판 내부를 다결정실리콘으로 매몰시키는 단계; 상기 제1절연막을 스토핑층으로 사용하여 다결정실리콘층을 에치백하는 단계; 상기 결과물 상에 제2절연막을 일정 두께로 형성하는 단계; 상기 제2절연막을 에치백하여 상기 기판 측벽에 스페이서를 형성하는 단계; 및 산화공정을 이용하여 소자분리영역내에 일정두께의 산화막을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로하는 반도체 장치의 소자분리 방법을 제공한다.Forming a first insulating film on the semiconductor substrate; Etching the semiconductor substrate having a predetermined depth with the first insulating layer of the device isolation region to form a trench defining a device isolation region and an active region; Depositing polysilicon to a predetermined thickness on the resultant to bury the inside of the substrate of the device isolation region with polycrystalline silicon; Etching back the polysilicon layer using the first insulating layer as a stopping layer; Forming a second insulating film having a predetermined thickness on the resultant material; Etching back the second insulating layer to form spacers on sidewalls of the substrate; And forming an oxide film having a predetermined thickness in the device isolation region by using an oxidation process.
제9항에 있어서, 상기 절연막을 산화막 및 질화막의 2층으로 형성하거나, 산화막, 다결정실리콘층, 및 질화막의 3층으로 형성하는 것을 특징으로하는 반도체 장치의 소자분리 방법.10. The method of claim 9, wherein the insulating film is formed of two layers of an oxide film and a nitride film, or three layers of an oxide film, a polysilicon layer, and a nitride film.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.